Осевые отрезки

Преимущества определения положения атомных плоскостей при помощи индексов (/г, к, /), а не осевых отрезков, отсекаемых плоскостями на осях координат, будут очевидны, если учесть, что они всегда являются простыми целыми числами и величина их не зависит от внешних влияний (температура, растяжение, сжатие и т. п.), чего не наблюдается у осевых отрезков. Кроме того, индексы (й, к, I) наиболее просто определяют положение атомных плоскостей в кристаллической решетке. [c.111]

На точность решения влияют в основном две особенности разностных уравнений. Первая состоит в ошибке приближения, т. е. в расхождении между дифференциальным уравнением в какой-либо точке и разностным, предположительно относящимся к этой точке. Другой особенностью является порядок разностного уравнения, относящегося к осевому отрезку. Примером может служить решение обычного дифференциального уравнения первой степени. Пусть требуется решить уравнение [c.189]

Ромбической (орторомбической) сингонии аф Ъф с, а — = у = 90°) соответствует прямоугольная система координат, но осевые отрезки неодинаковы, причем обязательно условие с <С. [c.45]

На рис. 3 приведен график некоторого свойства моля раствора (в устойчивых состояниях) как функции х, не имеющего бесконечных производных в конечных точках кривой (например, Ух или Нх). Переход от интегральной величины к дифференциальным (парциальным) совершается методом осевых отрезков касательной. [c.16]

Теперь р ь парциальных величин выполняют измеримые разности (Фг — Ф,). Они также находятся как осевые отрезки касательной к интегральной кривой АФх= х). [c.17]

На правой границе диаграммы, соответствующей чистому второму компоненту, конечная точка кривой лг (чистый жидкий компонент) опускается со скоростью (ж), а точка, соответствующая кристаллическому компоненту, при повышении температуры опускается со скоростью 52(т)<52(ж). Эти две точки совмещаются при температуре плавления компонента. Ниже точки плавления (т) < Цг (ж) и устойчива твердая фаза. Проведя из точки Мг(т) касательную к кривой Сх(х), находим, что в точке касания значение цг (определяемое осевым отрезком касательной на правой ординате) равно величине двух равновесных фазах равны. Следовательно, в точке касания т раствор насыщен [c.18]

Отношен.те осевых отрезков а . Ь с ж углы, характерные для различных сингоний (рис. 1.30, а), непосредственно зависят от конфигураций соответствующих бипирамид (или призм). [c.59]

Рис. 1.35. Отношения осевых отрезков и углы между осями кристаллов разных сингоний

Монотонное изменение в некотором температурном интервале отношения осевых отрезков или периодов идентичности. В [4] приведен пример фазового перехода второго рода в ВаТЮз, имеющем структуру перовскита (рис. III. 16). По [4] в этом случае происходит монотонное изменение ia с переходом кубической структуры в тетрагональную. [c.295]

Индицирование интерференций. Плоскости в кристаллической решетке принято обозначать индексами Миллера, которые даются в виде обратных осевых отрезков, причем осевые отрезки выражены в единицах длины осей. Например, если плоскость отсекает на координатных осях участки а/2, Ь/3 и с, то обратные значения при заданном обозначении осей будут 2, 3 и 1. Для обозначения плоскости эти три значения берут в круглые скобки, так что плоскость обозначают символом (2 3 1), Плоскость, которая отсекает на [c.452]

Камера применяется для выявления симметрии кристаллов определения ориентировки кристаллов известных веществ — как небольших и г гало поглощающих рентгеновские лучи, так и крупных и непрозрачных для рентгеновских лучей определения направлений и выбора координатных осей в неограненных кристаллах, в том числе кристаллах неизвестных веществ оценки величины периода идентичности вдоль основных направлений кристалла определения отношений осевых отрезков. [c.28]

Отношения осевых отрезков и углов кристаллов различных сингонии [c.85]

Рис. 45. Осевые отрезки и углы в кристаллах различных сингоний

Симметрия элементарной ячейки определяется следующими факторами а) метрикой элементарной ячейки (т. е. осевыми отрезками а, 6, с и углами [c.115]

На рис. 77, 3 соответственно по осям х, у, г осевые отрезки равны у 1 у тогда индексы будут (3, 1, 2) . [c.147]

Что такое индексы плоскости и каковы их преимущества перед осевыми отрезками [c.183]

Преимущества определения положения атомных плоскостей при помощи индексов к, к, I), а не осевых отрезков, отсекаемых [c.139]

Преимущества определения положения атомных плоскостей при помощи индексов /г, к, I, а не осевых отрезков, отсекаемых плоскостями на осях координат, будут очевидны, если учесть, что они всегда являются простыми целыми числами и величина их не зависит от внешних влияний (температура, растяжение, сжатие и т. п.), чего не наблюдается у осевых отрезков. Кроме того, индексы Н, к, I наиболее просто определяют положение атомных плоскостей в кристаллической решетке. Постоянную кубической решетки можно рассчитать, если известны индексы плоскости и межплоскостные расстояния, по уравнению [c.112]

Отношения осевых отрезков и углы, характерные д.ия ])аз.иичных сингоний (рис. 45), пепсЛредственно вытекают из конфигураций соответствующих бипирамид (или призм). См. табл. 12. [c.85]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология