Линейные дефекты кристаллической

Изменение электрохимических характеристик анодного процесса следует связывать с тем, что при превышении предела текучести начинается пластическое формоизменение образца с образованием линейных дефектов кристаллической решетки — дислокаций. Потенциальная энергия атомов в ядре таких дислокаций увеличивается в десятки и сотни раз по отношению к недеформированному состоянию, а возникающие ступеньки скольжения металла значительно увеличивают площадь поверхности контакта с коррозионной средой. [c.71]

Линейные дефекты кристаллической решетки — дислокации — благодаря присущей им мозаичной структуре вызывают заметное расширение линий дебаеграмм и поэтому довольно легко могут быть обнаружены рентгеновскими методами [И]. Образование дислокации в кристалле наглядно проявляется в его пластической деформации, которая происходит волнами с нарушением правильности строения решетки в узкой области. Решетка кристалла у центра дислокации сильно искажена механическими напряжениями и атомы смещены с их нормальных положений [14 [c.11]

Линейные дефекты кристаллической структуры [c.322]

Более крупный линейный дефект кристаллической решетки — дислокация (от позднелат. ШосаНо — смешение, перемещение). Это линейное несовершенство [c.172]

ДИСЛОКАЦИИ (от лат. dis... — приставка, означающая разделение, разъединение, и lo us — место)— линейные дефекты кристаллической решетки, вдоль и вблизи к-рых нарушено правильное расположение атомных плоскостей. Д. в непрерывной упругой среде теоретически исследовал итал. ученый В. Вольтерра в 1907. Различают два осн. вида Д.— краевые и винтовые. Если правильное расположение атомных плоскостей в кристалле нарушено тем, что одна из них обрывается вдоль некоторой прямой, эта линия наз. краевой Д. Она образуется, если разрезать кристалл по части AB D плоскости РР, ограниченной прямой АВ (рис., а на с. 366), сдвинуть верхнюю часть относительно нижней на одно межатомное расстояние Ъ в направлении нормали к АВ и воссоединить на противоположных краях разреза атомы, ставшие после сдвига ближайшими соседями. Оставшаяся лишней полуплоскость обрывается вдоль краевой Д., а на боковой поверхности кристалла возникает ступенька D шириной Ь. Вектор сдвига Ь, равный вектору трансляции решетки, наз. вектором Бюргерса. Если вектор Бюргерса параллелен краю надреза АВ, получается винтовая дислокация (в плоскости PiPj разрез и сдвиг на величину вектора Бюргерса осуществлены лишь на участке, ограниченном кривой EFG). Угол <р между вектором Бюргерса и вектором касательной к границе сдвига it) непрерывно изменяется от характерного для краевой Д. значения 90° в точке Е до значения 0° в точке G, где Д. имеет винтовую ориентацию. На промежуточных участках граница сдвига представляет собой смешанную дислокацию. Плоскость, проходящая через вектор Бюргерса и вектор касательной к линии дислокации, наз. плоскостью скольжения дислокации. Область вблизи края незавершенного сдвига, где межатомные расстояния значи- [c.365]

Линейные дефекты кристаллической решетки, нарушающие правильное чередование атомных плоскостей, возникающие или в процессе образования кристалла, или в результате последующих механических воздействий, или по другим причинам, называют дислокацией кристаллов. Известны различные виды дислокации кристаллов. На рис. 84 представлен пример дисдокации, которая возникает при срастании двух кристаллов, обладающих близкой (но не одинаковой) ориентацией. Характер и концентрация дислокаций, устранение имеющихся или возникновение новых могут сильно влиять на разные свойства кристаллов и, в частностн, на их механическую прочность, на свойства полупроводников и др. [c.202]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология