Задержка сигнала

Работа многих операторов нефтяной промышленности нередко выполняется в условиях дефицита времени. Готовность памяти имеет здесь особое значение, так как всякое промедление, задержка сигнала часто равносильны сбою, аварии, травме. Постоянная готовность памяти, как видно, — одно из основных условий эффективной деятельности современного человека. [c.72]

В ряде радиотехнических устройств (радиолокационные, цветные телевизионные и др.) требуется задержка сигнала на значительное время (десятки и сотни микросекунд). Для снижения габаритов таких устройств используют преобразователи электрического сигнала в акустический, так как скорость распространения последнего примерно в 10 раз меньше. [c.510]

Объекты большой толщины по сравнению с длиной волны СВЧ-колебаний целесообразно контролировать с помощью геометрического или временного методов путем определения направления и места прихода луча, взаимодействовавшего с контролируемым объектом, или измерения задержки сигнала во времени. [c.130]

При нагреве материал сначала размягчается, что отмечают по увеличению затухания и снижению скорости звука (а значит, и модуля нормальной упругости). Затем начинается полимеризация, сопровождающаяся ростом амплитуды сигнала и увеличением скорости звука (уменьшением времени задержки сигнала). С окончанием процесса полимеризации амплитуда сигнала и скорость звука достигают максимальных значений. [c.814]

Только что описанная методика определения корреляционных зависимостей, согласно которой сигнал после временной задержки коррелирует сам с собой, называется автокорреляцией. Аналогично можно провести корреляцию двух независимых сигналов такая методика известна как кросс-корреляция. В общем случае между двумя независимыми сигналами корреляции не существует и всегда равен нулю. Однако два сигнала связаны между собой, если они относятся к одному и тому же элементу объема при этом коэффициент корреляции отличается от нуля. В частности, сигналы двух различных элементов объема, имеющих взаимно перпендикулярные направления векторов скорости, будут коррелировать только в некоторой области, где траектории их движения пересекаются коэффициент корреляции с сигналами от всех других элементов на любых траекториях в среднем равняется нулю. Поскольку соответствующее произведение 51-52 всегда много меньше произведения среднеквадратичных сигналов, коэффициент корреляции много меньше единицы, но имеет конечную величину, что позволяет измерять локальные концентрации в определенных объемах невозмущенного пламени. Кроме того, если поперечные лучи пространственно (а следовательно, во времени) смещены относительно друг друга, то корреляцию можно наблюдать после введения подходящей временной задержки сигнала, соответствующей времени передвижения наблюдаемого элемента объема из первого луча во второй. Благодаря тому что коэффициент корреляции зависит как от распада турбулентных пульсаций, так и от кинетики химических изменений в газе, оба эти процесса можно изучать указанной выше методикой. [c.285]

Для детекторов, в которых чувствительный элемент реагирует на количество компонента, поступающего в ячейку в единицу времени, а не на концентрацию, объем ячейки менее важен. Он вызывает только задержку сигнала, но не приводит к интегрирующему эффекту. Сигнал детектора определяется только физическим процессом регистрации и регистрирующими приборами. [c.23]

К рассматриваемым устройствам гидроавтоматики необходимо отнести в первую очередь реле давления и реле времени. При помощи реле давления соответствующим элементам автоматических систем подаются сигналы при достижении давления жидкости определенной заданной величины. При помощи реле времени устанавливается заданная выдержка времени между двумя следующими друг за другом фазами движения ведомого звена, т. е. производится задержка сигнала на некоторый промежуток времени. [c.152]

В зависимости от способа задержки сигнала реле времени могут быть разделены на следующие группы электромагнитные, электромеханические, электропневматические, механические (маятниковые), моторные, электронные и тепловые. [c.450]

Смещение оценки функции когерентности за счет задержки сигнала иногда можно оценить с помощью отношения Тг/Т, где Тг — время реверберации. Последняя величина определяется следующим образом если сигнал x(t) прерывается мгновенно, то Тг есть время, в течение которого дисперсия сигнала на выходе y t) убывает на 60 дБ (т. е. в 10 раз). На рис. 9.4 показаны результаты эмпирического анализа системы, в которой ре- [c.228]

Во время задержки сигнала на выходе блока возможно возникновение напряжения переходного процесса. [c.334]

На основании вышеизложенного, при отсутствии резких колебаний нагрузки по органическим веществам, при заданной концентрации растворенного кислорода 2—4 мг/л и быстродействующем регулирующем органе можно рекомендовать для САР концентрации растворенного кислорода импульсные релейные законы регулирования. Уставка реле длительности импульса выбирается в зависимости от быстродействия регулирующего органа на воздуховоде аэротенка или нагнетателя таким образом, чтобы подача воздуха при каждом импульсе регулирования изменялась бы не более чем на 5% от номинальной. Реле длительности паузы должно допускать регулировку времени срабатывания от 5 до 30 мин. Если в месте установки датчика ЭГ-152-003 ожидаются колебания скоростного напора жидкости, то схемой управления должна быть предусмотрена задержка сигнала на включение пульс-пары и магнитного пускателя. [c.181]

Согласно [36] при использовании в качестве металлизации алюминиевых сплавов (Al-l%Si-0,5% u, Al-0,5% u) с удельным сопротивлением р = 3,0 мкОм см и толщиной 1 = 0,8 мкм, а в качестве межслойного диэлектрика двуокиси кремния с диэлектрической постоянной (ДП) к = 3,9, задержка сигнала в проводящих линиях микропроцессоров (t ) становится больше задержки сигнала в транзисторах (х р) для уровня технологии (УТ) 250 нм, т.е. > х . [c.134]

Скорость передачи электрического сигнала в логических ИМС определяется его суммарной задержкой при переключении МОП транзисторов и при прохождении по системе металлизации [36]. Как уже отмечалось в разделе 7.5, для логических микросхем с уровнем интеграции (УТ) 250 нм, особенно микропроцессоров, работающих на тактовых частотах 1 ТГц и более, время задержки сигнала в алюминиевой металлизации с изоляцией на основе двуокиси кремния превышает время задержки сигнала в транзисторах. [c.178]

Л. Г. Меркуловыми Л. А. Яковлевым [9, 99] рассмотрен более общий случай создания монокристаллических УЛЗ. На примере кварца рассчитаны размеры звукопровода в виде прямоугольного параллелепипеда, стороны которого параллельны осям 7 и У кристалла (плоскость полигона — плоскость симметрии среды). За счет отклонения луча от нормали и неравенства углов падения и отражений лучей от свободной границы удается осуществить многократное отражение волны в полигоне простой формы и тем самым увеличить время задержки сигнала. Такая линия была создана авторами работы [99] и испытывалась на частоте 400 Мгц. [c.342]

Двуокись кремния, а также ФСС являются основными материалами межслойной изоляции (ILD) для ИМС с топологическими размерами >0,18 мкм. В микросхемах большей степени интеграции из-за увеличения сопротивления проводников (за счет уменьшения ширины) для сохранения быстродействия (время задержки сигнала т = R ) необходимы диэлектрики с более низкой по сравнению с SiO диэлектрической постоянной (diele tri onstant к), так называемые low к диэлектрики [8], чтобы уменьшить емкость. [c.127]

Из-за высокой диэлектрической постоянной (SijN ) = 6—9 против (SiO ) = 3,7—4,1 нитрид кремния менее привлекателен в качестве предметалльного и межслойного диэлектриков (PMD и TLD), так как более высокая емкость изоляции увеличит время задержки сигнала, а, следовательно, уменьшит быстродействие ИМС. Но, с другой стороны, это же свойство пленок делает их перспективными для емкостных и подзатворных диэлектриков при уменьшении топологических размеров ИМС. [c.128]

Время задержки сигнала в системе металлизации определяется как х = ЯС, где Я - сопротивление системы металлизации, а С-емкость межслойной изоляции [36]. Поэтому для уменьшения времени задержки сигнала в системах металлизации логических ИМС с УТ 180 нм и менее осуществляется одновременная замена материала проводящих слоев с алюминия на медь (уменьшение R) и материала изолирующих слоев с Si02 на диэлектрики с низкой диэлектрической постоянной (НДП) (уменьшение С) (см. раздел 7.5). [c.178]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология