Легирование пленок

Высокие защитные свойства анодных легированных пленок в высокоминерализованных растворах сохраняются вплоть до напряжений в металле, соответствующих пределу текучести основного материала. [c.137]

В температурном диапазоне от 170 до 77К зависимость проводимости характеризовалась спрямлением кривой в координатах log(0) - (1/Т)", где п -уменьшалось с толщиной для чистых пленок и оставалось приблизительно постоянной около 0.5 для легированных пленок. [c.157]

Удельное сопротивление алмаза р зависит от содержания бора в пленке и с ростом его может меняться от, например, Ю Ом см (в умеренно легированных образцах при содержании бора в алмазе порядка Ю см ) до десятых и даже тысячных долей Ом см (в сильно легированных пленках при содержании бора 10 см ). Соответственно, алмаз, начиная от диэлектрика, последовательно приобретает свойства полупроводника, вырожденного полупроводника и далее полуметалла. [c.12]

В том, что относится к спектроскопии импеданса алмазных электродов, наиболее ярко проявляются две черты влияние полупроводникового характера алмаза (для умеренно легированных пленок) и особый тип частотной зависимости импеданса, характерный для абсолютного большинства алмазных электродов. [c.27]

Первая попытка ионного легирования пленок теллурида кадмия индием и кадмием оказалась неудачной [101, 102]. Процесс ионного легирования осложняется испарением легколетучих соединений типа л"в в момент бомбардировки ионами, а также тем, что при отжиге радиационных нарушений, возникающих в момент бомбардировки, происходит электрическая самокомпенсация внедренных примесей. [c.51]

Рис. 13.32. Температурные зависимости микротвердости пленок 1 — монослойная пленка 2гЫ 2 — монослойная пленка Т1Ы 3 — 10-слойная пленка ZrN/TlN , 4 — легированная пленка (2г Т1)Ы 5 — 20-слойная пленка 2гМ/Т1М [50]

Изучаются возможности создания солнечных элементов с применением ионного осаждения. Легирование пленок галлием позволяет значительно изменить их удельное электросопротивление. Ионное легирование проводится на установках ионной имплантации, в которые также входит большое количество разнообразной вакуумной аппаратуры турбомолекулярных и крионасосов и вакуумных измерительных приборов. [c.47]

Лакшман (1963 г.) исследовал влияние легирования индием или медью на спектральную зависимость пропускания пленок Сс10, полученных реактивным распылением. Этим же методом он получил стабильные пленки сульфидов кадмия, свинца, меди, олова и молибдена площадью свыше 50 см Удельное темновое сопротивление пленок сульфида кадмия обычно находилось в пределах 10 —10 Ом-см. Легирование пленок в процессе нанесения при- [c.502]

Геометрическую емкость Сд можно вычислить по формуле плоского конденсатора, в которую следует подставить толщину пленки ё, и диэлектрическую проницаемость алмаза е = 5,7. Для пленок микрометровой толщины геометрическая емкость очень мала порядка 10 Ф см соответствующий импеданс по порядку величины превышает сопротивление пленки (за исключением очень слабо легированных пленок), и им можно пренебречь. Тогда мы получаем более простую эквивалет-ную схему из трех элементов (рис. 12 6), которая известна, как схема Рэндлса—Эршлера [98]. Существенным моментом в таком рассмотрении является то, что все элементы в схемах на рис. 12 а, 6 считаются не зависящими от частоты. [c.28]

В наших экспериментах с окисью цинка мишень легировалась атомами цинка к серебра о помощью атомных пушек, встроенных в тот же реактор (рис.З), в котором проводились опыты по рассеянию Н-атомов. С помощью атомарного пучка 2п-атомов или Ай-атомов, интенсивность которого мягко регулировалась, при комнатной температуре мишени достигалось постепенное и контролированное легирование пленки - мишени, совмещенные в этом же опыте с измерениями рассеивающей способности К-атомов легированной мишени. Из рис.4 ввдно, что при малых степенях легирования мишени 211-атомами спорость хемосорбции Н-атомов уменьшается, а степень рассечнря. [c.272]

Рис. 3. Зависимость плотности дефектов упаковки ( д.у) в легированных пленках германия от молярной концентрации ВС1з при различных концентрациях ОеС в исходной газовой смеси

Удельное сопротивление легированных пленок поликремния зависит как от концентрации и вида легирующих примесей, так и от структуры пленок Основной контроль концентрации легирующей примеси в поликремниевой пленке связан с контролем ее потока (Q) в процессе осаждения. Чем больше поток, тем выше концентрация легирующей примеси и, соответственно, меньше удельное сопротивление Si пленок. [c.115]

Отжиг в течение 30 мин при Т = 850°С в воздухе также уменьшает удельное сопротивление легированных пленок поликремния за счет перевода атомов легирующей примеси в электрически активное состояние. Скорость осаждения пленок поликремния легированных фосфором и мышьяком уменьшается с увеличением потоков РН и AsH , тогда как скорость осаждения пленок Si [B] повышается с увеличением потока [c.116]

Одним из наиболее простых путей получения диэлектриков с НДП на основе кремния является легирование пленки силикатного стекла фтором в процессе осаждения в обычных процессах ХОГФ на основе силана и ТЭОС в стандартных трубчатых или планарных [c.136]

Для пленок 1 -г 3 и 5 твердость уменьшается при отжиге пленки, что можно связать с ростом нанокристаллитов, входящих в пленку. Для легированных пленок 4 характерен рост твердости пленки с ростом тем- [c.442]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология