Факторы, определяющие качества спектрографа

Другим возможным источником ошибки в спектрографических определениях является дискриминация, возникающая вследствие различных траекторий движения ионов разных масс. Ошибка может быть внесена и при калибровке фотопластинки. Воздействие света или рентгеновских лучей на пластинки отличается от воздействия положительных ионов [76]. Поэтому при калибровке обычно используется образец с известным изотопным составом, и линии эталонного и изучаемых образцов возникают на пластинке одновременно. Например, медь (которая обладает изотопами с массами 63 и 65) изучали в присутствии цинка. Относительная распространенность изотопов цинка была определена ранее на масс-спектрометре, и эти данные использовали для калибровки каждой экспозиции в интересующем диапазоне шкалы масс. Точность, достигаемая при подобных измерениях, равна 0,3%. Относительное содержание нескольких изотопов в элементе, используемом в качестве калибровочного, как это у называлось выше, может быть установлено непосредственно при помощи большого числа экспозиций различной продолжительности. Для линии данного изотопа строится кривая почернения, и путем сопоставления времени, необходимого для получения определенной плотности линий различных изотопов, устанавливается их относительная распространенность. Боль- шинство элементов впервые было исследовано этими двумя методами. Ошибки возникают из-за нелинейной зависимости между почернением и экспозицией, а также из-за неравномерной плотности линий на пластинке. Это связано с трудностью оценки интегральной экспозиции, когда почернение не является ее линейной функцией. Чувствительность фотопластинок, используемых в масс-спектрографии, изменяется даже по длине данной пластинки. Для того чтобы, обнаружить и исключить ошибки, вызываемые этим фактором, для каждого спектра обычно несколько раз повторяют экспозиции. [c.73]

Величина / . как известно, может определяться разными факторами. В том случае, когда зерно фотопластинки, качество щели и оптики не являются определяющими, / совпадает с рэлеевской разрешающей силой. Однако для приборов с малой и средней линейной дисперсией это обычно не имеет места, и их практическая разрешающая способность определяется именно свойствами фотопластинки и щели. Действительно, прибор ИСП-51 имеет в средней части спектра рэлеевскую разрешающую способность около 20 ООО, т. е. может обычно разрешить в зеленой области спектра две линии, отстоящие на 0,25 А, но при камере с фокусом 120 мм эти линии будут находиться на расстоянии 0,0025 мм, что значительно меньше разрешающей способности фотопластинки и допустимых размеров щели. Для кварцевого спектрографа ИСП-22 соотношение между рэлеевской и практической разрешающей способностью благоприятнее, [c.61]

Схема спектрографической установки показана на рис. 56, б. Регистрирующим прибором служит спектрограф J2, а в качестве спектроскопического источника света используется спектроскопическая импульсная лампа /, свет от которой, пройдя реакционный сосуд и спектрограф, попадает на фотопластинку 13. Спектроскопическая лампа зажигается через определенный промежуток времени после вспышки фотолитической лампы при помощи блока временной задержки 14. Таким образом по.лучается полный спектр поглощения фотолизуемого раствора. Меняя время задержки, можно получить набор спектров, изменяющихся во времени. В качестве импульсных фотолитических ламп обычно используются трубчатые импульсные ксеноновые лампы. Такие лампы имеют электрическую мощность до нескольких килоджоулей. Световая отдача таких ламп составляет 5- 20% от электрической мощности. Время вспышки ламп колеблется от 10 до 10 с (по уровню 1/е). Иногда для увеличения излучения в УФ-области к ксенону добавляют другие газы, например Нг, или ртуть. Используют им-пульсные лампы и с другим наполнением (Ог, N2, Аг). Ксенон обладает рядом преимуществ перед другими газами он имеет хорошие спектральные характеристики (сплошной спектр излучения), химическую инертность (нет взаимодействия с электродами), низкий потенциал ионизации. С увеличением энергии разряда максимум излучения смещается в ультрафиолетовую область. Разрешающее время импульсной установки определяется временем затухания светового импульса фотолитической вспышки. А время вспышки импульсной лампы в свою очередь зависит от нескольких факторов от типа лампы, электрической энергии и от емкости и индуктивности контура питания. Электрический контур составляют конденсатор, импульсная лампа и соединительные провода. Электрический разряд в контуре носит колебательный или затухающий характер в зависимости от соотнонюния между сопротивлением R, индуктивностью L и емкостью С элементов контура. Наиболее выгодным с точки зрения длительности импульса является соотпошепие Lj . Уменьшение времени затухания т достигается снижением индуктивности соединительных проводов, а также снижением емкости и индуктивности конденсатора (r yZ, ). При этом уменьшение энергии вспышки E = Wj2 компенсируется за счет увеличения напряжения на конденсаторе U. Увеличение [c.157]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология