Зародышеобразование бесконтактное

Опишем процесс массовой кристаллизации с учетом явления бесконтактного вторичного зародышеобразования. [c.39]

При бесконтактном вторичном зародышеобразовании источником новых центров может являться или сам затравочный кристалл, или раствор в жидком слое, контактирующий с кристаллами. Одна из теорий, объясняющих действие кристаллического источника зародышеобразования, предполагает наличие таких иглоподобных дендритов, которые при определенных условиях вырастают на поверхности кристалла и затем разрушаются от сдирающего действия жидкости, омывающей поверхность [28, 33, 36]. Отломанные частицы служат в качестве центров кристаллизации. [c.39]

С учетом (1.350) движущая сила вторичного бесконтактного зародышеобразования приобретает вид [c.101]

Из соотношений (1.351), (1.355) видно, что структура движущих сил бесконтактного и контактного вторичного зародышеобразования идентична, только под значением г 2з понимается скорость отрыва зародыша от кристалла размером г при истирании его несущей фазой, а под (г, л) —скорость отрыва зародыша за счет упругого столкновения кристаллов. [c.102]

Скорость бесконтактного зародышеобразования от единичного кристалла размера (объема) г [c.153]

Скорость бесконтактного зародышеобразования от всей массы кристаллов [c.154]

При наличии вторичного зародышеобразования претерпевает изменение только уравнение баланса числа частиц а) при бесконтактном вторичном зародышеобразовании [c.159]

Механизмы вторичного зародышеобразования весьма разнообразны. Но в первом приближении их можно разделить на две группы. К первой относятся различные виды бесконтактного зародышеобразования, а ко второму — контактного. Суть их сво- [c.56]

Виды бесконтактного вторичного зародышеобразования довольно многочисленны [27, 34]. К ним, в частности, относятся образование зародышей при движении кристалла в пересыщенном растворе, их возникновение за счет перераспределения примесей между жидкой и твердой фазами или за счет изменения структуры раствора вблизи поверхности кристалла и т. п. К видам контактного зародышеобразования относятся дробление кристаллов в результате соударений, появление новых центров кристаллизации за счет простого трения поверхностей друг о друга без видимого изменения самой поверхности. Остановимся подробнее на различных механизмах вторичного зародышеобразования. [c.57]

Простейшим случаем бесконтактного вторичного зародышеобразования является возникновение новых центров кристаллизации при введении одиночного кристалла или нескольких кристаллов в раствор. Если ввести кристалл в сосуд с пересыщенным раствором и позволить ему свободно опускаться на дно, то часто можно заметить, что его падение сопровождается образованием облака новых кристаллов [35], которое следует за частицей. Предполагается, что облако образуется в результате отслоения пылинок, находящихся на поверхности кристалла. Во время падения кристалла в растворе они смываются им и начинают расти самостоятельно. [c.57]

На примере растворов сульфата магния изучались особенности бесконтактного и контактного вторичного зародышеобразования [32]. [c.63]

Книга состоит из четырех глав. В первой главе, посвященной качественному анализу структуры процесса массовой кристаллизации как сложной ФХС, вскрываются особенности данной ФХС как на языке смысловых, лингвистических построений, так и на языке точных математических формулировок, причем в последнем случае обсуждаются два подхода — феноменологический (детерминированный) и стохастический. На уровне детерминированного подхода формулируется обобщенная система уравнений термогидромеханики полидисперсной смеси с произвольной функцией распределения кристаллов по размерам с учетом роста, растворения, зародышеобразования, агрегации и дробления кристаллов. Особое внимание уделено описанию процесса вторичного зародышеобразования. На основе термодинамического подхода получены теоретические зависимости для структуры движущих сил вторичного зародышеобразования при бесконтактном и контактном зародышеобразовании. Стохастический подход представлен методом пространственного осреднения, развитого в последние годы в механике гетерогенных сред, а также методами фазового пространства и стохастических ансамблей для описания стохастических свойств процессов массовой кристаллизации. На основе метода пространственного осреднения получено уравнение типа Колмогорова— Фоккера — Планка с коэффициентом диффузии, учитываю- [c.5]

На основании современной теории сделан вывод, что вторичное зародышеобразование не идет по какому-то единственному механизму, а могут иметь место различные виды вторичного зародышеобразования, соответствующие различным пересыщениям, концентрациям примесей и гидродинамическим условиям. Предполагается [34—36] существование двух видов вторичного зародышеобра-зования из растворов и газов бесконтактное и контактное. [c.39]

Пусть пересыщения в системе недостаточно для образования зародышей гомогенным или гетерогенным путем и зародыши возникают за счет истирания кристаллов несущей фазой. Зародыши будем считать самостоятельной фазой, средняя плотность и объемное содержание которой р, и з (причем рз=р2"ПаЛ ЯзГз= = , Пз=/зГз —число зародышей в единице объема). Перейдем к выводу уравнений термогидромеханики для описания процесса массовой кристаллизации с учетом роста кристаллов и бесконтактного вторичного зародышеобразования. [c.39]

Итак, пока можно полагать, что бесконтактный механизм вторичного зародышеобразования малосуществен для реальных кристаллизационных систем. Из контактных механизмов касание и скольжение вносят существенный вклад при относительных пересыщениях порядка 1—5%. Соударение приводит к образованию сравнительно большого числа зародышей при относительных пересыщениях порядка 3—10%. Разумеется, в этом случае играет большую роль интенсивность перемешивания суспензии. При очень низких пересыщениях становится маловероятным не только гомогенное зародышеобразование, но и вторичное. Речь идет об относительных пересыщениях менее 0,1—0,2%. Можно полагать, что в таких растворах появление новых центров кристаллизации будет происходить только в результате макротрения. Оно по идее должно приводить к истиранию кристаллов и появлению в объеме раствора мельчайших кристаллических частичек. [c.66]