Кристаллизация константа скорости, зависимость от температур

Зависимость скорости кристаллизации от температуры, таким образом, близка к аналогичной зависимости для скорости химических реакций. Однако, как уже отмечалось выше (см. главу I), процесс кристаллизации нельзя полностью уподобить химическим реакциям. Его можно лишь рассматривать с точки зрения кинетики. Об этом и свидетельствует дробный порядок, наблюдавшийся при кристаллизации отдельных веществ [118]. В табл. 6 и 7 приведены результаты расчета констант скорости, отвечающих реакциям первого порядка (К ) и второго порядка (К ) для осаждения нитратов бария и лития. Расчеты проводились по уравнениям (40) и (41). При проведении расчетов было учтено, что они допускаются лишь д.ля [c.59]

Рис.6. Зависимость константы скорости кристаллизации от температуры процесса и размера кристаллов 1-при Гтах = 0,2 им

Рис. IV. 10. Зависимость константы скорости кристаллизации от температуры (а) и времени (б) пунктиром нанесена кривая скорости охлаждения.

Зависимость от температуры константы скорости кристаллизации гидрокарбоната натрия из многокомпонентной системы описывают [22] уравнением [c.271]

Зависимость константы скорости кристаллизации к от температуры может быть рассчитана из уравнения [c.85]

Зависимость константы скорости кристаллизации от температуры представим в общем виде [c.47]

Константа скорости К зависит от температуры и при неко--торой температуре для многих систем проходит через максимум. Это легко показать, построив зависимость К от Т. Исследование уравнения (5-1) показывает, что обратная величина полу=-периода процесса кристаллизации пропорциональна К - и, по-видимому, также зависит от Т. [c.161]

В табл. 6 приведена зависимость константы скорости кристаллизации С, времени равновесной кристаллизации т и времени т , за которое модуль упругости возрастает в 100 раз, от температуры кристаллизации пентапласта из закаленного состояния (рассчитаны по [158]). [c.35]

Зависимость константы скорости кристаллизации С от температуры t (в °С) с формулой [158] [c.35]

При повышении температуры, как правило, увеличивается скорость роста кристаллов [178, 179]. При увеличении температуры на 10 °С она возрастает примерно в полтора раза [167]. Но с повышением температуры обычно повышается и скорость образования зародышей, поэтому в отдельных случаях [181] кристаллизацию выгодно осуществлять при более низкой температуре. Зависимость константы скорости кристаллизации от температуры выражается [29] уравнением [c.62]

Рис. 4. Зависимость констант скорости кристаллизации от обратной температуры при кристаллизации из расплава (а) и высокоэластического состояния (б) ПУ-3 с содержанием аэросила (АН)

По данным рис. 9, получено уравнение, описывающее зависимость константы скорости кристаллизации от температуры [c.65]

Из приведенных уравнений видно, что с ростом температуры константа скорости процесса должна увеличиваться. Следовательно, должна возрастать и скорость кристаллизации. Однако это наблюдается лишь в том случае, когда остальные определяющие процесс параметры будут оставаться постоянными. Особенно важно учитывать температурную зависимость растворимости, так как увеличение растворимости с возрастанием температуры может привести к значительному снижению пересыщения, а вместе с тем и скорости кристаллизации. [c.94]

Изучая скорость роста кристаллов различных солей при кристаллизации из водных растворов в зависимости от условий образования осадков, нашли [И], что константа скорости роста для аммиачной селитры при 20 °С равна 0,324. В данном случае константа выражается в кг м - ч (где п — порядок процесса кристаллизации, близкий для азотнокислого аммония к 1). Надо отметить, что константа скорости кристаллизации для аммиачной селитры сравнительно велика. Она, например, почти в 20 раз больше аналогичной константы для безводного сульфата натрия и в 7 раз больше константы скорости кристаллизации семиводного сульфата железа. Это говорит о том, что скорость кристаллизации селитры велика, т. е. процесс перехода ее в твердую фазу протекает быстро. Близость порядка процесса к 1 позволяет предполагать, что кристаллизация происходит в диффузионной области. Следовательно, на нее должны оказывать существенное влияние перемешивание, температура и тому подобные факторы. [c.201]

Кинетические константы поверхностной реакции определяются из (1.33) по известным временным зависимостям Xi и т](0). С этой целью проводились эксперименты по нахождению скорости кристаллизации смеси изомеров расплава эвтектического типа на поверхности цилиндра, температура которого поддерживалась ниже температуры затвердевания исходной смеси. [c.31]

Уравнения, выражающие зависимость массы кристаллов от времени кристаллизации при различных исходных и концентрациях расплава, были продифференцированы и найдены линейные скорости кристаллизации. Полученные экспериментальные данные с учетом уравнения (1.43) позволили определить температуру межфазной поверхности t и температуру кристаллизации расплава Т у межфазной поверхности. В качестве примера результаты вычислений при А = 8,3°С представлены на рис. 1.2. При известных закономерностях изменения величины и линейной скорости кристаллизации т)(б) во времени были определены значения эмпирических констант Ко = = 1,2-10 м/(с-°С), 0 = 1 (рис. 1.3). [c.32]

Система ускоренных методов определения скорости кристаллизации и ее прогнозирования основана на применении уравнений (23), (24), (39), (41) и (45), описывающих зависимость Г1/3 от напряжения и температуры с помощью минимального количества констант, и предусматривает экспериментальное определение кинетики кристаллизации только при температуре максимальной скорости кристаллизации Т . Для того чтобы узнать значения Гу при других Т, достаточно воспользоваться уравнением (23) с известными С, 1 ) и Т . Величину Тпл для данной резины можно найти из (24), зная Ху при и о- = О, или определить независимо. [c.106]

Для прогнозирования морозостойкости резин из аморфных каучуков при заданной скорости воздействия можно воспользоваться рядом рассмотренных выше количественных соотношений для определения Гс в зависимости от скорости охлаждения уравнение (3.1), для определения Гмс и /См в зависимости от скорости деформации уравнение (3.2), для определения Гхр в зависимости от скорости деформации уравнение (3.3). Более сложным является прогнозирование времени достижения заданных характеристик для резин из кристаллизующихся каучуков вследствие экстремальной зависимости скорости кристаллизации от температуры и сравнительно небольшой скорости процесса кристаллизации для большинства эластомеров. Предложено [257] использовать некоторые закономерности для комплексного прогнозирования кристаллизации по ряду параметров (табл. 3.5). При этом приняты приближения, заключающиеся в том, что энергия активации процесса не зависит от температуры, а константы С и г1) — от состава резин для данного каучука. Проводится работа по упрощению этого метода. [c.105]

Здесь V — объем образца индексы О, оо и / соответственно обозначают начальный, конечный и текущий моменты времени. Показатель степени т в уравнении Аврами может принимать значения от 1 до 4 в зависимости от типа зародышеобразования и геометрии формирующихся кристаллитов (стержни, диски, сферы), а также от механизма управления ростом кристаллитов. Константа скорости кристаллизации О зависит, как было показано выше, от молекулярной массьГи температуры. [c.55]

Отрицательный температурный коэффициент характерен для самых разнообразных реакций в замороженных растворах. Ускорение реакции с понижением температуры вызвано кристаллизацией растворителя, уменьшением объема жидкой фазы и, как следствие, концентрированием реагентов в жидкой фазе. Чем ниже температура, тем меньше объем жидкой фазы и выше концентрация реагентов. С понижением температуры ниже точки плавления растворителя, с одной стороны, растет концентрация реагентов вследствие уменьшения объема жидкой фазы, с другой — уменьшается константа скорости реакции. Отрицательный температурный коэффициент наблюдается тогда, когда ускорение реакции из-за концентрирования реагентов превалирует над ее замедлением из-за уменьшения константы скорости. Когда концентрирование достигает такой степени, что образуется эвтектическая смесь, которая кристаллизуется, то дальнейшее снижение температуры приводит к снижению скорости реакции. Вследствие этого для температурной зависимости скорости реакции в замороженных растворах характерен экстремальный характер с Т =-- Гщих. при которой скорость реакции максимальна (рис. 3). [c.39]

На рис. II. 1 приведены зависимости константы скорости кристаллизации (из уравнения Аврами) от температуры при кристал- [c.66]

Дилатометрическое и микро- 449 скопическое исследование проведено в температурном интервале 118-126°С на образце с молекулярным весом более 10 000 заметной вторичной кристаллизации не обнаружено разрыв на кршой "объем - время" приводит к нарушению хорошего соответствия экспериментальных данных и уравнения Аврами с дробными значениями показателя п в области превращения от 50 до 98%, зависимость константы скорости К [уравнение (33)] или полного объема от температуры обнаруживает переход при температуре 122,8°С установлено, что зародышеобразование является термическим (постоянная скорость) и уменьшается до нуля на конечных стадиях кристаллизации (разд. 5.1.2.2) комбинирование линейной скорости роста и скорости зародышеобразования приводит к суммарным константам скорости, совпадающим с определенными дилатометрически использование представления о двухстадийном процессе типа процесса Аврами не приводит к улучшению [c.288]

На рис. 5.1 приведены зависимости константы скорости кристаллизации (из уравнения Аврами) от температуры при кристаллизации из расплава и из высокоэластического состояния. Эти зависимости представляют собой прямые линии, однако углы наклона их при малых и больших степенях переохлаждения различны. Это объясняется тем, что механизм кристаллизации из расплава вблизи температуры плавления определяется главным образом членом АЕ/кТ, и поэтому температурный коэффициент валовой скорости кристаллизации отрицателен. При кристаллизации из высокоэластического состояния доминирующими становятся процессы диффузии через границу раздела, т. е. положительное значение температурного коэффициента определяется членом АС/кТ. [c.148]

На рис. 4 приведены зависимости констант скорости кристаллизации от обратной температуры при кристаллизации из расплава и высокоэластиче- [c.93]

Следовательно, зная скорость охлаждения раствора Т, зависимость растворимости от температуры и Ас, при котором идет кристаллизация, можно определить kA и п. Если известна поверхность или /г, можно вычислить соответственно один из сомножителей произведения kA. При постоянных скорости охлаждения и градиенте изменения концентрации с температурой левая часть уравнения (V.24) постоянна. Значит, постоянна и правая часть. Экспериментально установлено [30], что на третьем этапе политермической кристаллизации Ас = onst. Вместе с тем k — f (Т), Тогда постоянство правой части уравнения должно обеспечиваться постоянством произведения kA при неизменном п. В этом случае, зная зависимость константы скорости кристаллизации от температуры и одно из ее значений, мы можем определить поверхность твердой фазы в любой заданный момент времени. [c.100]

Если в основу описания процесса кристаллизации положить зависимость скорости роста кристаллов от абсолютного пересыщения, порядок п процесса кристаллизации NaoS04- lOH.jO оказывается равным 1 [5]. Скорость кристаллизации безводного сульфата натрия значительно ниже, чем мирабилита. Константа скорости роста десятиводного сульфата натрия при 25 °С равна 0,231, а безводного — 0,015 м/ч. В водио-метанольных растворах константа скорости роста при той же температуре изменяется сравнительно мало. [c.242]

Оценим кинетические константы. Для каждого падающего кристалла можно построить зависимость v=v i) и определить величину dvldt с точностью до малых первого порядка dvldt Lv—Подставив dvldt в уравнения (3.185), (3.186), можно разрешить их относительно диаметра сферы, масса которой совпадает с массой падающего кристалла. Подставив найденные значе- ния а в уравнения (3.185), (3.186), легко получить значения для скоростей роста кристаллов в соответствующих временных точках. Однако в нашу задачу входит не только определение скоростей роста по длине трубы, но и определение влияния на скорость роста кристалла пересыщения, температуры раствора, скорости обтекания кристалла раствором, вязкости и плотности среды, окружающей его. Если кристаллизация идет во внешней области (диффузионной), то массовую и линейную скорости роста кристалла можно представить в виде [c.295]

Это видно из рис. IV. 10, б, где схематично представлена зависимость константы скоростп кристаллизации к от времени для данной скорости охлаждения Т (t). Если скорость охлаждения повышается, то продолжительность нахождения полимера в температурном интервале кристаллизации сокращается. Чем больше скорость охлаждения, т. е. чем больше степень переохлаждения расплава, тем при более низкой температуре начинается кристаллизация. Так, у полиэтилена высокой плотности с температурой плавления 136 °С скорости охлаждения 1 °С/мин соответствует начало кристаллизации при 123 °С, 5°С/мин —при 117°С и 10°С/мин —при 112°С. Кроме того, при быстром охлаждении процесс кристаллизации завершается за более короткое время, и в этом случае не создаются условия для роста кристаллов или сферолитов и, следовательно, для достижения равновесного состояния кристалличности. [c.152]

Очевидно, изменение скорости кристаллизации G с изменением толщины пленок d обусловлено зависимостью от толщины прослойки зеличины свободной энергии зародышеобразования Ap=Z /(Ag) (здесь - энергетический член Ag= AS AT АТ=Т -Г Д5пл и Гпл-энтропия и температура плавления полимера т-константа). Нетрудно заметить, что требующееся для уменьшения величины С(при ДТ= onst) возрастание параметра AF не может быть объяснено с позиций традиционных представлений [382], согласно которым величина может либо уменьшаться в случае смачивания твердой поверхности боковыми гранями зародыша кристаллизации, либо оставаться практически неизменной в отсутствие смачивания. Таким образом, количественное описание понижения в области малых значений требует принципиально иного подхода. [c.154]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология