Атом межузельный

При облучении вещества электронами энергия отдается атомами малыми порциями, недостаточными для того, чтобы первично выбитый атом мог вызвать дальнейшие смещения. Таким образом, в результате рассеяния электронов могут создаваться лишь одиночные дефекты [пары Френкеля — вакансия и межузельный атом (см. гл. V) 1. Облучение вещества 7-лучами по результатам близко к облучению электронами. Это происходит потому, что у-лучи взаимодействуют с атомами облучаемого вещества не непосредственно, а через первоначальное образование быстрых электронов, которые в свою очередь воздействуют на атомы через упругие столкновения. Особенностью 7-облучения является то, что благодаря малому поглощению в веществе глубина проникновения 7-лучей и, следовательно, глубина повреждения вещества существенно больше, чем в случае облучения пучком электронов. Разумеется, при этом интенсивность воздействия соответственно меньше. [c.212]

Вместе с тем полагая, что межзеренные границы имеют упорядоченное строение, в них можно рассматривать существование нарушений этого строения. Эти дефекты могут быть аналогичны решеточным, но существуют и специфические зернограничные дефекты. Например, в границах зерен могут присутствовать вакансии и межузельные атомы. Как показано путем машинного моделирования в работах [169, 170], несмотря на большую рыхлость структуры границ по сравнению с совершенной решеткой, зернограничные вакансии являются вполне определенным дефектом — отсутствующим атомом, хотя этот дефект и может быть больше размазан в границе, чем в совершенной кристаллической решетке. Межузельный атом также является вполне определенным дефектом в границе, хотя и его релаксация в границе больше, чем в совершенной решетке [169]. Прямые наблюдения межузельных атомов, возникающих при облучении в границах [c.90]

Пусть ф — энергия, необходимая электрону для перехода из металла в зону проводимости окисла. Электрон из зоны проводимости окисла может быть захвачен межузельным ионом и может образовать атом в междоузлии. Примем в дальнейшем, что все такие растворенные атомы в решетке окисла ионизированы. [c.224]

Межузельный атом представляет собой дефект, образованный перемещением атома из среднего положения на поверхности кристалла в междоузлие (в идеальном кристалле оно свободно). Если же межузельный атом образуется путем переноса атома из нормального узла (где возникает вакансия) в достаточно удаленное междоузлие, то этот парный дефект называют дефектом Френкеля. [c.162]

Если в соединении МХ элемент М электроположительный, а X — электроотрицательный, то атом М, находясь в междоузлии, будет стремиться к ионизации с освобождением электрона, а межузельный атом X — к захвату электрона. Эти процессы ионизации запишем в виде уравнений [c.199]

Межузельный механизм диффузии имеет место в тех случаях, когда атомы растворенного вещества находятся в междоузлиях (например, диффузия Н, в Ое и 51) он должен преобладать в любом неметаллическом твердом теле, в котором внедренный атом не слишком искажает решетку. [c.368]

Существование точечных дефектов в кристаллах обусловлено наличием в структуре вакансий — незанятых позиций (дефекты Шоттки) или смещением ионов из узла решетки (дефекты Френкеля), когда образуется сразу два дефекта вакансия и межузельный атом. Равновесная концентрация точечных дефектов экспоненциально возрастает с увеличением температуры [54, с. 104] [c.55]

Неорганические материалы. В металлических и керамических материалах под действием облучения тяжелыми частицами (нейтронами, а-частицами, осколками деления и т. д.) происходит ионизация (неупругие столкновения) и смещение атомов (упругое столкновение) из положений равновесия. Смещение атома в решетке с образованием устойчивой пары вакансия — межузельный атом происходит, если энергия, передаваемая при упругом столкновении, больше примерно 25 эВ. Быстрые частицы (е > 1 МэВ) в связи с этим создают не одну пару, а целый каскад (до нескольких сотен, если е 2 МэВ) смещенных атомов. Смещенные атомы образуют локализованную область нарушений, которую называют пиком смещения . Время тормбжения нейтрона от энергии 2 МэВ до 100 эВ при образовании пика смещения, как показывает расчет, 10" с [30], т. е. энергия торможения нейтрона передается в первичных соударениях атомам, среды практически мгновенно. В пике смещения в связи с этим в течение 10 с происходит резкое повышение температуры (до —10 К). Быстрая отдача тепла в окружающую среду не позволяет установиться полному струк- [c.211]

Р. X.-нестехиометрич. соединения. Область гомогенности HgSe 49,99 - 50,00 ат.% Hg при 280 °С (по др. данным наблюдается отклонение от стехиометрии в сторону большего содержания Hg). Область гомогенности HgTe 49,40-49.95 ат.% Hg при 400 С, 49,40-50,009 ат,% Hg при 353 °С. Для Р.х. преобладающие типы дефектов - вакансии Hg, халькогенов, атомы Hg в межузельном пространстве. [c.277]

Межузепьные атомы. Лишние атомы внедряются между узлами, занятыми атомами (молекулами, ионами) решетки. При этом решетка несколько деформируется, чтобы вместить межузельный атом. В межузелье могут внедриться как атомы того же вещества, так и посторонние атомы (примеси). [c.541]

Если в результате упругого столкновения атом решетки приобретает энергию, превышающую пороговую энергию смещения Еа, то он покидает свое место в решетке. Образуется пара — смещенный или межузельный атом и свободное место в решетке— вакансия. В рассхматриваемом случае считается, что Е = =Й5 эв. [c.242]

Межузелъные атомы. В этом случае лишние атомы (молекулы или ионы) внедряются между узлами, занятыми атомами (молекулами, ионами) решетки. При этом решетка несколько деформируется, чтобы вместить межузельный атом, так что соседние с внедренным атомом частицы смещаются в стороны от него. В междуузлие могут внедряться как атомы того же вещества, так и посторонние атомы (примеси). Межузельные атомы могут быть равновесными и неравновесными. [c.120]

При образовании точечных дефектов в их окрестности происходят заметные деформапии рещетки атомы вокруг вакансии сдвигаются в направлении этого дефекта, межузельный атом раздвигает близлежащие атомы (рис. 14.1, 14.2). Благодаря этому образование дефекта по Шоттки с перемещением атома на поверхность увеличивает объем кристалла менее, чем на один атомный объем, при этом плотность дефектного кристалла должна быть меньше по сравнению с идеальным кристаллом. Образование дефекта по Френкелю практически не меняет объем кристалла, вследствие чего его плотность останется неизменной. Поэтому сравнение измеренной экспериментально плотности кристалла с ее значением, вычисленным исходя из размеров элементарной ячейки ( рентгеновская плотность), приннипиально позволяет определить разность числа межузельных атомов и вакансий. [c.315]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология