Примеси следы в полупроводниках

А. Рассмотрим (для определенности) адсорбцию акцепторного газа а поверхности плоскопараллельной пластинки полупроводника. Примем следующие основные предположения 1) толщина полупроводника значительно больше дебаевской длины экранирования Ь 2) на поверхности полупроводника существуют центры одного сорта 3) заполнение адсорбционных центров мало. [c.138]

При анализе кремния и его неорганических соединений обращают главное внимание на определение индивидуальных примесей, для чего предложены разнообразные методы. Однако для быстрой оценки чистоты слитка, без идентификации носителей заряда, используется эффект Холла, позволяющий определять в полупроводниковом элементе до 10 % суммы примесей. Следует только учитывать, что при достаточно высоком содержании примесь может находиться в монокристалле не пол ностью в виде твердого раствора. В этом случае эффект Холла будет по казывать пониженное содержание примесей в полупроводнике [21]. [c.35]

На рис. 2 представлена зависимость определяемой концентрации углерода в металлах и полупроводниках от количества сгоревшего образца. Как следует из рисунка, концентрация углерода в исследуемых материалах не зависит от доли сгоревшего образца. Это дает основание утверждать, что в процессе сжигания примесь углерода распределена равномерно по объему расплава. Содержание углерода в остатке образца никеля после анализа во [c.187]

Мы вычислили равновесные концентрации электронов проводимости и дырок в полупроводнике, содержащем примесные доноры. Для полупроводника, содержащего акцепторную примесь, задача решается совершенно аналогично вместо уравнений (4.13) и (4.14) для него следует записать [c.109]

До чего мала примесь, делающая германий либо п-, либо р-полупроводником, видно из следующего. В очень чистом германии концентрация собственных электронов (или дырок) при комнатной температуре равна 2,5-10 на 1 см при общем числе атомов 4,52-1022 g j Введя один атом мышьяка на 100 млн. атомов германия, мы внесем 4,5-10 примесных электронов на 1 см , т. е. в 18 раз больше, чем имел германий, и в нем начнет превалировать -проводимость. Во столько же раз увеличится количество дырок от добавки стомиллионной доли бора, которая делает германий р-полупроводником. Уже такие микроколичества примеси повышают удельную электропроводность германия в 5—6 раз, а кремния — в сотни раз. [c.170]

Один из способов заключается в следующем. В тигле определенной формы (рис. 25) вначале выращивают часть кристаллов. Перед отверждением в нее вносят п-примесь. К оставшемуся расплаву добавляют /Р-примесь в таком количестве, чтобы изменился тип проводимости. Для точного (до 5—10%) взвешивания доли микрограмма п- или р-примеси ее берут в виде сплава с полупроводником, содержащим десятые или сотые доли процента заданной примеси. Дальнейший рост кристалла ограничивают временем, необходимым для увеличения толщины кристалла, соответ- [c.172]

Подобные термические способы легирования находят применение в производстве дискретных полупроводников. Для микроэлектроники они неуклюжи и медлительны. Тут действуют более совершенные приемы. При планарной технологии и изготовлении интегральных схем прежде всего прокаливают на воздухе пластинку, чтобы окислилась ее поверхность. В окисной пленке делают тысячи окон для диффузии примесей. С этой целью пластинку погружают в плавиковую кислоту, предварительно защитив остальные участки пленки лаком, или закрепляют эти участки фотохимически. Все операции выполняют под микроскопом. Далее внедряют в окна бор или иную дырочную примесь, вновь снимают окисную пленку, вводят электронную примесь (например, фосфор) и опять стравливают окись. В завершение следуют операции осаждения алюминиевого слоя, устройства паутины из металлических токоотводов и защитного покрытия. Так создаются транзисторы, которые в 200 раз меньше изолированного прототипа. [c.173]

Под словом примесь здесь следует понимать не обязательно и не только химически чужеродные атомы, внедренные в решетку. Это понятие в данном случае, как и в физике полупроводников вообще, имеет более щирокий смысл. Имеются в виду любые локальные нарушения в строго периодической структуре решетки. Это могут быть пустые узлы, чужеродные атомы, замещающие собственные атомы решетки, чужеродные или собственные атомы, выброшенные в междоузлия или на поверхность кристалла. Таким образом, стехиометрические нарушения в кристалле, более того, любые отклонения от идеальной структуры кристалла являются в этом смысле примесями . Роль примеси (в данном случае поверхностной примеси) выполняют также посторонние хемосорбированные частицы, не участвующие в реакции, а также сами реагирующие хемосорбированные частицы и хемосорбированные частицы, являющиеся продуктами реакции. Таким образом, посторонние газы, в атмосфере которых находится катализатор, могут снижать или [c.123]

Если в собственно полупроводник ввести акцепторную примесь, например в германий ввести атом галлия, у которого лищь три валентных электрона, то к нему от германия перейдет один из электронов, и в валентной зоне появится дырка. Условием такого перехода является близость энергетического уровня примеси, располагающегося в запрещенной для германия зоне, к верхнему уровню валентной зоны германия. Концентрация дырок в этом случае становится преобладающей, и собственно полупроводник превращается в примесный полупроводиик р-тла, или в р-полупроводник. Для полупроводников с примесной проводимостью пфрфп[ и вместо (5.46) следует писать [c.139]

Получение металлов высокой чистоты. На протяжении по-следии ( десятилетий в связи с развитием новых отраслей техники потребовались металлы, обладающие очень высокой чистотой. Например, для надежной работы ядерного реактора необходимо, чтобы в расщепляющихся материалах такие опаснь е примеси, как бор, кадмий и другие, содержались в количествах, не превышающих миллионных долей процента. Чистый цирконий — од и н . лучших конструкщюпных материалов для атомных реакторов — становится совершенно непригодным для этой цели, если в нем содержится даже незначительная примесь гафния. В используемом в качестве полупроводника германии допускается содержаьгие не более одного атома фосфора, мышьяка или сурьмы на десять миллионов атомов металла. В жаропрочных сплавах, широко при-меняе.мых, напрнмер, в ракетостроении, совершенно недопустима даже ничтожная примесь свинца или серы. [c.524]

Здесь следует отметить исследования С. 3. Рогинского и Ф. Ф. Волькенштейна [Труды Всесоюзного совещания по катализу. Изд. АН УССР, Киев, 1950, стр. 9 обзор, см, С. 3. Рогинский, Хим. наука и промышленность 2, 138 (1957)], явившихся пионерами в разработке теории катализа на основе теории полупроводников. — Прим. ред. [c.336]

Исследование электрических свойств ОагТез с небольшими добавками меди дало следующие результаты. Оказалось, что примесь меди в количестве от 10 до 10 атомн.% (на число атомов галлия) сильно влияет на свойства вещества. Период решетки увеличивается на 2,7%, ширина запрещенной зоны яадает, вещество перестает быть полупроводником. Пока еще пет простого объяснения этому явлению [375]. [c.150]

При анализе следовых примесей необходимо применять достаточно чувствительный детектор. Обычный катарометр не пригоден для анализа загрязнений, содержание которых составляет менее 1000 ч. на млн. В связи с этим индикаторную проволочку катарометра часто заменяют термистерами. Детектор на термистерах хорошо зарекомендовал себя на практике. Он позволяет обнаружить примесь в количестве 10 ч. на млн. Из-за термической нестабильности работы полупроводников подобный катарометр нельзя нагревать выше 100°. Для определения следов, концентрация которых ниже 10 ч. на млн., необходимо или прибегнуть к обогашению, или перейти к более чувствительным детекторам. Прямой анализ микро- [c.117]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология