Анализ стереографической проекции

Анализ стереографической проекции [c.408]

Перечисленные особенности кристаллов разных сингоний служат основой при анализе стереографической проекции. [c.409]

Формирование габитуса алмазных монокристаллов в значительной мере определяется условиями кристаллизации, а также атомной и зонной структурами алмазной поверхности. При анализе кристаллографического габитуса и характерных морфологических форм монокристаллов используется стереографическая проекция (рис. 58). [c.52]

Анализ ППФ проводят с помощью стандартных стереографических проекций (сеток Закса). Анализируемую ППФ последовательно накладывают на разные стандартные проекции кристалла той же кристаллической системы, стремясь концентричным вращением ППФ добиться того, чтобы максимумы ППФ совпали с выходами нормалей к тем плоскостям семейства hkl на сетке [c.327]

Все выделенные на лауэграммах пятна и зональные кривые переносятся на стереографическую проекцию. Далее, на той же проекции отмечаются выходы осей зон, т. е. полюса к дугам большого круга, полученным из зональных кривых. Таким образом, на стереографической проекции имеются точки двух типов выходы нормалей к важным сеткам и выходы важных узловых рядов. Определение сингонии и ориентации кристалла основывается главным образом на анализе их взаимного расположения. [c.408]

Дальнейшие упрощения возможны, если атомам вблизи поверхности не разрешается релаксация. В этом случае детали кривой сила-расстояние уже не имеют значения в расчет входит лишь единственная величина— энергия связи между ближайшими, последующими ближайшими и т. д. соседями. Соответствующая сумма этих прочностей связи определяется теплотами сублимации, однако их относительные величины находят произвольно. Расчет у(Я) при 0°К сводится, таким образом, к подсчету разрушенных связей для атомов вблизи поверхности. Вычисления значений у( ) при 0° К были выполнены при помощи модели разрушенных связей для изменяющихся параметров силы связи в гцк и оцк кристаллах [18]. На рис. 5, а в стереографической проекции показаны результаты вычислений [18] для гцк решетки, имеющей лишь связи с ближайшими соседями. На рис. 5, б приведен отрезок, перпендикулярный к плоскости (0Т1), и соответствующий профиль равновесной формы. Херринг [13] провел общий анализ, из которого следует, что любая модель разрушенной связи, в которой все [c.110]

Анализ текстуры — это определение преимущественной ориентации кристаллитов в поликристалличе-ском материале. Термин текстура используется здесь как синоним преимущественной кристаллографической ориентации в поликристаллическом, как правило, однофазном, материале. Для описания преимущественной ориентации обычно производится построение полюсных фигур посредством измерения интенсивности дифракции данного рефлекса (при постоянном значении угла 20) при различных значениях угловой ориентации образца. Затем строится контурная карта интенсивности в зависимости от угловой ориентации образца. Наиболее распространенными способами построения полюсных фигур являются стереографическая и равновеликая проекции. [c.49]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология