Облучение электронами

При облучении вещества электронами энергия отдается атомами малыми порциями, недостаточными для того, чтобы первично выбитый атом мог вызвать дальнейшие смещения. Таким образом, в результате рассеяния электронов могут создаваться лишь одиночные дефекты [пары Френкеля — вакансия и межузельный атом (см. гл. V) 1. Облучение вещества 7-лучами по результатам близко к облучению электронами. Это происходит потому, что у-лучи взаимодействуют с атомами облучаемого вещества не непосредственно, а через первоначальное образование быстрых электронов, которые в свою очередь воздействуют на атомы через упругие столкновения. Особенностью 7-облучения является то, что благодаря малому поглощению в веществе глубина проникновения 7-лучей и, следовательно, глубина повреждения вещества существенно больше, чем в случае облучения пучком электронов. Разумеется, при этом интенсивность воздействия соответственно меньше. [c.212]

Практически всем диэлектрикам, в том числе полимерам, присуще электретное состояние, характеризующееся наличием поверхностных зарядов и возникающее при воздействии на полимер таких внещних факторов, как электрическое поле повышенной напряженности, облучение электронами, ионами [58]. [c.253]

Различным диэлектрикам, в том числе и некоторым полимерам, присуще электретное состояние, характеризующееся наличием поверхностных зарядов и возникающее при воздействии на полимер таких внешних факторов, как электрическое поле повышенной напряженности, облучение электронами и ионами. Электреты представляют собой электрические аналоги постоянных магнитов и в окружающем их пространстве создают постоянное электрическое поле. Они являются постоянно поляризованными диэлектриками, имеющими на противоположных поверхностях заряды разных знаков, причем последние могут быть как связанными, так и свободными. Физические свойства электретов существенно зависят как от особенностей диэлектриков (их полярности и электропроводности), так и от режима изготовления (например, напряженности поля, температуры и времени поляризации). [c.193]

В последнее время началось изучение восстановления комплексных соединений и в том числе комплексных соединений Pt (IV) в растворе и в твердом состоянии под действием облучения электронами. Не зная сложного механизма восстановления, можно утверждать, что и в этом случае оно идет через соединения двухвалентной платины. [c.139]

Взаимодействие пропана с этиленом изучали также в описанной выше специальной камере высокого давления, применяя облучение электронами (14. 10 ра5/ч), полученными в ускорителе Ван-де-Граафа. К сожалению, не были точно воспроизведены условия (за исключением параметров облучения), которые применялись в работах по облучению в ядерном реакторе. Однако при 399° С, общем избыточном давлении 10,5 ат и продолжительности реакции 1 мин была достигнута степень превращения сырья около 2% вес. Продукт содержал 13% i + Са, 28% пропилена, 20% бутена и 39% изопентана. Избирательность в этом опыте и в опытах по радиационному алкилированию при 399° С в ядерном реакторе (табл. 6) несколько различалась, но, вероятно, гораздо важнее отметить обнаруженные сходства. Поскольку геометрические (отношение поверхность объем) и прочие параметры реактора неизбежно отличались от применявшихся в работах, результаты которых показаны в табл. 6, возможно только качественное сравнение облучения электронами с другими методами инициирования. [c.131]

В некоторых специальных случаях взаимодействие электронов в твердом теле может быть непосредственно или косвенным образом визуализировано. Некоторые пластмассы, например, такие, как полиметилметакрилат (ПММА), претерпевают химические изменения под действием электронной бомбардировки, и материал становится чувствительным к травлению в соответствующих растворителях [17]. На рис. 3.4 приведены результаты эксперимента, в котором область взаимодействия косвенным образом выявилась с помощью такого травления. Скорость травления контролировалась дозой облучения (электрон/см ), [c.28]

СЯ В виде разрыва структуры. Повреждения под действием пучка могут произойти, когда облучение электронным пучком вызывает нежелательный локальный нагрев. Когда это происходит на образце, могут возникнуть пузыри, блистеры или трещины, можно заметить движение или даже дезинтеграцию. В простейшем виде такое повреждение проявляется в виде светлого и темного квадрата на поверхности образца, обусловленного растром. Это проявление не следует смешивать с загрязнением, которое может вносить свой собственный набор артефактов и проблем в интерпретации. Разрушение под действием пучка можно уменьшить за счет снижения энергии, поступаемой в образец, хотя это может также ухудшить оптимальные рабочие параметры прибора. Другим обычным артефактом является зарядка образца несмотря на то что обычно это явление проявляется в виде аномально ярких областей на образце, эффект пробегает всю гамму от маленьких вспышек на изображении до сильно искаженных и неузнаваемых изображений. В работе [386] приводится полезное обсуждение связанных с зарядкой артефактов, дается объяснение того, как они возникают, и предлагаются способы, с помощью которых их можно избежать. [c.264]

Если ускоряющий потенциал достаточно велик, то электрон может быть выбит из атома или молекулы этот потенциал называют потенциалом ионизации. Потенциал ионизации атома или иона можно рассчитать из спектроскопических данных, так как этот потенциал соответствует пределу сходимости (разд. 12.6). Полученный таким образом однократно заряженный положительный ион может быть ионизован далее облучением электронами с еще более высокой энергией, т. е. второй, третий,. .. и т. д. потенциалы ионизации соответствуют выбиванию второго, третьего,... и т. д. электронов. [c.401]

Методом импульсного радиолиза подробно изучены реакции частиц, возникающих в воде при ее облучении электронами атомов водорода, радикалов гидроксила и НО2 . Исключительно ценные данные получены о реакциях гидратированного электрона с разнообразными ионами, радикалами и молекулами. При захвате электрона ароматической молекулой образуется анион-радикал, реакции с их участием также изучены методом импульсного радиолиза. [c.204]

Очевидно, что при искровых разрядах комбинируются различные виды физического воздействия, включая электронную бомбардировку, плазменные струи, ударные волны и др. По этой причине химическим процессам в искровых разрядах характерны некоторые элементы электрохимии (например, прохождение электрического тока через жидкости и низкие напряжения), фотохимии (наличие ультрафиолетового облучения), электронно-лучевой технологии (электронная бомбардировка), радиационной химии [c.99]

Рис. 45. Зависимость проводимости алмазного порошка от времени синтеза при 950° С 1 — исходный 2 — облученный 7-лучами 3 — облученный электронами

Нейтронное облучение Нейтронное облучение+нагревание Облучение электронами [c.85]

При УФ облучении электрон переходит на НСМО, ее симметрия -(ВЗМО) - начинает определять возможность циклизации связывание концевых л-АО достигается только в конротаторном процессе, что однозначно ведет к цис-изомеру. [c.131]

Согласно данным [181], электреты из иленок сополимера тетрафторэтилена с гексафторпропиленом, полученные облучением электронным пучком, более стабильны по сравнению с электретами, полученными в коронном разряде. Однако, согласно данным других исследователей, нет существенной разницы в стабильности электретов из фторсодержащих пленок, полученных электронным облучением, бомбардировкой ионами или в коронном разряде. [c.197]

Радиолиз метана. Выход продуктов при облучении электронами 1,7 МэВ Осн, = 7,б Сн, = 5,7 Ос.н. == 0,05 С с,н. = 2,1 Сс1Н, = 0,14 Сс,и, = 0,04. [c.210]

Радиолиз метана. Выход продуктов при облучении электронами 1,7 МэВ <3сн4 — 7,6 Он, = 5,7 Ос,н, = 0,05 бс,н, 2,1 Ос,н, = [c.263]

Оба метода (прямой и косвенный) имеют преимущества п недо-счатки, и выбор метода зависит прежде всего от целей исследования. При исследованиях по методу реплик изменения препарата под деймвием электронов минимальные и изображения получаются с хорошим контрастом, однако при этом методе несколько снижается разрешающая способность микроскопа (по отношению к первоначальному объекту). Основное преимущество прямых методов исследования заключается в том, что они обеспечивают максимальное разрешение. Кроме этого, с помощью специальных приспособлений прямые методы позволяют наблюдать поведение объекта при различных воздействиях на него непосредственно в колонне электронного микроскопа (деформация, на1 ревание, охлаждение и др.) и микродифракцию. Однако контрастность изображения при прямых методах исследования, как правило, незначительна, а изменение объекта при облучении электронами не всегда возможно предотвратить. [c.175]

Локализация возбуждений. Дырки в рассматриваемых ИМК претерпевают а) автолокализацию в регулярном анионном узле за счет электронно-колебательного взаимодействия б) локализацию на дефектных анионах в) автолокализацию на двух соседних анионах за счет электрон-фононного взаимодействия, образуя (ХО )2, аналогичные Ук-центру в ЩГК. Какой из них превалирует, зависит от химической природы аниона и связанной с ней структуры аниона и кристаллической решетки, а также температуры облучения. Электроны же, как правило, локализуются на регулярных анионных узлах. Возможность локализации термализованных зарядов в ИМК определяется, во-первых, симметрией кристаллической [c.97]

Эти методы дозиметрии применялись при облучении в ядерном реакторе-(система с метаном использовалась также при облучении электронами или кобальтом-60). Результаты обычно отклоняются от показаний, полученных другими методами, в пределах 25%. При облучении в ядерном реакторе, интенсивность которого достигала 20—60 Мрад/ч, такие отклонения не имеюг существенного значения и внолне компенсируются удобством измерения.. При работах с кобальтом-60 низкой интенсивности, разумеется, удовлетворительные результаты дают обычные дозиметры. [c.124]

Ароматические П. отличаются высокой радиац. стойкостью. Так, пленки из поли-4,4 -дифениленоксидпиромел-литимида сохраняют хорошие мех. и электрич. характеристики после облучения электронами высокой энергии дозой 10 МДж/кг (пленки из полистирола и полиэтилентерефталата становятся хрупкими после облучения дозой [c.628]

Практически вссм диэлектрикам, в том числе и полимерным, присуще электретное состояние, т. е. такое, при котором иа поверхности диэлектрика возникают поверхностные заряды под влиянием вне1лних факторов, таких как электрическое поле, облучение электронами, нонами и др. Свойства полимерных электретов характеризуются эффективной плотностью зарядоз Оэф н временем жизни электрета т. Значения электретов [c.387]

Биологический материал обладает высоким электрическим сопротивлением порядка 10 Ом/м и быстро заряжается под действием облучения электронным пучком высокой энергии. Проводимость биологического материала может быть существенным образом повышена за счет добавки тяжелых материалов или неметаллических проводящих материалов либо в виде тонкого слоя на поверхности образца, либо заполнением всего материала солями тяжелых металлов. А4етодики нанесения покрытий достаточно подробно обсуждались в гл. 10, здесь же будут кратко изложены альтернативные методы. [c.256]

Пирроны — термостойкие, неплавкие, нерастворимые полимеры, способные к эксплуатации при температурах 300 °С и выше. Потеря массы полимером начинается лишь при 450 °С. Для пирронов характерны высокие абляционные характеристики. Они способны длительно противостоять потоку нагретого до высокой температуры воздуха, обдувающего полимер с высокой скоростью. Прочностные свойства пирроновых пленок не ухудшаются после облучения электронами с энергией 2—3 МэВ при дозе облучения ЮОООМрад, в то время как пленки из полиэфиров разрушаются при дозе 200 Мрад [341. [c.128]

В 1912 г. Дж. Дж. Томсон с помощью масс-спектро-метра обнаружил, что недавно открытый газ неон после облучения электронами дает два вида газообразных катионов один с атомной массой около 20, второй — около 22. Такие атомы с разной массой, но занимающие одно место в Периодической системе, были названы изотопами (от греческих слов iso — такой же и topos — место). Позже выяснилось, что все известные элементы имеют два или более изотопов. В некоторых случаях, например, у А1 и Аи, в природе встречается лишь один изотоп, а остальные изотопы неустойчивы и могут быть получены только искусственным путем. Наибольшее число устойчивых изотопов (десять) у олова. Открытие изотопов позволило решить сразу две проблемы выбрать шкалу [c.105]

Для увеличения доступности целлюлозы к действию ферментов предлагали различные химические и физические способы предварительной обработки, которые рассмотрены в обзоре [125]. Кроме упомянутого выше предгидролиза, в процессе осахаривания древесины можно применять, например, набухание в растворах щелочей или аммиака, пропаривание, обработку газообразным диоксидом серы или его раствором [78]. Эти способы могут оказаться полезными и для получения кормовых добавок из древесины лиственных пород (осиновых или буковых опилок) [36, 85, 106], Рекомендуют также растворять целлюлозные материалы в кадоксене или ЖВНК, а затем осаждать аморфную целлюлозу, которая оказывается более реакционноспособной и легче гидролизуется ферментами [114]. Из механических и других физических способов предварительной обработки можно назвать размол в вибромельнице [126, 141, 166, дефибрирование [174] и облучение электронами [5]. У целлюлозы снижают степень кристалличности и степень полимеризации, что приводит к увеличению скорости гидролиза и выхода его продуктов. Однако из-за высокого расхода энергии все эти способы в настоящее время неэкономичны. [c.410]

Выше были рассмотрены спектры ЭПР А1- и Ое-центров, возникающие под действием ионизирующей радиации. В настоящем разделе будут приведены данные по ЭПР и оптической спектроскопии радиационных дефектов, образующихся под действием реакторного, протонного или электронного облучений. Такие центры возникают в синтетическом кварце в отличие от природных, для которых они также описаны только после воздействия соответствующими дозами указанных видов излучения. Приведенные расчеты показали, что при у-воздействии вероятность об-равования точечных дефектов в кварце невелика. В случае облучения электронами пороговая энергия смещения ионов кислорода (образования вакансий) существенно зависит от степени совершенства кристаллической решетки. В случае облучения электронами с энергией 2 МэВ она составляла 50 5 эВ для кварца, выращенного с малой скоростью ( 0,2—0,3 мм/сут), и 15 5 эВ — для кварца, выращенного с большой скоростью ( 1 мм/сут). Для нейтронов эта зависимость более слабая. [c.147]

Эти данные показывают, что воздействие ионизирующей радиации приводит к радиационно-стимулированной диффузии примесных щелочных ионов в кристаллах кварца. Такая миграция обусловлена тем, что щелочные ионы-компенсаторы расположены вблизи [Л104 +]-комплексов, теряющих при облучении электроны. В результате в местах локализации таких комплексов образуются области положительного заряда и электронные центры в других местах решетки. Поскольку кулоновские силы с расстоянием убывают очень медленно, то потеря заряда в какой-либо точке кристаллической решетки вызывает миграцию подвижных ионов — носителей заряда. Этому в значительной степени способствует открытый характер структуры кварца, содержащей структурные пустоты, соединенные каналами диаметром до 0,2 нм. Что же касается протонов, то, поскольку энергия Их связи с кислородами дефектных (алюминиевых) тетраэдров много больше, чем для щелочных ионов, радиационно-стимулированная диффузия протонов в кварце практически отсутствует. В этом случае при облучении происходит рекомбинация непрерывно генерируемых стационарных дырок с выбитыми электронами, а центры дымчатой окраски на алюминиево-водородных дефектах не образуются. Именно этим, как выше отмечалось, объясняется образование не окрашивающегося облучением кварца при термохимической обработке или электролизе на воздухе, когда алюмощелочные центры преобразуются в алюмоводородные. [c.149]

Естественно, что для создания химического лазера необходимо использовать сильно экзотермические реакции, сопровождающиеся большим выделением энергии. Но этого недостаточно. Химическая реакция, представляющая интерес для создания лазера, должна быть также достаточно быстрой и приводить к неравновесному распределению энергии. Известно, что высокая скорость особенно характерна для реакций с участием свободных атомов или радикалов, для образования которых химическую смесь следует подвергнуть ультрафиолетовому облучению, электронной бо бардировке или действию электрического тска. Однако если в результате облучения возникнет одна-едиистпенная молекула, то затраты на ее образование не окупятся энергией когерентного излучения и смысл лпмического лазера как квантового генератора пропадет. Например, при обработке молекул шестифтористого [c.100]

Мак-Крам и Моррис обнаружили, что значительные изменения сферолитной структуры не оказывают влияния на форму дисперсионной кривой в области -релаксации. Они согласны с выводом Такаянаги о том, что этот тип релаксации связан с молекулярным движением внутри кристаллов. Как Синнот, так и Мак-Крам и Моррис наблюдали заметное влияние облучения электронами на - и -релаксационные процессы, в то время как -процесс при облучении оставался без изменений. Синнот рассматривает эти данные как подтверждение предложенного им отнесения [c.172]

В оптике и электротехнике широко используются бромиды, иодиды и некоторые другие соли цезия. Если при изготовлении флуоресцирующих экранов д.пя телевизоров и научной аппаратуры ввести между кристалликами сернистого цинка примерно 20% ио дистого цезия, экраны будут лучше поглощать рентгеновские лучи и ярче светиться при облучении электронным пучком. [c.97]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология