Однофононный процесс

Таким образом, матричные элементы оператора М (я) определяют амплитуду неупругого рассеяния с участием одного фонона амплитуду однофононного процесса). Из (7.26) и (7.27) следует, что однофононное рассеяние может идти либо как ЛГ-процесс, либо как /-процесс. [c.143]

В случае малых тепловых смещений атомов и небольших изменений волнового вектора при рассеянии мы ограничиваемся разложением (7.24). Этого разложения вполне достаточно для описания однофононных процессов неупругого рассеяния. Воспользуемся определением (7.25), учтем [c.145]

Следовательно, специфика рассеяния различных частиц (или волн) проявляется только в наличии атомного фактора Ео (д). Что же касается участия кристаллической структуры вещества в формировании однофононных процессов, то оно универсально и определяется парным коррелятором смещений. Вероятность таких процессов (7.35) пропорциональна пространственному и временному преобразованию Фурье коррелятора смещений (6.47). [c.145]

Явление неупругой дифракции, сопровождающееся описанными однофононными процессами, дает эффективный метод изучения динамики кристаллической решетки. Допустим, есть возможность создавать узкий пучок падающих на кристалл частиц и можно фиксировать направления рассеянных частиц, а также измерять их энергию. Тем самым в каждом акте рассеяния нам известны Я1, <12, 1 и Следовательно, если отвлечься от процессов переброса, вклад которых может быть отделен, мы определяем величины к и йсо для участвующего в процессе фонона. Рассматривая различные направления и разные ориентации кристалла, в принципе, можно восстановить функцию со = со (к). [c.146]

Выделяя в формуле (7.32) вероятность неупругих однофононных процессов, мы ограничились в разложении корреляционной функции (7.33) лишь слагаемыми, содержащими множители [c.147]

Для однофононного процесса квадраты модулей матричных элементов дипольного момента имеют вид Л(и + 1) в случае рождения фонона и Ли —в случае уничтожения фонона (Л — постоянная). Сумма (6.14) не зависит от заселенности состояния V, из чего делаем вывод, что в гармоническом приближении поглощение на фононах не зависит от температуры. [c.214]

К теории парамагнитной спин-решеточной релаксации в кристаллах с ионами в S-состоянии. Однофононные процессы. [c.181]

Различия в (ж ) в области высоких температур (300 К) связаны с невозможностью для РДА дать точные значения (ж ), характеризующие упруго рассеянное гамма-излучение, так как РДА из-за низкого энергетического разрешения дает данные, неотделимые от теплового диффузного рассеяния. При наличии большого числа брэгговских максимумов в белках (их разделение составляет около 30 минут) и больших межплоскостных расстояний все рефлексы смещены в область малых углов и практически неотделимы от диффузного фона, связанного с неупругими процессами, в частности, с однофононными процессами. В этой связи интенсивность брэгговских максимумов 7 убывает как 1п 7 (1 - /1)(ж )рда, где f] — доля однофононных процессов. В результате (ж )рда оказывается эффективно заниженной и становится меньше (ж )к. [c.473]

Начнем с первого механизма. Все современные представле-иия об энергетической структуре металла основываются на том, что электроны проводимости и фононы представляют собой две сравнительно слабо связанные подсистемы. Слабость взаимодействия между электронами проводимости и фононами (колебаниями решетки) обусловлена тем, что основное взаимодействие между электронами и решеткой входит в законы дисперсии электронов и фононов ). Слабость электрон-фононного взаимодействия позволяет при рассмотрении этого взаимодействия, как правило, ограничиваться однофононными процессами — поглощением и испусканием фононов электронами. Так как скорость электронов с энергией порядка энергии Ферми значительно больше скорости звука, эти процессы разрешены законами сохранения ). [c.205]

Вероятность прямого однофононного процесса невелика, так как спектральная плотность акустического спектра на ларморовских частотах мала и, кроме того, акустические волны такой частоты имеют очень большую длину и относительное смещение двух соседних диполей весьма незначительно. В результате модуляция локальных магнитных полей оказывается очень слабой. [c.103]

В данной главе основное внимание уделено колебательным спектрам КР простых ионных и ионо-ковалентных кристаллов, обусловленным однофононными процессами. Однако такое ограничение произвольно далее станет очевидным, что отдельные обсужденные примеры, вероятно, представляют больший интерес с точки зрения физики, чем с точки зрения структурной химии. Ограничение только однофононными процессами оставляет за рамками обсуждения широкий круг интересных явлений в неорганических кристаллах, которые могут быть изучены методом спектроскопии КР, например электронное комбинационное рассеяние. Однако некоторым из этих явлений достаточно внимания уделено в других главах. Мы будем рассматривать только рассеяние на оптических модах. Бриллюэновское рассеяние, которое включает акустические фононы, обсуждено в гл. 6 первого тома данной монографии. Многофононному рассеянию вследствие его низкой интенсивности уделено мало внимания, хотя в отдельных случаях оно дает в спектр свой вклад, сравнимый по интенсивности с однофононными спектрами (спектрами первого порядка). Комбинационное рассеяние в металлах, на поляритонах и магнонах, а также гиперкомбинационное рассеяние описываются очень кратко, [c.409]

Поскольку мы ограничили рассмотрение явления рассеяния только фононами, следует лишь отметить, что эффект КР на модах кристаллов связан с рождением фононов (стоксово рассеяние) или уничтожением фононов (антистоксово рассеяние). Обычно однофононный процесс доминирует в спектре, который относительно прост, если только в процессе рассеяния участвуют фононы с волновым вектором, близким к нулю. В двухфонон-ных процессах вклад в спектр дают все значения волнового вектора. [c.410]

КР. Следовательно, это отношение не может быть использовано для дифференциации различных процессов. Для этого необходимо исследовать интенсивности при различных температурах, Однофононный процесс можно отличить от двухфононного процесса по зависимости интенсивности от температуры в первом случае она пропорциональна (1 +п), а во втором— (1 п) . [c.435]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология