Вакансии в решетке

При жестком облучении нейтронами или другими высокоэнергетическими частицами кристаллическая решетка металла претерпевает изменения, напоминающие те, что происходят при глубокой холодной деформации. Появляются вакансии в решетке, межузельные атомы, дислокации это увеличивает скорость диффузии специфических примесей или легирующих компонентов. В процессе облучения может происходить локальное повышение температуры — так называемый температурный пик . Существуют два типа пиков термические, при которых практически все атомы остаются на своих местах в решетке, и пики смещения, когда множество атомов перемещается в междоузельные положения. [c.154]

Структура агрегативно устойчивых высококонцентрированных дисперсных систем подобна кристаллической решетке, особенно если все частицы системы сферические и одинакового размера. Фиксация пространственного положения частиц здесь обусловлена их стесненностью, т. е. отсутствием свободного объема среды. Течение такой системы возможно при наличии вакансий в решетке частиц, т. е. не занятых частицами узлов, а также других дефектов решетки. [c.158]

При образовании дефекта по Френкелю ионы, испытывающие время от времени большие смещения под влиянием тепловых флуктуаций, покидают свои правильные положения в узлах и переходят в междоузлие, результатом чего является возникновение вакансии в решетке. Междоузельный ион и вакансия теряют связь друг с другом и свободно движутся в кристалле первый по междоузлиям, вторая по своей подрешетке. При встрече междоузельные ионы и вакансии могут рекомбинировать друг с другом. [c.191]

Таким образом, при наличии Л о вакансий в решетке энергия Гельмгольца, зависящая от разупорядоченности дефектной решетки, [c.273]

ПОЛЯ. На эту картину накладываются ограничения общего порядка, характерные для любого агрегатного состояния и заключающиеся в наличии химического взаимодействия между основным веществом и диффундирующей примесью. В зависимости от типа диффузионного смещения можно представить следующие основные виды механизма диффузии 1) обмен местами (по узлам решетки) 2) прямая диффузия по междоузлиям 3) диффузия по вакансиям в решетке. Эти варианты могут встречаться в различных комбинациях. [c.155]

Рост пленок с дырочной проводимостью путем диффузии катионов по катионным вакансиям в решетке с одновременным перемещением электронов в направлении к границе оксид—газ. По этому способу растут пленки РеО, NiO, СоО. [c.20]

Данные полосы были приписаны структурным некислотным гидроксилам, связанным с вакансиями в решетке цеолита. , [c.528]

Следует иметь в виду, что формальное применение соотношений (3.12.12) и (3.12.13) к системам с большой концентрацией вакансий (со > п) дает физически неразумное соотношение между частотой скачков и скоростью деформации — скорость сдвига оказывается больше частоты скачков. В рамках описываемой модели это означает, что при этом длина одного скачка оказывается в со / и раз больше периода решетки, что маловероятно. Отсюда следует, что применимость рассматриваемой модели ограничена умеренно малой долей (со/и) вакансий в решетке дефектной ПКС. В системах с высокой концентрацией вакансий регулярность расположения частиц сильно нарушается, и более адекватной моделью такого состояния системы становится ее представление в виде рыхлой коагуляционной сетки. [c.693]

Из сказанного ясно, что движение дислокаций переползанием связано с массопереносом вещества — диффузией атомов (и соответственно вакансий) в решетке. Это требует дополнительной энергии активации, поэтому движение переползанием является более трудным, чем движение скольжения, осуществляется более медленно и только при сравнительно высоких температурах, обеспечивающих энергичное тепловое движение частиц. Из описанного механизма движения дислокаций переползанием следует, что подобное движение сопровождается образованием вакансий или, наоборот, их исчезновением, другими словами, дислокации могут являться источником или ловушкой ( стоком ) вакансий. [c.95]

Хотя многие детали этих экспериментов и теорий еще не вполне определились, картина в основном ясна. Хемосорбция на таких окислах происходит в ионной форме хемосорбируемые количества могут зависеть от типа и концентраций вакансий в решетке, а малые количества загрязнений — сильно влиять на адсорбцию газов. [c.199]

Обозначим атомы растворителя А, внедренные атомы С, вакансии в решетке внедрения V. Число узлов решетки внедрения с чисел атомов [c.432]

Снова целесообразно рассмотреть раствор вакансий V в решетке внедрения. Будем считать, что вакансии в решетке замещения имеют второстепенное значение. Для каждой решетки имеется два типа координационных чисел. Величинами X и г обозначим соответственно числа ближайших узлов решетки замещения и внедрения соответственно, окружающих узел решетки замещения, а величинами Л и г - числа ближайших узлов решетки замещения и внедрения, окружающих узел решетки внедрения. Можно показать, что отношение г числа узлов решетки внедрения NJ к числу узлов решетки замещения равно отношению г н 2 , т.е. что [c.435]

Таким образом, при наличии Ыщ вакансий в решетке [c.112]

Например, при появлении анионной вакансии в решетке снижается плотность отрицательного заряда в той области катионной подрешетки, которая расположена вокруг этой вакансии. Это снижает на величину и (рис. 28) энергию электронов для соответствующей области дефектной решетки. Так как дефекты решетки локализованы в пространстве, уровень е на рис. 28 является локальным уровнем, в то время как нахождение электрона в зоне проводимости означает просто его принадлежность к катионной подрешетке, по которой электрон движется с постоянной скоростью. В связи с тем, что при образовании вакансии из решетки удаляется не анион, а нейтральный атом, остающийся электрон захватывается катионной подрешеткой. Электрон в основном состоянии занимает уровень е , так как это отвечает наинизшему уровню энергии электрона в катионной подрешетке. При термическом возбуждении электрон может покинуть локальный уровень е и перейти в свободную зону. [c.137]

На основании этих данных можно сделать вывод, что избыток кислорода появляется вследствие образования вакансий в решетке железа, а не Б результате внедрения ионов кислорода в. междуузлия и, следовательно, вюстит относится к типу IV. На каждую вакансию Ре приходится два иона Ре ". Этим [c.70]

Механизм проводимости закиси меди является результатом общего дефицита электронов, имеет полупроводниковую природу (электрическая проводимость возрастает е ростом температуры) и относится к р-типу, т. е. зависит от положительных Последние не следует смешивать с незанятыми катионными вакансиями, которые являются дырами в смысле вакансий в решетке, тогда как положительные дыры относятся к незаполненным зонам проводимости в самой наружной зоне Бриллюэна окисла. Схематическое расположение ионов в структуре закиси меди представлено на фиг. 9. [c.31]

ПИИ с образованием вакансий в решетке. Нестехио-метрию в кристаллах можно также связывать с различными типами вакансий в решетке. [c.32]

Имеется по крайней мере три общепризнанных механизма образований вакансий в решетках. Эти механизмы рассмотрены на примере строения простого ионного кристалла (рис. 5), но подобные явления могут иметь место и в кристаллах других видов. Одним из возможных путей образования вакансий является перемещение иона из его нормального положения в решетке в некоторое промежуточное положение. Такие вакансии называются дефектами по Френкелю [14]. (рис. 6). Вторая возможность образования вакансий — дефекты по Шоттки [26] — состоит в перемещении [c.32]

Природа высоких скоростей ионного транспорта в рассматриваемых твердых электролитах окончательно не выяснена. Не вызывает, однако, сомнения тот факт, что причина кроется в особой кристаллической структуре этих соединений. Так, в структуре наиболее изученного твердого электролита a-AgI ионы 1- образуют плотноупакованную объемно-центрированную кубическую решетку, в пустотах которой размещаются ионы Ag+. На каждый ион Ag+ приходится 21 практически эквивалентное место. Таким образом, число катионных вакансий в решетке зна чительно больше числа катионов. Подрешеткч катионов серебра оказывается сильно разупорядоченной. Подобная разупорядочен- [c.109]

Уравнение (VIII.45) имеет такой же вид, как и уравнение константы равновесия обычной химической реакции. Аналогичен и физический смысл этих соотношений. Образование дефектов увеличивает энтропию кристалла, но требует затраты энергии. Как для всякого эндотермического процесса, повышение температуры сдвигает равновесие в сторону образования дефектов. Результаты статистических расчетов оказались идентичными с термодинамическими выражениями для констант равновесия процессов разупорядочения. При записи подобных констант структурные элементы кристаллов рассматриваются как независимые компоненты, а процесс разупорядочения записывается как уравнение химической реакции. Поэтому этот метод получил название ква-зихимического. Образование вакансий в решетке можно рассматривать как растворение вакуума в кристалле, приводящее к увеличению общего числа узлов решетки (см. рис. 57, а) [c.274]

Квазихимическая реакция образования вакансий аналогична гетерогенным химическим реакциям, при которых в одной из фаз при данной температуре энтропия постоянна, а в другой зависит от концентрации. В данном случае к изменению энтропии приводит изменение концентрации вакансий. Если через х обозначить мольную долю вакансий в решетке, то для процесса (VIII.46) в полном соответствии с уравнением (VIII.45) константа равновесия при малых значениях х равна [c.274]

Р-центры. Принято считать, что избыточные атомы щелочного металла располагаются в кристалле галогенида щелочного металла в нормальных, естественных для щелочного иона положениях в решетке. Следовательно, для обеспечения этого процесса в решетке должно создаваться соответствующее число вакантных узлов, занятых до их освобождения отрицательными ионами (их называют анионными вакансиями). Отрицательные ионные вакансии в решетке, которая, если не считать наличия этих вакансий, является идеально периодической, ведут себя электростатически, подобно положительным зарядам, так что электрон, движущийся вокруг отрицатб льной ионной вакансии, можно качественно уподобить водородному атому. Вот такое образование, состоящее из электрона и удерживающей его отрицательной ионной вакансии, и называют [c.423]

В результате дальнейшей термической обработки при 500— 600 °С цеолит теряет 1 молекулу воды, образовавшуюся из 2 соседних ОН-групп, или 1 молекулу воды на каждые 2 тетраэдрически координированных атома алюминия. Удаление воды сопровождается потерей атомов кислорода вблизи положений 8110(3)] и образованием вакансий в решетке. Предполагается, что соседние атомы алюминия и кремния имеют тенденцию к образованию 5р -конфигурации с оставшимися 3 атомами кислорода. После частичного дегидроксилирования остающиеся ОН-группы на 0(2) вблизи положений 8 могут обладать более сильными кислотными свойствами вследствие индукционного взаимодействия с расположенным рядом дефектом решетки. Безусловно, возможны и иные схемы, основанные на других типах расположения атомов в каркасе цеолита и включающие 0(1) атомы. [c.489]

На основании химического анализа и параметра кристаллической решетки хромшиинелидов, выделенных из этих руд, вычислено количество вакансий в решетке хромшиинелидов. [c.104]

Модель центральных атомов может быть легко распространена на многокомпонентную систему, в состав которой входят I компонентов замещения и т - I компонентов внедрения. Теперь конфигурация вокруг центрального атома / должна характеризоваться числом ближайших атомов компонентов замещения к к изменяется от 2 до Г) и числом ближайших атомов компонентов внедрения / (/ изменяется от + 1 до т ). Вакансии в решетке внедрения могут рассматриваться как (т + 1)-ый растворенный компонент, и можно предположить, что в решетке замещения вакансий нет. Для случая, когда зависимость потенциальной энергии центрального атома J от чисел и / предполагается линейной, модель разработана Фу и Люписом [21]. Математический аппарат модели несколько громоздкий, и мы изложим только схему вывода. Результаты будут представлены в объеме, который используется в приложениях. [c.443]

Условия для существования примесных центров могут быть созданы различными способами, (а) Замещение атома основной решетки на элемент с нормально большей валентностью вызывает появление избыточного положительного заряда и связанного с ним электрона. Наиболее ярким примером примесей этого типа являются примеси в германии и кремнии. В ряду углерод, кремний и германий образуются ковалентные структуры с алмазной решеткой. Тепловое воздействие посредством фононного механизма может вызывать появление собственной проводимости в этих веществах. Однако если элемент с валентностью, которая нормально больше четырех, замещает атом в такой решетке, то плотность его электронного облака будет стремиться принять тетрагональное распределение, характерное для алмазной решетки. Чтобы была достигнута такая форма распределения электронного облака, элемент образует частично ионные связи, причем получается однократно заряженный ион совместно с квазисвободным электроном, расположенным около атома примеси. Энергия связи этого электрона меньше энергии связи в вакууме в К раз, где К — диэлектрическая постоянная среды. Следовательно, такие дефекты в основном ионизированы. Это характерно для полупроводников п-типа. (б) Замещение атома в решетке полуметалла на элемент с валентностью, нормально более низкой, производит эффект, обратный только что рассмотренному. Для того чтобы распределение электронного облака было близким к тетрагональному, элемент должен приобрести добавочный электрон, который он получает из кристаллической решетки вблизи от своего местоположения. В результате образуется положительная дырка, локализованная около атома примеси. Как и ранее, энергия связи положительных дырок станет меньше в К раз и, следовательно, дырки будут в основном ионизированы. Это типично для примесных дырочных полупроводников, (в) Вакансии в решетке и атомы или ионы в междуузлиях. Так как дефекты решетки подробно рассматриваются в другой главе этой книги (гл. 2), мы остановимся только на отдельных моментах. [c.171]

О процессах, предшествующих образованию зародышей, судят обычно на основании результатов изучения фотохимических реакций (см. гл. 3,13). Соответствующие данные, полученные при измерении термического разложения, довольно скудны. В ряде случаев еще до образования зародышей наблюдается начальное разложение на поверхности, сопровождаемое возникновением вакансий в решетке, обычно анионных. Эти вакансии могут быть неподвижными, мигрировать по поверхности или при благоприятных условиях — проникать внутрь кристалла. Указания на образование зародышей за счет агрегации таких вакансий были получены главным образом при исследовании фотодиссоциации А Вг и при термическом разложении ВаН,,, Ь1Л1Н4, Hg( NO).J и KNз. Разложение каждого из этих твердых веществ будет рассмотрено в отдельности. [c.310]

Поверхностная реакция наблюдается при выделении газа с образованием вакансий в решетке. Эти вакансии могут либо локализоваться вблизи поверхностных нарушений, либо распространяться по всей поверхности или диффундировать внутрь объема. Зародыши новой твердой фазы возникают, по-видимому, при агрегации вакансий. Детали механизма образования зародушей зависят от степени подвижности вакансий. Вакансии обычно являются анионными и состоят из положительных пробелов и электронов. Последние улавливаются как парами, так и в отдельности на поверхности или в дислокациях внутри кристалла. Обычно зародыши образуются на поверхности, но в случае AgBг могут образовываться вдоль внутренних границ кристаллических зерен. [c.313]

Наконец, Доусон и Фоллет пришли к выводу, что вакансии в решетке должны быть участками, на которых начинается окисление облученного графита, поскольку в использованных образцах имеется приемлемое количественное соотношение между [c.161]

Напомним, что в уравнениях (1,37)—1(1,40) Л1/1о — величина усадки О —относительная плотность >ь и >ь—соответственно кoэффIIциeвtы объемной диффузии и диффузии по границам- зерен — величина, равная половине толщины границы между зернами А —объем вакансии в решетке г—радиус поры / — размер зерна Т — абсолютная температура — постоянная Больцмана t — время. [c.62]

Существует два вида вакансий в решетке кристалла (см. рис. 6 и 7) 1) вакансии, соответствующие узлам решетки, — дефекты по Шоттки 2) атом может мигрировать из узла решетки в междууз-лие, образуя вакансию и промежуточный атом — дефекты по Френкелю. [c.86]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология