Оксиды металлов с контролируемыми свойствами

В работах по термоокислительной и термодеструкции наполненных полимеров свойствам наполнителя уделяется, как правило, мало внимания. Исходные характеристики наполнителя (удельную поверхность, пористость, состояние поверхности) практически не контролируют, и предполагается, что в процессе термо деструкции наполнитель не претерпевает изменений. В то же время по своей химической природе наполнители могут быть условно разделены на инертные, не изменяющиеся при нагревании до определенных температур в условиях разложения полимера, такие как стекло, диоксид титана, тальк и др., и активные - изменяющиеся в этом процессе. К последним в первую очередь относятся высокодисперсные металлы и некоторые оксиды металлов. В системах, наполненных активными наполнителями, в процессе деструкции могут образовываться новые соединения, например типа солей жирных кислот для системы полиэтилен-медь [123, 142]. На возможность появления в процессе термообработки поверхностных или объемных фазовых оксидов на поверхности металла для систем на основе полиэтилена, содержащих Си, Т1, N1, РЬ в соотношении 1 1 (по объему), указано в работах [41, 42, 169, 187]. Таким образом, исследова- [c.127]

При образовании нанокластеров в микроэмульсиях действует ряд факторов, влияющих на протекание реакции. Это соотнощение водной фазы и ПАВ в наносистеме W = [Н20]/ПАВ, затем структура и свойства солюбизированной водной фазы, динамика микроэмульсий, средняя концентрация реагирующих веществ в водной фазе и природа ПАВ. Размер кластеров, образующихся в нанореакторе обратной мицеллы, контролируется ее размером. Линейная зависимость размера кластера от величины W наблюдалась при образовании кластеров dS [7]. Подобная зависимость получается при рассмотрении нуклеации оксидов металлов в нанопоре, модель которой была рассмотрена в гл. 5. [c.351]

Это уравнение называют логарифмическим. Соответственно, график, построенный в координатах у — g t + onst) или у — — Ig t (при t > onst) имеет вид прямой линии. Логарифмическое уравнение, впервые полученное Тамманном и Кестером [11], отражает поведение многих металлов (Си, Fe, Zn, Ni, Pb, d, Sn, Mn, Al, Ti, Та) на начальных стадиях окисления. Вначале справедливость этого уравнения ставилась под сомнение. Были сделаны попытки вывести уравнения на основе предположений о существовании специфических свойств оксидов, таких как наличие диффузионных барьеров и градиентов ионной концентрации и других. Эти предположения не получили экспериментального подтверждения. С другой стороны, было показано, что логарифмическое уравнение можно вывести из условия, 4TQ скорость окисления контролируется переходом электронов из металла в пленку продуктов реакции, причем эта пленка имеет пространственный электрический заряд во всем своем объеме [7, 12]. Преобладание заряда, обычно отрицательного, в оксидах вблизи поверхности металла, подобно электрическому двойному слою в электролитах, было установлено экспериментально. Таким образом, любой фактор, изменяющий работу выхода электрона (энергию, необходимую для удаления электрона из металла), например ориентация зерен, изменения кристаллической решетки или магнитные превращения (точка Кюри), изменяет скорость окисления, что и наблюдалось в действительности [13—15. Когда толщина пленки превышает толщину пространственно-заряженного слоя, определяющим фактором обычно становится скорость диффузии или миграции сквозь пленку. При этом начинает выполняться параболический закон, и ориентация зерен или точка Кюри перестают оказывать влияние на скорость окисления. Исходя из этого, можно сказать, что в начальной стадии оксидная пленка на металлах [c.193]

ГИИ как зерна, так и зернограничной фазы, сочетание свойств которых во многом контролирует поведение конечного продукта. Подавляющее большинство экспериментальных работ направлено на ма-нипулящпо указанными факторами при помощи различных режимов синтеза, процедур обработки получаемых продуктов (отжиг, спекание), использованию различных добавок в исходные смеси (оксиды 4 /-металлов и другие) [4— 9]. [c.95]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология