Энергия смещения пороговая

Рис. 15. Зависимость максимальной энергии, сообщаемой атомам различных элементов, от энергии бомбардирующего электрона. Пунктиром показан приблизительный уровень пороговой энергии смещения атомов (по данным работы /55/)

ВЫХОД может значительно превышать единицу. При облучении частицами и фотонами таких высоких энергий принято выражать скорость радиационного повреждения через величину О — число свободных радикалов, образующихся при поглощении веществом энергии 100 эв. Ранее упоминалось, что пороговое значение энергии смещения атома составляет около 25 эв, так что величина О должна быть порядка единицы. Такие значения О часто наблюдаются на практике. [c.333]

Использование быстрых электронов линейного ускорителя позволяем посредством варьирования энергии бомбардирующих частиц осуществлять пороговые эксперименты по смещению того или иного вида атомов в кристаллах сложного состава. Недостаток метода облучения электронами состоит в том, что для получения изотропной картины повреждений в образце толщина его должна ( ть достаточно малой. [c.46]

Выше были рассмотрены спектры ЭПР А1- и Ое-центров, возникающие под действием ионизирующей радиации. В настоящем разделе будут приведены данные по ЭПР и оптической спектроскопии радиационных дефектов, образующихся под действием реакторного, протонного или электронного облучений. Такие центры возникают в синтетическом кварце в отличие от природных, для которых они также описаны только после воздействия соответствующими дозами указанных видов излучения. Приведенные расчеты показали, что при у-воздействии вероятность об-равования точечных дефектов в кварце невелика. В случае облучения электронами пороговая энергия смещения ионов кислорода (образования вакансий) существенно зависит от степени совершенства кристаллической решетки. В случае облучения электронами с энергией 2 МэВ она составляла 50 5 эВ для кварца, выращенного с малой скоростью ( 0,2—0,3 мм/сут), и 15 5 эВ — для кварца, выращенного с большой скоростью ( 1 мм/сут). Для нейтронов эта зависимость более слабая. [c.147]

Если в результате упругого столкновения атом решетки приобретает энергию, превышающую пороговую энергию смещения Еа, то он покидает свое место в решетке. Образуется пара — смещенный или межузельный атом и свободное место в решетке— вакансия. В рассхматриваемом случае считается, что Е = =Й5 эв. [c.242]

Одна и та же частица может вызывать в твердом веществе как ионизационные эффекты, так и эффекты сл1ещения. Соотношение. между ними в каждом конкретном случае зависит от вида частицы и ее энергии. Легкое электромагнитное излучение вызывает в основном ионизационные эффекты, к-рые могут сопровождаться и эффектами смещения, гл. обр. за счет вторичных электронов. В случае бамбардировки заряженными частицами вероятность ионизационных эффектов увеличивается с увеличением энергии частицы. По мере уменьшения энергии возрастает роль процессов смещения, поэтому, по мере движения в твердом теле заряженной частицы, в начале трека частицы преобладают ионизационные эффекты, а затем эффекты смещения, пока энергия частицы не достигнет оптимального порогового значения. В конце трека число соударений частицы с ядрами атомов, расположенными в узлах кристаллич. решетки, становится настолько большим, что смещениями захватываются все атомы внутри сферы радиуса 10 —10 сл . Эта зона, образующаяся в ко1ще трека частицы, аналогична локальному расплавлению твердого тела и наз. тепловым клином. При бомбардировке нейтронами практически вся энергия их расходуется на смещения атомов, к-рые затеи, перемещаясь в решетке, могут вызвать и ионизационные эффекты. Наибольшее число с.меще-ний на частицу дают продукты деления. От пары осколков деления ядра урана образуется в решетке свыше 25 ООО смещенных атомов. [c.217]

Монокристаллы InjTe были получены методом Чохральского в условиях, специально разработанных для этого соединения [111], подобно тем, в которых получали IngSe [55]. Создание максимального градиента температуры между кристаллом и расплавом ( 150 град см), применение малой скорости вытягивания (3—4 мм час), атмосферы гелия или водорода, а также выравнивание неоднородностей на фронте кристаллизации при помощи эффекта Пельтье способствовали получению однородных монокристаллических образцов Хп Те. Состав монокристаллов был близок стехиометрическому, однако в некоторых случаях наблюдалось отклонение от этого состава в сторону избытка теллура до 1—2 ат. %. Кристаллы были и-типа. По измерению края полосы поглощения [108] в различных кристаллографических направлениях монокристаллов IngTe было найдено, что для направления [100] при 293° К значение пороговой энергии равно 0,46 эв, а для направления 001 край смещен в длинноволновую область спектра на [c.127]

Вратни и др, [75]. Они установили диапазоны смещений, при которых 5-тантал переходит в нормальную модификацию с ОЦК структурой (рис. 18). Интересно отметить, что авторы исследовали влияние как отрицательного, так и положительного смещений. Кривая в случае отрицательного смещения качественно подобна кривой на рис. 16, а точный смысл кривой для положительного смещения не яеен. Как отмечалось ранее, сколько-нибудь заметное положительное смещение относительно плазмы получить невозможно. Любая поверхность с таким смещением становится просто новым анодом, а первоначальный анод превращается в дополнительный катод. Возможно, что резкое уменьшение удельного сопротивления при смещении порядка 10 В является следствием разогрева подложки, связанного с относительно большим в этом случае электронным током. Здесь следует отметить, что электронная бомбардировка может привести к десорбции поверхностных примесей. Однако этот процесс характеризуется определенной пороговой энергией электронов и по сравнению с ионным распылением совершенно неэффективен. Так, например, для атомов кислорода на поверхности молибдена по- [c.433]

Факты радиационного отжига естественных дефектов, отжига нагреванием до сравнительно невысокой температуры (не выше 100°) естественных п радиационных дефектов, устранение естественных и радиационных дефектов действием сильного электрического поля вместе с результатами порогового эксперимента и фактом отсутствия кислородных вакансии указывает на то, что эти низкобарьерные дефекты в ВаТсО необходимо связывать с локализацией смещенных атомов кислорода в положениях с достаточно малой энергией активации. Отсутствие при этом изменений параметров решетки ВаТ О является свидетельством того, что влияние таких дефектов на термодинамическое состояние кристалла несущественно, и следовательно, нельзя искать на этой пути объяснение механизма выключения иереполя-ризационных свойств. [c.67]

При рассматриваемой фотоионизации примесных молекул мы встречаемся с характерным явлением снижения порогового значения кванта по сравнению с квантом, требующимся для фотоионизации молекул аналогичного строения, находяпщхся в свободном — газообразном состоянии. В среде органических диэлектриков порог фотоионизации смещен на 4—5 эв в сторону меньших квантов. Действительно, фотоионизация газообразных ароматических молекул аналогичного строения требует, по нашим данным,, 8—10 эв и производится короткими ультрафиолетовыми длинами волн в шумановской области спектра [1]. В среде органических диэлектриков фотоионизация примесных молекул вызывается обычными ультрафиолетовыми длинами волн. Например, пороговое значение квантов фотоионизации для бесцветных соединений (лейкосоединений), обладающих строением скелета красителей, равна 4.6 эв (270 нм) для скелета с центральным атомом углерода и 3.4 эв (360 нм) — с центральным атомом азота. Такое снижение (в 2 раза) энергии, требующейся для отрыва электрона, обязано взаимодействию возникаюпщх зарядов с поляризуемой средой и аналогично снижению энергии фотоионизации, наблюдаемому для ионов электролитов в воде [2, 28], хотя количественно в данных средах снижение меньше. [c.320]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология