окисления восстановления металлических окислов

Для увеличения поверхности применяют катализаторы на различных носителях, которые также должны обладать определенной структурой, термостойкостью и механической прочностью. В зависимости от условий проведения реакции и типа реактора используют носители с различной пористостью. Носители обычно пропитывают раствором соли, содержащим необходимый для катализа металл. Чаще всего применяют соли, анионы которых можно легко удалить при нагревании,— нитраты, ацетаты и др. Последующие процессы — сушку, прокаливание, восстановление катализатора — проводят уже на носителе. Недостатком такого способа является неравномерность распределения катализатора по поверхности носителя из-за разной доступности пор. Состав такого катализатора может быть неоднородным в крупных порах образование свободного металла может закончиться, а в узких еще продолжаться. Окисление углеводородов будет протекать-тогда не на чисто металлическом катализаторе, а на смешанном (окисел металла и свободный металл). [c.30]

Носители обычно пропитывают раствором соли, содержащим необходимый для катализа металл. Чаще всего применяют соли, анионы которых можно легко удалить при прогреве — нитраты, ацетаты и др. Последующие процессы — сушку, прокаливание, восстановление — проводят на носителе. Недостатком такого способа приготовления катализатора является неравномерность его распределения по поверхности носителя из-за разной доступности пор. Фазовый состав такого катализатора может быть неоднородным, так как в крупных порах процесс образования металла может закончиться, в то время как в узких еще продолжается. Окисление углеводородов будет протекать тогда не на чисто металлическом катализаторе, а на смешанном (окисел металла и металл). [c.24]

Окислы галлия — ОагО, GaO и ОагОз- Наиболее устойчив при всех температурах нормальный окисел Ga20a — белый тугоплавкий (т. пл. 1900° С) кристаллический порошок, существующий в пяти модификациях (а, р, у, 6, е) [423, 1271]. ОагОз получают обезвоживанием гидроокиси ОагОз- НгО или прокаливанием нитрата либо сульфата галлия. Сильно прокаленная СагОз плохо растворяется в кислотах и основаниях подобно окиси алюминия. При нагревании в вакууме смеси ОагОз с металлическим галлием происходит образование темно-коричневого порошка Ga20. При окислении металлического галлия образуется GaO — соединение серого цвета, нерастворимое в воде, но растворимое в кислотах. GaO можно получить также восстановлением ОагОз водородом при 730—800°С. Оба низших окисла — сильные восстановители Eq системы Ga +/Ga + равен —0,65 в) восстанавливают серную кислоту до H2S (GaO только частично восстанавливает H2SO4 до H2S). [c.13]

В Линкольновской лаборатории Массачусетского технологического института индукционный, плазматрон использовался для выращивания монокристаллов для научных целей [4]. Такие кристаллы получали по способу, аналогичному вернейлевскому, — порошок просыпали через плазму на растущий кристалл. Применение плазмы для этих целей дает ряд преимуществ по сравнению с пламенами в плазме можно создавать химическую атмосферу, необходимую для процесса, а также выращивать кристаллы, температуры плавления которых лежат выше температур, достижимых в пламенах. Так были выращены кристаллы металлического ниобия в арго-но-гелиевой плазме, присутствие в которой даже следов кислорода или водяного пара могло привести к окислению металла. Были получены также кристаллы большинства моноокисей переходных металлов, в частности МпО, СоО, NiO [5]. Кристалл окиси марганца был выращен в потоке очищенного водорода, вводимого ниже зоны светящегося шара для того, чтобы сохранить низший окисел марганца. Кристалл же окиси никеля был получен в чисто кислородной плазме, которая препятствовала спонтанному восстановлению окисла до металла. В качестве примера получения кристаллов высокотемпературных материалов можно назвать выращивание кристалла стабилизированного окисла циркония (температура плавления 600 °С) в плазме, состоявшей из 70% кислорода и 30% аргона. [c.44]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология