Влияние кристаллических затравок на скорость кристаллизации

Опишем процесс массовой кристаллизации из растворов и газовой фазы с учетом контактного вторичного зародышеобразования. Контактное зародышеобразование [30, 33, 38—41] осуществляется посредством маточных кристаллов, если они сталкиваются с другой поверхностью, которой может быть поверхность других кристаллов или стенок кристаллизатора и мешалки. Контактное зародышеобразование вызывает у исследователей значительный интерес, так как вклад его в образование кристаллов наибольший среди всех других видов зародышеобразования [35, 33, 39]. В опубликованных исследованиях для этого типа зародышеобразования контакт достигался или скольжением кристалла вдоль наклонной стеклянной поверхности, погруженной в пересыщенный раствор того же самого вещества [30], или столкновением с мешалкой, или же контрольным ударным контактом между кристаллической затравкой и прутком, сделанными из различных материалов [33, 40]. Существует непосредственная корреляция между числом образовавшихся зародышей и энергией удара при постоянной площади соприкосновения. Авторы работ [33, 42] отмечают сильную зависимость скорости контактного зародышеобразования от пересыщения и предлагают объяснение этого механизма новые центры образуются в жидкой фазе около кристалла или происходят из затравочного кристалла в результате истирания при соударении, при котором от поверхности кристалла откалываются маленькие кусочки, но выживают и получают право на дальнейший рост только те, размер которых больше критического для данного пересыщения. Изучению влияния на контактное зародышеобразование размеров затравочных кристаллов и интенсивности перемешивания посвящены работы [40, 43]. [c.47]

Известно, что при введении в исходные силикаалюмогели в виде затравок порошков цеолитов наблюдается ускорение кристаллизации гелей. При этом эффект затравки возрастает с увеличением массы затравочных кристаллов, а при одинаковой массе — с уменьшением размеров кристаллов [8, 10]. Такая зависимость скорости кристаллизации от величины удельной поверхности имеет место потому, что каждый из кристалликов затравки выполняет роль нового растущего зародыша, введенного в гель. В ряде случаев путем использования кристаллических затравок можно не только ускорять процесс кристаллизации, но и изменять природу цеолитов, нормально кристаллизующихся из гелей данного состава без затравок. Известно также, что затравки могут и не оказывать влияния на кинетику кристаллизации [18]. Несмотря, однако, на широкое применение кристаллических затравок нри получении цеолитов, эффект затравки не всегда может быть достаточно просто объяснен. [c.13]

Добавление в раствор кристаллов в большем количестве (Р >5%) приводит к тому, что средний размер частиц в продукте уже практически не зависит от темпов охлаждения раствора и оказывается больше его значения по сравнению с кристаллизацией без затравки. Причем средний размер получаемых кристаллов оказывается довольно близким к его значению для затравочных кристаллов. Это объясняется тем, что присутствие в растворе сильно развитой кристаллической поверхности способствует быстрому снятию пересыщения уже в момент его возникновения частично на рост затравочных кристаллов, а главным образом на образование новых центров кристаллизации 20-22] увеличении интенсивности охлаждения, а следовательно, и пересыщения при кристаллизации, с одной стороны, возрастает скорость роста затравочных кристаллов, а с другой — еще в большей степени увеличивается скорость образования новых зародышей. Оба фактора, по-видимому, перекрывают друг друга в интервале испытанных значений 0, поэтому изменение скорости охлаждения и связанное с этим изменение пересыщения раствора не оказывает заметного влияния па величину d,.p получаемых кристаллов. [c.219]

В сравнительно немногочисленных экспериментальных рабо тах, посвященных влиянию затравки на процесс кристаллизации изучались такие вопросы, как соотношение между увеличе нием массы и поверхности затравочных кристаллов в ходе про-цесеа кристаллизации [18] изменение дисперсного состава кристаллических осадков в зависимости от размера затравочных кристаллов [71] или от их количества [72] условия образования новых зародышей [73] скорость роста затравочных кристаллов в зависимости от их размера [8] кинетика кристаллизации в присутствии затравки [74, 75] рост затравочных кристаллов, вводимых в пересыщенные растворы [76, 77]. [c.122]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология