Диффузия точечных дефектов

При высоких температурах, близких к температуре плавления, пластическая деформация и диффузия точечных дефектов протекают при гораздо меньших механических напряжениях, чем при низких температурах. Пластическое течение перераспределяет материал в монокристалле таким образом, чтобы погасить напряжения, вызвавшие это течение. Оно заканчивается, когда суммарная энергия термоупругих напряжений и дислокаций достигает минимума. Области монокристалла, которые до пластической [c.40]

Это уравнение описывает диффузию точечных дефектов, вступающих в реакцию второго порядка с неподвижной примесью, и представляет собой нелинейное интегро-дифференциальное уравнение, точное решение которого пока не найдено. Однако на практике мы имеем дело со случаем сильного превышения концентрации примеси над концентрацией собственных дефектов (/3 < 1) и малой вероятностью обратного распада образуемых в результате реакции дефектно-примесных центров (в <С 1). В этом случае можно найти приближенное решение задачи в виде неявной функции [c.79]

Диффузия точечных дефектов 81 [c.81]

Таким образом, взаимодействие диффундирующих в монокристаллах собственных дефектов, типа дефектов Шотки, с примесными ионами существенно меняет картину диффузии. Точечные дефекты захватываются примесными ионами, образуя устойчивые центры. Примесь в этом процессе играет роль ловушек. [c.81]

Диффузия точечных дефектов [c.81]

КЛАССИЧЕСКАЯ И КВАНТОВАЯ ДИФФУЗИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ [c.196]

Любые точечные дефекты кристаллической решетки обладают замечательным свойством мигрировать, т. е. перемещаться в кристалле. Для классических дефектов единственной причиной миграции является флуктуационное тепловое движение, а ее реализацией служит беспорядочное блуждание точечного дефекта по решетке. Если под действием некоторых движущих сил подобная миграция происходит направленно, то говорят о диффузии точечных дефектов. Но иногда диффузионным движением называют любую тепловую миграцию дефектов, даже если она не характеризуется выделенным направлением. В дальнейшем нас будет интересовать не столько направление диффузионного перемещения дефектов, сколько механизмы их миграции. [c.196]

Мы видим, что неоднородное распределение упругих напряжений в кристалле вызывает дополнительный диффузионный поток, обусловливающий так называемую восходящую диффузию точечных дефектов в напряженном кристаллическом образце. Впервые на роль восходящей диффузии обратил внимание Горский В. (1935). [c.300]

Должна существовать предельная толщина 1о, по достижении которой окалина может расти далее только за счет диффузии точечных дефектов. Значение /о можно определить из уравнения (22), заменив значение / на /о и потребовав, чтобы Сх) =0 при х=1о. Сделав соответствующие преобразования, получим [c.16]

В том случае, если граница образована дислокациями, не способными к скольжению вместе с границей, перемещение межфазной границы оказывается сопряженным с равновесием и диффузией точечных дефектов в кристалле. Так как перемещение такой границы, представленной, например, на рис. 10, б, связано с необходимостью рождения или аннигиляции вакансий или междоузельных атомов, межфазная граница будет находиться в равновесии даже при не равной нулю движущей [c.359]

Приведенное выше рассмотрение выполнено без учета влгания на диффузию точечных дефектов мехаштческих напряжений, возникающих в зоне реакции. Эти напряжения могут возникать, во-первых, из-за разницы суммарных дилатационных объемов реагирующих дефектов и продуктов реакции, а во-вторых, из-за градиента концентрации реагирующих компонентов и продуктов реакции. При этих условиях уравнение диффузии (4.7) с учетом потоков будет иметь следующий вид [c.80]

При изучении диффузии точечных дефектов существует два взаимодополняющих подхода. В первом случае учитывается влияние нарушений кристаллической решетки, а во втором — влияние кристаллической решетки на состояние дефектов. При этом симметрия играет центральную роль (при классификации как собственных, так и несобственных дефектных состояний). Совокупность элементов симметрии, присущих любой точке кристаллической решетки, образует группу симметрии, которая позволяет упрострггь решение задачи, если использовать теорию групп. Эксперимен-тальнью методы определения симметрии дефекта основаны на определении его анизотропных характеристик путем поляризованного возбуждения, либо с помощью различного рода воздействий, например, механических (одноосное сжатие), а также магнитными, электрическими, световыми полями. Во всех случаях возбуждения информацию о симметрии дефекта дает расщепление вырожденных уровней. [c.81]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология