Радикальные и валентно-насыщенные формы хемосорбции

Локализация носителя на таком дефекте означает переход нейтральной формы хемосорбции в заряженную . Молекула, однако, сохранит свое валентно-насыщенное состояние. Таким образом, появление заряжения при адсорбции не всегда адекватно появлению ионо-радикальной формы хемосорбции. [c.96]

На рис. 5 изображены слабая и прочная акцепторные связи для молекулы Ог. При слабой связи (рис. 5, а) все валентности замкнуты молекула Ог образует с поверхностью валентно насыщенное образование. При прочной связи (рис. 5, б) хемосорбированная молекула Оа представляет собой ионо-радикал (радикальная форма хемосорбции). [c.68]

Центральной проблемой хемосорбции и катализа является вопрос о природе активных центров и реакционной способности адсорбированных молекул. В данной статье рассматриваются случаи полупроводников и диэлектриков. Электронная теория хемосорбции (ЭТХ) 11—3] принимает в качестве активных центров электроны и дырки кристалла полупроводника, которые либо свободно перемещаются по поверхности, либо локализованы на ее структурных дефектах. Хемосорбция есть результат взаимодействия адсорбированной молекулы с этими центрами. Хемосорбированные молекулы, рассматриваемые как некоторая поверхностная примесь, создают в энергетическом спектре кристалла свою систему локальных уровней. В условиях равновесия заселенность уровней однозначно определяется положением уровня Ферми на поверхности. В соот ветствии с этим ЭТХ рассматривает две формы хемосорбции нейтральную (слабую) форму, когда связь молекулы с поверхностью осуществляется без участия свободных носителей решетки (в энергетическом спектре ей соответствуют пустые уровни), и заряженную форму, при которой происходит локализация носителя на адсорбированной частице или около нее (заполненные уровни). Локализация носителя упрочняет (адсорбционную связь и приводит к заряжению поверхности относительно объема полупроводника. Согласно ЭТХ, вовлечение в хемосорбционную связь свободных носителей вызывает возникновение радикальных (или ионо-радикальных) форм хемосорбции или валентно-насыщенных соединений частиц с поверхностью [1—3]. Поскольку радикальная форма реакционно способна, ЭТХ для случая однородной поверхности установила связь каталитической активности поверхности с положением локальных уровней хемосорбированных частиц и уровня Ферми в ее энергетическом спектре. [c.25]

Среди различных сосуществующих форм хемосорбции есть такие формы, при которых хемосорбировавная частица сидит на поверхности в виде радикала илн, Ионо-радикала, в то время как при других формах хемосорбции та же частица образует с поверхностью валентно насыщенное образование. Естественно, что радикальные формы хемосорбции являются наиболее реакционноспособными. Именно их появление на поверхности является с точки зрения электронной теории ответственным за каталитический процесс. Это не значит, что вовсе исключаются нерадикальные механизмы. Это значит лишь, что когда на поверхности появляются радикальные или ионо-радикальные формы (а они появляются), то ведущая роль, естественно, передается именно им. [c.67]

Было бы1 важным непосредственно убедиться в возникновении на поверхности при хемосорбции поверхностных свободных радикалов или ионо-радикалов. Это могло бы быть сделано методом парамагнитного резонанса. В то же время было бы интересно найти пути для экспериментального разделения различных сосуществующих форм хемосорбцни (нейтральных и электрически заряженных форм, с одной стороны, радикальных и валентно-насыщенных, с другой стороны). [c.180]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология