Поведение при отжиге

Неравновесный характер полимерных кристаллов и наличие в них многочисленных дефектов различного характера создает большие возможности для совершенствования образовавшейся при кристаллизации структуры в процессе отжига. В книге предпринята попытка дать общую характеристику протекающих при отжиге процессов и с этих позиций проанализировать поведение при отжиге различных кристаллических полимеров. В результате этого анализа становится очевидно, что несмотря на значительный объем экспериментальных и теоретических работ, эта область физики кристаллического состояния полимеров остается, пожалуй, наименее изученной. [c.7]

Поведение при отжиге некоторых монокристаллов со сложенными цепями [c.484]

Таблица 7.3 Поведение при отжиге некоторых образцов, закристаллизованных из расплава

Поведение при отжиге некоторых ориентированных макромолекулярных образцов [c.520]

Большой интерес представляет исследование тонкой структуры монокристаллов. На основании результатов рентгеновских, дилатометрических, калориметрических и других измерений можно сделать некоторые выводы о характере распределения менее упорядоченных участков в кристаллическом полимере (например, полиэтилене). Согласно этим данным неупорядоченные области располагаются на поверхности складывания пластин полиэтилена, где цепные молекулы упакованы не так плотно, как внутри пластины. Существенную информацию о структуре монокристаллов дает исследование их поведения при отжиге на различных подложках [c.65]

Изучение электронной бомбардировки кремния показало, что при этом образуется несколько типов дефектов с очень сложным поведением при отжиге, которое только частично изучено в настоящее время. При использовании электронного парамагнитного резонанса для выяснения структуры [37] было установлено, что один из образующихся дефектов состоит из атома кислорода, присутствующего в виде примеси в кремнии, внедрившегося в междоузлие решетки и занимающего место рядом с вакансией в решетке, образованной под действием облучения. Другой дефект состоит в расположенных рядом вакансии решетки и примеси фосфора. При облучении электронами (1,5 Мэе) при 10° К легированного алюминием кремния был недавно идентифицирован особенно интересный дефект [38]. Концентрация алюминия была порядка 10 %, скорость образования дефектов была поразительно велика — примерно 0,03 дефект/см /электрон/см , что указывает на исключительно сильное влияние даже таких малых концентраций примеси на процесс радиационного разрушения. При помощи электронного парамагнитного резонанса [c.48]

Зная время и температуру, необходимые для размывания дислокационных петель, можно оценить энергию активации диффузии вакансий. Оценки дали величину Qd — 5,25 эВ для Т1Со,э7- Последующие исследования этих же авторов показали, что Qd является функцией состава и убывает с уменьшением концентрации углерода. Основной механизм влияния отжига, таким образом, сохраняется во всей области гомогенности Ti i , но необходимая температура понижается с отклонением состава от стехиометрического. Интересно отметить, что три процесса — диффузия титана, ползучесть и поведение при отжиге — имеют почти одинаковую энергию активации [3]. Это, по-видимому, позволяет предположить, что процессы ползучести (крипа) и отжига определяются диффузией титановых вакансий. [c.162]

Работа с медью была, вероятно, наиболее исчерпывающей изучение отжига облученной меди ясно показало ваншость высокой чистоты материала. Образовавшиеся при облучении дефекты могут взаимодействовать с примесями, причем места расположения примесей становятся ловушками для дефектов, и это, конечно, сказывается на поведении дефектов при отн иге. Так, при концентрации дефектов 10 %, если дефекты взаимодействуют только между собой или решеткой, требуется, чтобы концентрация примесей была существенно меньше эксперименты с менее чистой медью, содержащей 10 % примесей, показали существенную разницу в поведении при отжиге (при содержании дефектов, вызванных облучением, 10" %) от поведения очищенного зонной плавкой материала [39]. Эксперименты, в которых умышленно добавляли к меди различные примеси (в сравнительно высоких концентрациях), ясно показали взаимодействие между примесями и дефектами, индуцированными облучением. [c.49]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология