Основные принципы дифракции электронов

А. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ДИФРАКЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ [c.227]

Несмотря на то что дифракция электронов в принципе может быть использована для определения положения атома в любом из фазовых состояний вещества, однако для исследования структуры полимеров применение дифракции электронов до настоящего времени ограничивается только кристаллическими объектами. Такое ограничение вызывается трудностями в расчете кривых рассеяния электронов для аморфных полимеров. Именно поэтому в дальнейшем изложении будут рассмотрены основные принципы дифракции электронов на кристаллах. Теория дифракции будет дана лишь в ограниченном объеме, требуемом для понимания возможностей применения дифракции электронов к полимерным системам и для интерпретации дифракционных картин. Более детальное рассмотрение дифракции электронов можно найти в известных монографиях и обзорах [1]. [c.227]

Представления о симметрии очень важны как в связи с теоретическим, так и экспериментальным изучением строения атомов и молекул. Основные принципы симметрии применяются в квантовой механике, спектроскопии и для определения структуры при помощи дифракции нейтронов, электронов и рентгеновских лучей. Природа дает множество примеров симметрии, и это особенно очевидно, когда молекулы исследуются в равновесных конфигурациях. Для равновесной конфигурации атомы считаются фиксированными в их средних положениях. Когда существует симметрия, некоторые расчеты упрощаются, если ее принимать во внимание. Симметрией определяется также, может ли молекула быть оптически активной или иметь дипольный момент. Отдельные молекулы в отличие от кристаллических твердых тел (гл. 19) не ограничены симметрией, которой они могут обладать. [c.407]

Исследование изменения длины связей в направлении, перпендикулярном поверхности, проводится главным образом методом дифракции медленных электронов, основанным на том, что перестройка поверхностной решетки приводит к изменению условий дифракции. Метод ДМЭ рассматривается в разд. 3 гл. 3, здесь же мы лишь поясним основной принцип метода. Предположим, что невозмущенная решетка состоит из элементарных ячеек типа (1 х 1). При простом увеличении длины элементарной ячейки вдвое мы получим на поверхности плоские ячейки Р(2 х 2), а в объеме - гранецентрированные ячейки С (2 X 2). Оси поверхностной и объемной решеток образуют при этом угол 45°, что можно записать в виде (а х b)R 45°. Метод ДМЭ еще не получил широкого распространения, однако результаты его применения очень интересны и имеют достаточно общий характер. [c.24]

Поскольку, как уже указывалось выше, электроны чрезвычайно сильно взаимодействуют с веществом, то для дифракционных исследований требуются очень тонкие образцы, способные пропускать большую часть электронов. Оптимальная толщина образцов, например для полиэтилена, составляет всего несколько сотен ангстрем, в то время как для рентгенографических исследований используются образцы толщиной приблизительно в несколько миллиметров. Поэтому основная задача всех методов препарирования заключается в получении достаточно тонких пленок полимеров. Однако приготовление образцов в таком виде, несомненно, вызывает существенное изменение их структуры, что создает определенные трудности при интерпретации результатов и распространении полученных данных на структуру полимеров в блоке. Полученные в последние годы результаты показывают, что применение методов препарирования объектов для электронной дифракции (например, кристаллизация из разбавленного раствора) привело к совершенно новому представлению о структуре полимеров. В принципе для изучения поверхностей толстых образцов можно использовать и дифракцию при отражении, однако в применении к полимерам подобного рода исследования еще не описаны. [c.233]

Рихтер наблюдали прогрессивный переход полимеризованных частиц в агломератные частицы диаметром 200 т(1. Этот результат вполне соответствует явлению, подтвержденному рентгеновскими лучами й дифракцией электронных лучей в образовании решетки, состоящей из тетраэдров [SiOJ, заключается основной принцип успешного перехода полимеризации в структуру, создаваемую кварцевым стеклом, хотя его коллоидное состояние и более рыхлое (см. А. II, 220 и ниже) . [c.247]

Теория дифракции электронов и основные применения электронографии содержатся в монографиях Б. К. Вайнштейна Структурная электронография (АН СССР, 1956) и Р. Д. Хейденрейха Основные принципы электронографии (изд-во Мир . 1968). [c.352]

Теоретич. предельное разрешение электронных микроскопов составляет примерно 0,2 нм (2 А). Основные ограничения в эту величину вносят дифракция, обусловленная конечной длиной дебройлевской волны электронов [при ускоряющем напряжении 100 кв эта величина равна 0,004 нм (0,04 А)], и сферич. аберрация электромагнитных линз. Разрешение лучших серийных микроскопов практически достигло теоретич. предела, что в принципе позволяет детально изучать тонкую структуру полимерных объектов. Однако разрешение, к-рое м. б. достигнуто при исследовании реальных объектов, отличается от разрешения самого прибора из-за несовершенства препаративных методов и радиационных повреждений и составляет 1,5—2,0 нм 5—20 А). Разрешение при использовании растровых микроскопов гораздо меньше 3—5 нм (30—50 А). [c.474]