Кристаллы бездефектные

Таким образом, при полях Е < 10 В/см заметного отступления от закона Ома ожидать нельзя даже в кристаллах с дефектами. Опыт показывает, что в чистых бездефектных кристаллах Якр 10 В/см. [c.285]

Таким образом, можно вычислить константу равновесия /С°на основании только термических данных для реагирующих веществ. В настоящее время уравнение (80.11) не используется при расчете константы равновесия, так как известны более простые и точные методы вычисления К° при различных температурах. Большинство современных методов расчета химического равновесия базируется на третьем законе термодинамики, который формулируется следующим образом энтропия любого индивидуального бездефектного кристаллического вещества (идеального кристалла) при абсолютном нуле равна нулю [c.264]

Для декорирования поверхности ионных кристаллов используют благородные металлы. Однако даже при повышенных температурах 300—400°С эти металлы обладают слабо выраженной селективностью по отношению к различным активным центрам. Кроме того, не исключена возможность осаждения частиц на бездефектные участки поверхности. Более подходящими для декорирования являются вещества с кристаллической решеткой низкой симметрии, сильными анизотропными свойствами. Такими качествами обладает висмут. Использование висмута снижает температуру декорирования до 80—110°С, создает возможность выявления активных [c.160]

В связи с задачами упрочнения и измельчения твер-ных тел в последние годы в науке возникло новое направление — физико-химическая механика (П. А. Ребиндер), которая изучает способы повышения или понижения прочности веществ. Если диспергировать материал до частиц, отвечающих по размерам расстояниям между дефектами кристаллической структуры, то образующиеся при этом бездефектные частицы имеют прочность, отвечающую максимально возможной для идеального кристалла. Таким образом, для получения особо прочных материалов необходимо предварительное очень тонкое измельчение с последующим уплотнением (прессование, спекание, сварка). Понижение прочности материалов описано в гл. XVI, 3. [c.239]

Другой возможный механизм разупорядочения, также неизбежного при Г>0°К, связан с возникновением вакансий н обеих подрешетках (см. рис. 6.5). Этот процесс, называемый разупорядочением типа Шоттки, можно выразить, . . уравнением О Уа + Ув, где знак О — символ идеального (бездефектного кристалла). [c.316]

Спектры ИК-поглощения алмазов имеют в области 1600— 5000 см ряд полос поглощения, интенсивность и форма которых одинаковы для кристаллов всех типов. В спектрах кристаллов типа Ив эти полосы искажены наложением полос поглощения при 2465 и 2810 см . Интенсивность поглощения алмазов в отмеченной области заметно зависит от температуры. Несмотря на отсутствие проявления однофононного поглощения в спектрах бездефектных кристаллов алмаза, возможно взаимодействие электромагнитного излучения одновременно с двумя (и более) фононами. При этом один из взаимодействующих фононов индицирует изменение эффективного заряда, который смещается под действием второго фонона и создает электрический дипольный момент, обеспечивающий поглощение в районе 1600—5000 см . Следовательно, наблюдаемые полосы поглощения соответствуют колебательным переходам с участием нескольких фононов алмазной решетки. [c.415]

Если растворяется бездефектный кристалл, то затрудняется реакция с Одновременным участием двух электронов и более [c.109]

Найденные кинетические зависимости (170), (171) и (172) удовлетворяют известным экспериментальным данным о порядке реакций по ионам 0Н , ионам ЗО и величине наклона анодной кривой Ьа- Действительно, для реального металлического кристалла железа при pH > 1,5 имеем гон- = 2, гзо - =1, = = 30 мВ, что соответствует экспериментальным данным [99] при pH < 1,5 имеем гон- = 1, зоз- = 1, = 30 мВ, что также соответствует экспериментальным данным. Для бездефектного кристалла получаем гон- =1, о = 40 мВ (при а = 0,5). Это согласуется с данными работы [89]. [c.111]

Дислокации оказывают значительное влияние на прочность и пластические свойства кристаллов. Наличие даже небольшого числа дислокаций в металлах может снижать их прочность по сравнению с теоретической на несколько порядков. Поэтому одним из путей повышения прочности кристаллических веществ является получение кристаллов с почти идеально правильным бездефектным строением. Это направление осуществлено при получении так называемых нитевидных кристаллов, или усов . Прочность их приб-лилоется к наиболее высокой, теоретически возможной и дости- [c.176]

В области дефектов кристаллич. структуры, где плотная упаковка нарушается и, появляется нек-рый своб. объем, становится возможным изменение ориентации частиц и нарушается корреляция между конфигурациями исходного состояния хим. подсистемы, ПС и продукта. Если ПС образуется в своб. объеме дефекта, то, в отличие от р-Щ1Й в бездефектном кристалле, ASf > О, поскольку при образовании ПС появляются дополнит, степени свободы. Во мн. случаях молярный объем продукта меньше молярного объема реагирующей подсистемы, что приводит к изменению структуры продукта. Напр., при твердофазной полимеризации структура образующихся в начале процесса полимерных цепей определяется лишь структурой решетки, но по мере увеличения конверсии мономера и разрыхления [c.210]

Дефекты в кристаллич. решетках кристаллич. материалов (дислокации, ошибки упаковки и др.) изучают с помощью рентгеновской топографии, основанной на том, что дефектные и бездефектные области кристалла по-разному рассеивают рентгеновские лучи. [c.243]

В заключение следует заметить, что выращивание с малой плотностью и бездислокационных монокристаллов непременно сопровождалось выходом на поверхности отрыва плоской грани (111). Возникновение граней не вызывало нарушений бездефектной структуры, однако ее появление всегда было связано со значительной неоднородностью свойств в кристалле по радиусу. Опыты показали, что возникновение и развитие граней определяется формой фронта кристаллизации. Было замечено, что при выпуклом фронте кристаллизации всегда наблюдается выход плоскости (111). Причем при большой кривизне поверхности раздела фаз плоскость имела форму круга небольших размеров и раз.мещалась ближе к оси слитка. При фронте кристаллизации, близком к плоскому, плоскость занимала большую часть поперечного сечения слитка. При выращивании монокристаллов с вогнутым фронтом кристаллизации возникновение плоскости (111) или не наблюдалось вообще, или имело место вблизи поверхности слитка. [c.234]

Наличие даже небольшого числа дислокаций в металлах, пронизывающих в нем значительные участки, часто бывает достаточным, чтобы снизить его теоретическую прочность на несколько порядков. Эта идея нашла свое подтверждение после открытия того факта, что нитевидные кристаллы, так называемые усы , обладают почти идеально правильным бездефектным атомным строением и по своей прочности приближаются к наивысшей теоретически возможной прочности. [c.263]

Интенсивно развивались поисковые работы по выращиванию кварца в связи с разработкой систем стабилизации частот радиоаппаратуры с помощью пьезокварцевых резонаторов, изготовлявшихся из крупных бездефектных природных кристаллов кварца. Возрастающие масштабы использования кварца в радиотехнике привели к необходимости организации экспериментов в странах, не располагающих запасами природных кварцевых кристаллов. [c.4]

Появления слоистости, связанной с захватом неструктурной примеси, в ряде случаев можно избежать, например, путем снижения скоростей роста кристаллов.Однако часто даже в кристаллах с относительно бездефектной пирамидой роста пинакоида <0001 > в секторах роста <1120> наблюдается обычно слоистое распределение неструктурной примеси, не говоря уже о том, что после 7-облучения в секторах ромбоэдров всегда выявляется зональность распределения дымчатой окраски. [c.44]

Образование рассматриваемой группы включений происходит в начальный период наращивания. Источниками вакуолей служат каналы гидротермального травления, возникающие в затравке. Крупные отверстия в затравке зарастают медленно и оставляют в наросшем материале выклинивающиеся в направлении перемещения фронта кристаллизации (уплощенные) трехгранные пирамидальные полости, которые нередко не успевают замкнуться и выходят на поверхность кристалла в виде щелей и ограненных каналов. Подобный вид макронеоднородностей принято называть проколами (синоним американского термина порок щелевато-сти ). При многократном доращивании внутри кристалла возникают чередующиеся зоны трубчатых включений (рис. 37). В случае использования затравок с трещинами, двойниковыми швами, мозаичными участками и включениями дефектные зоны интенсивно протравливались и являлись наиболее благоприятными местами для зарождения включений. Менее всего подвержены травлению (по сравнению с вышеописанными образцами) бездефектные природные монокристаллы кварца. [c.128]

Кроме того, следует учесть, что при измерениях в СВЧ диапазоне диэлектрические параметры материалов определяются быстро протекающими электрическими процессами в них, зависящими в основном от структуры и состава вещества. Поэтому в бездефектных кристаллах алмаза с совершенной структурой диэлек-29 451 [c.451]

Управление физическими параметрами синтетических слюд типа фторфлогопита, по-видимому, ограничено лишь частичными, небольшими замещениями, так как при полном замещении основных структурных элементов синтетического фторфлогопита его способность образовывать крупные бездефектные кристаллы ухудшается. [c.11]

Этим методическим приемом удалось получить достаточно воспроизводимые наросты на затравку без видимых газовых включений по всей длине тигля. Но при этом обнаружился новый дефект кристаллов — трещины, которые располагались в тех же направлениях, что и раньще газовые включения, т. е. по нормали к фронту кристаллизации, однако отдельные пластины слюды были бездефектными. [c.55]

Прочность металлов в среднем на два порядка меньше теоретической прочности бездефектного кристалла сТтеор (сгтеор 0,1 Е). Такое различие обусловлено тем, что термодинамически вероятно наличие в металле достаточно высокой плотности дефектов кристаллического строения еще до деформации. Пластичность - как свойство подвергаться остаточному формоизменению - реализуется при деформации путем скольжения (трансляционного и зернограничного) и двойникования структурных элементов. Причем процесс скольжения не является результатом одновременного смещения атомов соседей. Процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов в областях с искаженной решеткой. Нарушение кристаллической ре-ше йси означает, что их атомы выведены из положения минимума потенциальной энергии. Поэтому для их смещения требуется меньше энергии и напряжения. Наиболее распространенными дефектами кристаллической решетки являются линейные дефекты - дислокации (винтовые и краевые). Под действием приложенных напряжений про- [c.77]

Гипотеза (кристеллитнвя) бездефектной жацкооги Бернала. Структура жидкости имеет структуру кристалла, иэ которого она получена. с небольшими откдстениями и не имеет дефектов. [c.10]

Идеальный кристалл рассматривается как тело, построенное из атомов, расположенных строго по законам симметрии кристаллической решетки. В реальных веществах существует непрерывный переход от идеально правильного в геометрическом и физическом смысле кристалла к телам с полностью неупорядоченным расположением атомов — аморфным или стеклообразным. Идеальный кристалл, как и аморфное тело с полностью неупорядоченной структурой, является крайним членом этого ряда. Практически всегда имеют дело с промежуточными членами его. Часть реальных кристаллов примыкает к почти идеальным, степень неупорядоченности которых незначительна. Реальные аморфные тела в свою очередь сохраняют некоторую степень упорядоченности. Отклонения в строении реального кристалла от идеализированного с геометрически правильным расположением атомов называются дефектами кристаллической решетки. Дефекты оказывают большое влияние на свойства реальных кристаллов, а во многих случаях обусловливают проявление особых свойств, которые не присупхи кристаллам со структурой, близкой к бездефектной. [c.166]

Энергетическая ширина 45-зоны составляет около 10 эВ, причем в ней на атом металла приходится всего два электрона. Ширина З -зопы меньше (для никеля 2,8 эВ), но число электронов в ней, конечно, больше, — именно максимум десять на атом. Электропроводность металлов в основном обусловлена электронами 4s-зоны. Перекрывание этих двух зон в оксидах меньше, чем в металлах, и даже может и вовсе не иметь места. В этом случае электропроводность обусловлена только электронами З -зоны. Наконец, могут быть случаи, когда эта зона становится настолько узкой, что можно говорить о фиксации всех электронов на соответствующих катионах решетки. Оксид в этом случае становится диэлектриком. Замечательно, что совершенно чистые и бездефектные кристаллы оксидов хрома (III), марганца (III), железа (111), кобальта (И), никеля (II) и меди (II) тока не проводят — их удельное сопротивление достигает 10 ° Ом-см. Проводимость появляется, если в кристаллах содержатся примеси. [c.288]

Это так называемые дефекты кристаллического строения, присутствие которых сказывается, и иногда очень существенно, на свойствах кристаллов. Так, техническое железо имеет прочность 175—315 МПа (около 25 кг/мм ), сложнолегированная сталь рекордной прочности — 3900 МПа (400 кг/мм ), а бездефектный кристалл чистого железа — 13000 МПа (1300 кг/мм ). Многие другие практически важные свойства кристаллов определяются именно присутствием специально создаваемых дефектов структуры, в частности, каталитическая активность, полупроводниковые свойства, способность к люминесценции, окраска и другие. [c.155]

Как уже отмечалось, в настоящее время в промышленно развитых странах крупные бездефектные кристаллы кварца для радиоэлектронной техники выращивают в гидротермальных условиях методом температурного перепада в стальных автоклавах, емкость которых может достигать нескольких тысяч литров. В качестве растворителей используют водные растворы гидроокисей и карбонатов щелочных металлов (преимущественно натрия и калия) с массовым содержанием от 3 до 15%. Разработан также способ выращивания кристаллического кварца во фторидных системах с использованием водных растворов фтористого аммония при концентрациях от 5 до 20 %. Синтез проводится в широком интервале давлений (50—2000-10 Па) и температур (250— 450 °С). Поскольку большинство из указанных растворителей являются химически агрессивными (особенно при повышенных параметрах), в ряде случаев возникает необходимость защиты внутренней полости автоклавов от коррозии с помощью специально сконструированных футеровок из материалов, устойчивых к воздействию среды. В результате коррозии стенок автоклава, а также растворения шихтового поликристаллического природного кварца в гидротермальный раствор поступают различные ионы, которые захватываются растущими кристаллами кварца. К другому источнику примесей можно отнести также минералообразующую среду, включения которой часто обнаруживаются в кварце. [c.175]

Разумеется, такая оценка оправдана лищь в пределах порядка величины учет специфики химических связей позволяет внести уточнения для конкретных материалов. Поскольку фазовый контгкт площадью 5,, (10 10- - -10- м можно считать бездефектным, он обладает теоретической прочностью идеального твердого тела (см. 2 гл. I). При таком подходе получаем, что минимальные значения Р1 Рац.5к составляют примерно несколько единиц 10 Н/м Х несколько единиц 10- м2 10 Н для легкоплавких малопрочных тел, оказываются порядка 10 Н для ионных кристаллов и металлов средней прочности, и достигают 10 И и выше для высокопрочных тугоплавких материалов. С развитием площади 5к прочность фазового контакта растет, достигая еще более высоких значений (10- - 10 3 Н). В предельном случае сплошного поликристаллнческого материала (например, металла) мы приходим к прочности сцепления на границе зерен. [c.318]

Таким образом, нет необходимости в привлечении гипотетического и трудно объяснимого с физической точки зрения промежуточного соединения Ме (МеОН) по Эйхкорну и Лоренцу для интерпретации смены механизмов и изменения наклона Ьа от 40 к 30 мВ при переходе от бездефектного кристалла железа к реальному дефектному . [c.111]

Таким образом, нет необходимости в привлечении гипотетического и трудно объяснимого с физической точки зрения промежуточного соединения Ме (МеОН) по Эйхкорну и Лоренцу для интерпретации смены механизмов и изменения наклона Ьа от 40 к 30 мВ при переходе от бездефектного кристалла железа к реальному дефектному . При наличии в растворе ионов хлора вследствие конкурентной адсорбции ОН и СГ наклон кривой увеличивается до Ьа = 60 мВ 98]. [c.112]

Совр. подход к изучению проблем П. учитывает атом-но-мол. строение твердых тел. Данные об энергии межатомных связей и межмолекулярных взаимод. позволили рассчитать теоретическую П. твердагх тел на разрыв, к-рая оказалась во много раз большей, чем измеряемая на опыте для реальных тел. Расхождение теоретической и практической П. объясняется наличием в телах особых участков-концентраторов напряжений (трещин), в к-рых возникают локальные перенапряжения при приложении к телу нагрузки. Бездефектные материалы обладают П., приближающейся к теоретической таковы, напр., нитевидные кристаллы. [c.130]

В зависимости от взаимной ориентации реагирующих частиц и остальных частиц решетки возможны разл. конфигурации ПС (разл. пути р-ции) и соотв. разная структура образующегося продукта. В плотноупакованном бездефектном кристалле решетка, окружающая хим. подсистему, может считаться абсолютно жесткой и ДЯ представляет собой изменение энтальпии лишь вследствие деформации связей реагирующих частиц с фиксир. решеткой. Эта величина определяется в осн. силами отталкивания, к-рые экспоненциально увеличиваются по мере усиления деформации связей. Поэтому, если ПС по своей конфигурации сильно отличается от исходного состояния хим. подсистемы, на пути р-ции возникает чрезвычайно высокий барьер. Оценки на основе метода атом-атомных потенциалов (см. Молекулярная механика) показывают, что Р. в т. т. протекают лишь в тех случаях, если при переходе к ПС межатомные расстояния спрессовываются не более чем на 30-40%. В большинстве кристаллов возможный путь р-ции и соотв. структура продукта однозначно определяются условием минимума ДЯ . Такие Р. в т. т. относятся к топохимическим реакциям. Др. тип Р. в т. т. характерен для пластичных кристаллов, образованных квазисферич. или квазицилинд-рич. молекулами, в к-рых барьеры переориентации частиц решетки при образовании ПС невысоки и поэтому возможны разные пути р-ции и соотв. различные по структуре продукты. [c.210]

Ф,- исходное сырье для получения фтористоводородной к-ты HF и криолита NajAlF , используемого в алюминиевой пром-сти флюс в черной и цветной металлургии компонент стекол, эмалей, глазурей. Бесцветные прозрачные бездефектные кристаллы применяются для изготовления разл. оптич. приборов. Выращивают синтетич. кристаллы Ф., к-рые используют как оптич. и лазерный материал. л. Г. Фельдман. ФОЛАЦЙН (витамин В , витамин В,, фолат), фуппа соед., включающая фолиевую к-ту (ф-ла I а) и ее производные. [c.111]

Изучение карбина продолжается [8, 9, 19-21]. В настоящее время его своеобразие и свойства еще в должной степени не выявлены, но есть все основания полагать, что у этого полимера интересное будущее. В частности, от карбина можно ожидать интересных электрофизических свойств расчетом показано [18], что карбин, полученный в форме бездефектных нитевидных кристаллов, должен быть наиболее прочным из всех известных материалов. [c.302]

В процессе разработки технологии синтеза оптического монокристального кварца была решена проблема создания фонда затравочного материала для разнотипных уникальных по размерам и свойствам кварцевых кристаллов, сырьем для которого послужили бездефектные природные кристаллы горного хрусталя большого размера и с высоким выходом моноблоков. Переработка крупногабаритных природных и синтетических кварцевых кристаллов производилась под руководством Л, Н. Романова и М. И. Го- ликова. Первые эксперименты на сосудах промышленного типа, проведенные в течение 1962—1963 гг, с целью проверки лабораторных данных, дали положительные результаты, показавшие принципиальную возможность повышения производительности серийного промышленного оборудования и улучшения качества выращиваемых кристаллов. Во ВНИИСИМС для серийного производства были разработаны два варианта сосудов, различающиеся конструкцией затвора и размерами горловины. Сосуды оборудовались внутренними электронагревателями, которые устанавливались в нижней части реакционного объема автоклава, а обогрев камеры кристаллизации производился наружными нагревателями. [c.13]

Значительное влияние на устойчивость быстрорастущих граней оказывает состояние поверхности затравки -перед началом кристаллизации. Если наращивание производится на плоскую поверхность, то зачастую, даже в неблагоприятных физико-хими-ческих условиях, вырождение грани пинакоида начинается после того, как успевает сформироваться 5—10-миллиметровый бездефектный монокристальный слой. И, наоборот, углубления и каналы травления затравки стимулируют образование в этих местах ромбоэдров (или граней близких к ним индексов), которые в зависимости от параметров синтеза либо быстро выклиниваются, оставляя над поверхностью затравки многочисленные клиновидные паразитные пирамиды, либо разрастаются. В последнем случае грань базиса трансформируется в многоглавую поверхность регенерации, скорость роста которой значительно ниже скорости роста грани с. Очевидно, за счет действия входящих углов субиндивиды покрываются поверхностями сложной формы, которые следует относить к трапецоэдрам. В отдельных опытах кристаллы синтезировались в условиях, когда грани г и трапецоэдров росли с одинаковыми скоростями и, вероятно, в силу этого не вытесняли друг друга. Мелкие (<0,5 мм2) грани трапецоэдров появляются также в местах зарастания каналов травления затравки (по три грани над каждым каналом) и образуют столбчатые трехгранные паразитные пирамиды, ориентированные в материале пирамиды <с> взаимно параллельно и параллельно оси симметрии третьего порядка. [c.168]

Раствор-расплавный метод имеет определенные недостатки. Во-первых, растворитель является основной неструктурной примесью, в больших количествах входящей в кристаллы и не позволяющей во многих случаях получать бездефектные кристаллы слюды. При проведении кристаллизации путем медленного охлаждения число центров слюдообразования велико. Вследствие разницы плотностей слюды и раствора кристаллы слюды часто опускаются на дно тигля, где их рост прекращается из-за недостатка питания. При высоком содержании фторфлогопита в растворе-расплаве образуется поликристаллический агрегат из разиоориентированных пластин слюды (рис. 5) с дефектами, присущими расплавнон кристаллизации. При спонтанной кристаллизации размер получаемых кристаллов обычно не превышает первых сантиметров. Проведение кристаллизации на затравку из раствора-расплава затруднено частичным разложением затравки и невозможностью создания необходимых температурных условий на фронте кристаллизации. [c.20]

С нашей точки зрения, источником газовых включений являются продукты разложения затравочного кристалла при его соприкосновении с расплавом. Действительно, поскольку фторфлогопит разлагается уже при температуре 1100 °С, при расплавлении шихты и необходимом подплавлении верхней части затравки кристаллы разлагаются. Дальнейший бездефектный рост кристалла на дефектную затравку уже невозможен, кроме того, выделившаяся газовая фаза частично остается на границе раздела расплав — кристалл, экранируя фрон кристаллизации. [c.55]

Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях Изд3 (1965) -- [ c.12 ]

Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях (1976) -- [ c.15 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.555 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология