Дефекты процесса миграции

Инфракрасное и СВЧ-излучения большой мощности могут разогревать твердые и жидкие вещества до высоких температур. В результате происходит отжиг вещества процессы миграции, рекомбинации и нейтрал изации приводят к исчезновению многих свободных радикалов и дефектов решетки. Источники видимого света и ультрафиолета часто выделяют значительные количества ИК-излучения. Его лучше всего устранить. При высоких уровнях мощности фильтр приходится охлаждать водой. В качестве ИК-фильтра обычно используются две кварцевые пластины, которые приклеиваются к пирексовому цилиндру пицеином (вакуумная замазка). Такой цилиндр, будучи заполнен дистиллированной водой, является хорошим фильтром. Перегрев цилиндра устраняется током воды. [c.327]

Сравнительно высокая подвижность атомов углерода при комнатной температуре обусловливает протекание при этой температуре и процессов изменения ближнего и дальнего порядка Б распределении атомов углерода в междоузлиях решетки мартенсита, процессов миграции их к дефектам, процессов возникновения неоднородности распределения атомов углерода, предшествующих распаду, и, наконец, более медленно протекающего самого распада пересыщенного твердого раствора [26— 32]. Это обстоятельство значительно осложняет экспериментальное исследование. Можно, однако, надеяться, что применение различных современных методов и продуманный выбор химического состава исследуемых сталей позволяет в ближайшее время продвинуться в понимании этой оказавшейся весьма сложной проблемы. [c.279]

Кристаллические и, плотные аморфные материалы обычно непригодны для создания мембран. Это обусловлено малой долей свободного объема и большим временем релаксации для процессов перераспределения вакансий и других дефектов структуры, в результате чего резко снижается растворимость газов и скорость миграции растворенного вещества. Равновесные и кинетические свойства подобных систем во многом определяются высокими значениями потенциала межатомного (межмолекулярного) взаимодействия, обычно превышающего средние значения кинетической энергии КьГ этим объясняется малая подвижность структурных элементов. Однако легкие разы типа Нг, Не, Оа, N2 с наиболее низкими значениями параметров (е,/, о, ) парного потенциала молекулярного взаимодействия могут в некоторых плотных матрицах образовывать системы с повышенной растворимостью и удовлетво рительными диффузионными характеристиками. Наиболее перспективны металлические мембраны на основе палладия для извлечения водорода, а также стекла для выделения гелия [8, 10, 19—21]. [c.114]

Полученные конформационные изменения при термообработке ненапряженного образца объяснялись [25—27] ростом относительной длины (первоначально) вытянутых проходных цепных сегментов вследствие миграции дефектов из кристаллических блоков. Число правильных укладок цепей при этом также возрастает. По-видимому, сокращение нити должно зависеть от числа складок. Структурные изменения в процессе термообработки механически стабильны, и их не просто обратить с помощью напряжения растяжения. На рис. 7.18 дано модельное представление конформационных изменений при термообработке [4, 5]. Из-за миграции дефектов при термообработке растянутого образца происходит релаксация локаль- [c.211]

Дефекты по Шоттки и Френкелю оказывают влияние на ионную проводимость и диффузию в кристаллах благодаря миграции дефектов в решетке. Наличие дефектов имеет исключительное значение для таких процессов, как реакции в твердом состоянии, спекание и др. [c.169]

Полупроводниковый механизм рассматривает окислительно-восстановительные процессы в пигментных слоях хлорофилла с позиций электроники твердого тела [27]. Он предполагает миграцию зарядов по зоне проводимости или валентной зоне (в последней возникают светоиндуцированные вакансии) к центрам захвата — химическим акцепторам или донорам электронов. При экситонной миграции энергии в пигментной матрице нейтральный экситон может мигрировать к реакционному центру, где и происходит его диссоциация на два противоположно заряженных носителя. Разделение зарядов может иметь место не только в реакционном центре, но и на дефектах структуры пигментной матрицы [28]. В этом случае носители заряда раздельно мигрируют в матрице электронная вакансия (р) захватывается в активном центре, приводя к образованию катион-радикала хлорофилла (бактериохлорофилла), а электрон (е) — первичным акцептором, который может быть локализован вдали от активного центра. Центры захвата носителей заряда в пигментной матрице, обладающие низкой потенциальной энергией, разделены в пространстве в результате миграции зарядов по зоне проводимости или валентной зоне. В них инициируются первичные химические реакции фотосинтеза. [c.22]

Экспериментальные работы позволили установить, на каких дефектах преимущественно зарождаются частицы конденсата в условиях вакуумного декорирования. Путем сравнения исследуемых образцов с эталонами отмечено, что происходит образование частиц золота на атомах примесей, вакансиях, центрах окрашивания, а также на поверхностных дефектах деформационного происхождения и дефектах роста. Выявить весь спектр точечных дефектов можно с помощью методики многократного декорирования. Она состоит в том, что вначале конденсируется одна порция вещества. Затем проводится повторное декорирование, но уже при более высокой температуре. В процессе многократного декорирования выявляются как сильные центры зарождения частиц, так и более слабые. Эта методика пригодна для наблюдения миграции точечных дефектов и их скоплений. [c.161]

Таким образом, при высоких температурах, когда обычные точечные дефекты н примесные газовые атомы приобретают подвижность, в бериллии протекает ряд элементарных процессов, основными из которых являются миграция, перегруппировка, столкновение и слияние с образованием дислокационных петель и газовых пузырьков. Зарождение и рост газовых пузырьков лежат в основе одного из серьезных видов радиационного повреждения бериллия — газового распухания. [c.49]

Наличие в кристаллах точечных дефектов по Шоттки и Френкелю оказывает существенное влияние на многие свойства кристаллических тел. В частности, их присутствие в кристалле и способность к миграции обусловливают ионную электрическую проводимость и процессы массопереноса (диффузии) в кристаллической решетке (в бездефектном идеальном кристалле процесс массопереноса практически невозможен). В связи с этим присутствие точечных дефектов сильно ускоряет такие важные в технологии силикатов и тугоплавких неметаллических материалов процессы, как твердофазовые реакции, спекание, рекристаллизацию и т. д., скорость которых определяется скоростью диффузии материальных частиц. Образование дефектов по Шоттки приводит к возрастанию объема кристалла (кристалл как бы распухает за счет достраивания с поверхности атомами, удаляющимися из узлов решетки) и понижению его плотности (образование дефектов по Френкелю во всяком случае в первом приближении не приводит к изменению плотности). [c.87]

Винтер [25, 26] пытался выяснить состояние поверхностного слоя хемосорбированного кислорода, изучая реакции обмена между хемосорбированным кислородом и газообразным кислородом, обогащенным Ю. Он изучал различные окислы-полупроводники, в том числе окиси цинка и железа, и нашел, что при 500° обменная реакция затрагивает лишь поверхностный слой окисла, и в этом обменном процессе участвуют все поверхностные ионы кислорода. Этот вывод примечателен тем, что в опытах предельное заполнение поверхности кислородом было небольшим от 1 до 15% для р-типа и <0,1% для п-типа полупроводников и MgO. Он также показал, что протекает миграция либо хемосорбированного кислорода, либо дефектов, которые промо-тируют хемосорбцию. [c.295]

Процессы упорядочения — диффузионные. На протекание диффузионных процессов большое влияние оказывают точечные дефекты (вакансии и дислоцированные атомы). Скорость упорядочения в сплаве СизАи возрастает с повышением температуры закалки [3], что было объяснено наличием закалочных вакансий в материале, закаленном с высоких температур. Существенно, что сама вакансия относительно мало влияет на значение электросопротивления сплава, но миграция ее в про- [c.40]

Интересную модель для объяснения изменения спектра структурных гидроксильных групп окиси алюминия при дегидратации предложил Пери [6]. Он предположил, что в начале процесса дегидроксилирования происходит конденсация соседних гидроксильных групп с выделением молекул воды без нарушения локального порядка на поверхности решетки окисла. На основании этого предположения найдено, что число мест, с которых могут быть удалены гидроксильные группы без образования дефектов на поверхности, составляет 67% Конденсация более удаленных гидроксильных групп сопровождается образованием дефектов на поверхности и делает возможным удаление 90,4% всего количества гидроксильных групп. Оставшиеся изолированные гидроксильные группы могут быть удалены только а результате миграции протонов по поверхности при высоких температурах. [c.279]

Сопоставляя энергию активации миграции дефекта /о с параметром графика на рис. 65, следует помнить условность последнего. Существование функции Е = Е (х) предполагает, что в процессе перемещения дефекта кристалл успевает прийти в равновесное состояние, характеризующееся определенным значением координаты дефекта х. Таким образом, энергия Е может считаться функцией только координаты х, если движение дефекта в процессе перехода между позициями Хо и XI происходит достаточно медленно. Когда условие медленности не выполняется, то график на рис. 65 для функции одной переменной х теряет смысл. При этом формула (П.1) остается справедливой, но энергия активации и о приобретает смысл независимого диффузионного параметра, определяющего энергию седловой точки в некотором многомерном пространстве конфигураций атомов кристаллической решетки вблизи дефекта. [c.197]

Таким образом, вращательные и поступательные движения радикала в полимере описываются разными параметрами микровязкости. Близость значений а и 0(10.7 13 ккал/моль) свидетельствует о сходности процессов, определяющих поступательную и вращательную диффузию молекулы в полимере. Таким процессом, по-видимому, является миграция микроскопических дефектов, которая тесно связана с подвижностью полимерных молекул. [c.156]

Отрыв атома металла от кристаллита. Возможность миграции атомов до публикации работ [4.28, 4.29] не учитывалась из-за того, что процесс отрыва атома металла от кристаллита и перехода на поверхность носителя считался энергетически невыгодным. Поскольку теплота сублимации, например, платины равна 564 кДж/моль, а атом металла на поверхности оксидного носителя обычно считается адсорбированным физически (т. е. связанным силами Ван-дер-Ваальса) с теплотой меньшей, чем 83 кДж/моль, то энергия активации отрыва атома должна была быть не ниже 480 кДж/моль. Между тем спекание кристаллитов металлов, таких как платина, протекает обычно при температурах между 500 и 700 °С. Для того чтобы в этих условиях скорость спекания была заметна, необходимо, чтобы энергия активации была ниже 250—310 кДж/моль. Последнее, в свою очередь требует более сильного взаимодействия атома металла с поверхностью носителя. В работе [4.34] обнаружено, что наличие поверхностных дефектов или продуктов крекинга углеводородов увеличивает энергию взаимодействия металла с носителем. Эти данные послужили обоснованием для того, чтобы постулировать механизм, который включает более сильное, чем физическая адсорбция, взаимодействие атома металла с поверхностью носителя, что н понижает наблюдаемую энергию активации по крайней мере до 310 кДж/моль. [c.77]

Анодные пленки часто структурно несовершенны, содержат поры, трещины, границы зерен и т. д., и поэтому проницаемы для раствора. Такие дефекты могут присутствовать с самого начала, если исходная пленка состоит из ряда кристаллов, растущих из зародышей и только постепенно срастающихся. Они могут возникать как результат напряжений, развивающихся в растущей плотной пленке, если она не обладает достаточной механической прочностью. В любом случае по трещинам в пленке, расположенным перпендикулярно и параллельно металлической поверхности, раствор проникает значительно ближе к металлу, чем это соответствует макроскопической поверхности пленки. Таким образом, электрохимические процессы развертываются как бы внутри пленки и перенос через решетку необходим только на расстояния, значительно меньшие ее макроскопической толщины. Кроме того, ионная диффузия и миграция по внутренним поверхностям осуществляются, вероятно, намного легче, чем через решетку. Следовательно, рост несовершенных пленок обычно происходит легче, чем плотных, и при относительно небольших значениях формирующего напряжения в первом случае образуются значительно более толстые покрытия. [c.328]

Существующая неопределенность в моделях строения аморфных тел не позволяет сформулировать и надежные механизмы переноса в этих системах. Однако в рамках различных моделей почти всегда можно подобрать те или иные схемы, сводящие процессы переноса в аморфных телах к миграции некоторых локальных образований, аналогичных точечным дефектам в кристаллах. Поэтому почти все существующие теории ионного транспорта в аморфных телах в значительной мере сводятся к теории транспорта в кристаллах с точечными дефектами. [c.57]

Отдельные реакции, идущие в каждой из этих областей, состоят, следовательно, из элементарных стадий, относящихся к какой-либо подпоследовательности. В установившемся режиме они протекают одновременно и являются лишь частями всего процесса. Поэтому для прохождения реакции необходима миграция из одной однородной зоны в другую различных активных компонентов положительных и отрицательных ионов, электронов и дырок, вакансий, точечных дефектов и т. п. Таким образом, эти зоны оказываются связанными друг с другом областями неоднородности, в которых частицы, участвующие в реакции, перемещаются под действием градиентов концентрации (или химического потенциала) и электрического поля. [c.161]

В рамках сделанного выше предположения ДЯ/ > О, при условии что суммарная реакция экзотермична (ДЯ<0), реакция аннигиляции вакансий должна быть более экзотермичной, чем суммарная реакция. Ее энтальпия будет равна ДЯд = —( ДЯ 4-+ ДЯ/ ). Локализация стадий на различных поверхностях раздела влечет за собой локализацию тепловых эффектов, так что к миграции дефектов прибавляется еще и процесс переноса тепла через защитный слой. [c.368]

В наши рассмотрения пришлось ввести большое число предположений отчасти для упрощения систем уравнений (модель адсорбции по Ленгмюру,, миграция только одного типа дефектов, самодиффузия и т. п.), отчасти для того, чтобы восполнить недостаток или отсутствие экспериментальных данных (модели процессов на границах раздела). [c.387]

Помимо приведенных реакций, могут идти определяющие скорость процессы, связанные с миграцией адсорбированных частиц или структурных дефектов в поверхностных слоях, а также с диффузионными явлениями в газовой фазе. Не все эти процессы могут иметь место или быть обнаружены в отдельности на каждом окисле, и на практике, как явствует из рис. 3—6, ряд явлений происходит одновременно. [c.253]

Изменение надмолекулярных структур полимера в процессе термообработки отражается на плотности распределения дефектов. При отжиге закаленного ПЭ миграция дефектов вдоль полимерной цепи и залечивание некоторых из них сопровождается изменением спектра ЯМР [91]. На свойства ПП существенное влияние оказывает соотношение и распределение изотактических и атактических компонентов цепи, а также методика приготовления образцов. Измеренное значение второго момента при температурах ниже области [c.33]

Аналогично процессу отжига металлов при различной термообработке графита миграция атомов углерода может привести к устранению, а в некоторых случаях к образованию различных дефектов решетки. Используя изотоп С , измерили диффузию графита [284], причем процесс диффузии рассматривался как комбинация процессов на границе зерен, и внутри решетки. Для внутрикристаллической диффузии значение энергии активации найдено равным 90 кал1моль [237], однако здесь необходимы, по-видимому, дополнительные исследования в связи со сложностью возможного механизма процесса миграции (ср. [520]). [c.44]

В теориях, основанных на разупорядоченности кристаллическо структуры, обычно рассматривают процессы миграции по точечным дефектам решетки — междоузлиям и вакансиям. При этом основным элементарным процессом является обратимый скачок материальной частицы в стерическую вакансию [13—17], например [c.309]

Методы расчета параметров констант равновесия можно использовать и для оценки параметров, описывающих миграцию дефектов. Предполагается, что она определяется свободной энергией промежуточного или так называемого переходного состояния в процессе миграции [55]. Поскольку речь идет об энергии, то переходное состояние — это состояние мигрирующих атомов, соответствующее седловинной точке потенциальной кривой. Его рассматривают как еще один тип дефектов, свободную энергию которого нетрудно рассчитать [56]. Анализ многих явлений переноса (диффузия, ионная проводимость), которые зависят ст концентрации, подвижности и коэффициентов диффузии дефектов, зависит от параметров, характеризующих каждую из этих величин. Изучая свойства бромистого серебра. Курник оценил не только изменения энтальпии и объема при образовании дефектов, но и аналогичные величины для ионной проводимости. Для ионов серебра в междоузлии (Ag ) обнаружено, что Ямигр = 0,148 эв, Аг мигр — 2,6 см 1г-моль для вакансий серебра (VA) Ямигр = 0,36 эв, Атмигр = 7,4 см 1г-моль. [c.322]

Несмотря на то что проводимость кристаллов Na l множество раз исследовалась в различных лабораториях, в полученных величинах энергии активации миграции Na+ Еышт нет хорошего согласия эти величины лежат в интервале 0,65—0,85 эВ (60—80 кДж/моль). В табл. 13.2 наряду с величинами приведены значения энергий активации других процессов, связанных с ионной проводимостью в Na l. Возможно, что наблюдающееся непостоянство величин миг обусловлено неизбежным присутствием в кристалле других дефектов, в особенности дислокаций, и их влиянием на миграцию катионов. В области, [c.13]

Температура активации. Широко известно, что даже окиси металлов, являющиеся наиболее тугоплавкими веществами, могут "терять каталитические свойства при высоких температурах каталитических реакций. При этом необходимо различать два взаимосвязанных случая а) потеря воды решеткой б) миграция ионов ме-та.лла и кислорода, выражающаяся в таких изменениях структуры, как уменьшение поверхности, потеря дефектов и даже изменение внешнего вида катализатора. В то время как для б в отсутствии воды требуется приблизительно температура Тамманна [210] (0,52 X т. пл. в °К), процесс а проходит при более низкой, но менее определенной температуре. Кроме того, исследования, проведенные с рядом окисно-алюминиевых катализаторов, показывают, что процесс б настолько ускоряется присутствием паров воды при высоком содержании ОН-ионов в катализаторе), что его становится трудно провести при 300—400° С. В некоторых опытах не делалось четкого различия дгежду потерей активности при перегреве, происходящей вследствие уменьшения поверхности, и потерей активности, вызванной уменьшением содержания воды ниже оптимального значения (этот вопрос обсуждается в другом разделе). [c.170]

Результаты исследований с латунью и ртутью мы объясняем так ртуть при предварительном выдерживании в ней необкатанных латунных образцов проникла на значительную глубину внутрь объема металла через поверхностные дефекты путем адсорбционной миграции по поверхностям этих дефектов. После этого происходило диффузионное проникновение ртути в решетку металла с образованием амальгам. Этот процесс усиливается при циклическом нагружении металла, которое способствует росту дефекта. [c.41]

Реакции металлов с электроотрицательными элементами, например с кислородом, серой и галогенами, были одними из первых объяснены на основании представлений о миграции дефектов решетки. При изучении этих реакций рассматривается образование компактного слоя окисла или соли МеХ между двумя реагирующими веществами (рис. 12). Требуется выяснить, происходит ли реакция вследствие того, что вещество X проходит через МеХ и реагирует с Ме на поверхности раздела А В или же Ме проходит через МеХ и реагирует с X на поверхности СО. В первую очередь мы должны отметить, что поскольку Ме и X могут передвигаться в ионном кристалле только в виде ионов, то при любом из этих процессов должен иметь место перенос как ионов, так и электронов. Поэтому реакция на границе фаз не может протекать, если МеХ является изолятором. Однако для того чтобы решить, какой процесс (перенос катионов или анионов) имеет место, не нужно рассматривать движение элек- [c.73]

Если автокатализатор образует поверхность раздела с неразложившимся кристаллом, то резкое охлаждение с последующим нагреванием до исходной внешней температуры практически не изменяет длительности разложения [5]. Например, имеются оптические данные, свидетельствующие о том, что при разложении кристаллов азида свинца по всей его кристаллической решетке распределяется металлический свинец. Последний, вероятно, образуется путем миграции ионов к улавливающим их дефектам решетки, где ионы свинца разряжаются в результате процессов [c.358]

Большинством исследователей давно было признано, что наблюдаемое уменьшение теплот хемосорбции с покрытием поверхности, особенно на начальных стадиях процесса адсорбции, может быть также частично обусловлено биографической неоднородностью. Весьма вероятно, что преимущественно будут заполняться места, обладающие высокой энергией адсорбции, как, например, ступени Френкеля, дислокации и ребра кристаллов. Однако эти места преимущественной адсорбции составляют в целом только малую часть всей поверхности и естественно предположить, что после того как они будут заполнены, их влиянием на Q можно будет пренебречь. Таким образом, простая модель активных мест не может объяснить зависимости Q от 0 при больших заполнениях поверхности. Однако имеется возможность обойти это затруднение, если принять для поверхности более динамичную модель. Нет оснований а priori считать, что дефект поверхности является неподвижным и как бы закрепленным на месте, а его передвижение во время хемосорбции дает возможность единичному дефекту посетить и активировать целый ряд адсорбционных мест. С другой стороны, если при температуре опыта вторичные процессы, протекающие в адсорбированном слое, способны создавать новые места для адсорбции или регенерировать исходные, то вновь можно себе представить, как дефекты будут влиять на хемосорбцию большого числа атомов. Так, например, регенерация дефекта может произойти как в результате поверхностной диффузии атомов от дефекта после диссоциации молекулы, так и в результате миграции хемосорбированных атомов (например, атомов Н) в междуузельные положения. Хемосорбция кислорода на некоторых металлах (например, меди, железе, кобальте) неотличима от окисления, так как после начальной стадии хемосорбции атомы металла мигрируют при 20° С (и даже при более низких [c.500]

При возврате происходит почти полное устранение точечных дефектов, перераспределение дислокаций, сопровождающееся уменьщением их суммарной упругой энергии (величины микродеформаций), частичная аннигиляция дислокаций разных знаков. Эти процессы обычно связывают с отдыхом. Заметное уменьщение плотности дислокаций и их перестроение с образованием и миграцией малоугловых границ определяют процессы по-лигонизации. [c.365]

Известно, что при быстром охлаждении от температур около 1300° на поверхпости таких металлов, как никель, в значительной степени сохраняется динамический беспорядок [88] и при закалке может образоваться большое число ( 1 на 10 частиц) неравновесных ваканси . Исходя из этого, Робертсон пришел к выводу, что процесс скопления точечных дефектов (как вакансий) является важным фактором в процессе возникновения каталитической сверхактивности. Хотя Робертсон не поясняет, как именно вакансия или группа вакансий могут играть роль активного центра , полученные им результаты можно убедительно пояснить, исиользуя представления об особой активности вакансий. Быстрое исчезновение сверхактивности, которое происходит нри разложении муравьиной кислоты, можно объяснить тем, что в ходе каталитической реакции поверхностные атомы металла становятся подвижными. Иными словами, реакция сама приводит к аннигиляции активных центров, и необходимо некоторое время, чтобы в горячей проволоке, помещенной в вакуум, в резу,пьтате процесса диффузии произошла миграция новых вакансий из объема к поверхности. (Регенерация же сверхактивности в вакууме является медленным процессом [87].) Выполненные Гуотми [77—79] исследования морфологии поверхности подтверждают существование особой подвижности поверхностных атомов во время иротекания каталитического процесса. [c.235]

Подробное обсуждение механизма переноса энергии между молекулами пигмента в хлоропластах выходит за пределы данной книги. Однако некоторые понятия, широко используемые в литературе по фотосинтезу, заслуживают разъяснения. Б начале 1950-х годов такой перенос энергии связывали обычно с индуктивным резонансом. Считалось, что этот относительно медленный перенос может происходить между слабо связанными друг с другом молекулами в растворе, например между молекулами хлорофилла Ь и хлорофилла а [259] (см. стр. 31). Позже, с развитием физики твердого тела, некоторые исследователи пришли к выводу, что молекулы хлорофилла расположены в двумерной молекулярной кристаллической решетке и ведут себя подобно полупроводнику. В таком случае соседние молекулы должны взаимодействовать так сильно, что их орбитали будут перекрываться. Миграция экситона (представляемого как электрон и положительно заряженная дырка, движущиеся вместе по решетке [187]) должна при этом происходить столь быстро, что приписать этот экситон в любой данный момент какой-либо определенной молекуле не представляется возможным. Арнольд и Шервуд [4] показали, что если высушенные хлоропласты сначала осветить при комнатной температуре, а затем нагреть до 140° С, то они будут излучать свет. Такого рода результаты подтверждают представление о том, что хлоропласты— это система, обладающая свойствами твердого тела. Описанные процессы происходили бы в полупроводнике, если бы часть возбужденных электронов захватывалась дефектами кристаллической решетки, а затем в результате поглощения кванта дальнего красного света освобождалась и попадала обратно в дырки. Аналогичные явления наблюдались в опытах со све-. жими суспензиями hlorella и листьями (по техническим причинам, однако, их не удалось исследовать количественно). Было высказано предположение, что такой же механизм лежит в основе очень слабого послесвечения, наблюдаемого в темноте при нормальной температуре после освещения зеленых тканей [285]. [c.49]

Аналогичная ситуация реализуется и в случае роста цепей на макромолекулах-матрицах. В ряде случаев, особенно при встрече растущей цепи с каким-либо дефектом матричной макромолекулы, не исключена миграция активного конца цепи в изотропной раствор. При различных вероятностях отбора конфигураций в процессе роста цепей на матрице (рост в неоднородно-анизотропной области) и в растворе (изотропная область) распределение звеньев различной конфигурации вдоль цепей будет существенно отличаться от бернуллиев-ского. [c.119]

Полученные зависимости показывают, что подвижность точечных дефектов — носителей тока определяется больцманов-ской вероятностью перескоков дефектов в соседние устойчивые положения. Это связано с тем, что перескоки ионов представляют собой активационный процесс энергию и, которую нужно затратить при перескоке часто называют энергией активации миграции иона. [c.179]

Представления о протекании химических реакций в твердых телах при низких температурах в первую очередь на структурных дефектах находят подтверждение в самых различных областях. В работе [699] при рассмотрении вопроса о значениях активацион-ных энергий миграции границ зерен в металлах сделано заключение, что процесс термической активации для миграции границ зерен в чистых металлах является аналогичным процессу локального плавления, или, другими словами, процессу локальной амор-физации кристалла в определенных активируемых объемах. В связи с этим интересно обнаруженное явление снижения на несколько десятков градусов температуры плавления индия, когда он находится в виде мельчайших частиц. [c.257]

Различие в стабильности поверхностей, подвергнутых бомбардировке ионами и закалке, согласуется с той точкой зрения, что дефекты, полученные в этих двух случаях, имеют различную природу. Вероятно, при закалке возникают скорее вакантные узлы в решетке, а не междоузлия. Маркс, Купер и Гендерсон [8], работая с Си, А , Ли, N1 и Та, подвергнутыми бомбардировке дейтронами, наблюдали низкотемпературный отжиг (около —100°) с энергией активации 0,2—0,3 эв. Это можно приписать подвижности атомов в междоузлиях, так как междо-узельные атомы в меди имеют энергию активации около 0,25 эв, согласно Хантингтону [9]. Далее наблюдалось, что второй процесс отжига имеет место при комнатной температуре с энергией активации около 1,0 эв. Возможно, что этот процесс представляет собой миграцию отдельных вакансий, так как, согласно расчетам Хантингтона и Зейтца [10], для него следует ожидать именно такую величину энергии активации. В никеле после отжига при комнатной температуре в течение 300 час. еще сохранялась значительная часть дефектов. Блевитт и Колтман [11] пришли к выводу, что в меди, подвергнутой облучению при комнатной температуре, существует очень мало простых дефектов, но имеются дефекты, локализованные на границах раздела зерен или у дислокаций внутри зерен. [c.150]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология