Излучение звука переходное

Изменение направления скорости дислокации приводит к изменению полярности сигнала эмиссии (см. рис. 8.3д, б). Из этого экспериментального факта можно сделать вывод, что наблюдается именно переходное излучение звука, для которого, как это видно из соотношений (8.1)—(8.3), [c.213]

Рис. 8.5. Схема измерения пространственного распределения переходного излучения звука 1 - кристалл, 2 - двойник, 3 - источник излучения, 4 - пьезодатчик

Рис. 8.6. Угловое распределение переходного излучения звука, полученное с помощью пьезодатчиков первого типа а - излучение при входе скопления с поверхности в кристалл, б - излучение при выходе упругого двойника на поверхность. Макроскопические размеры датчиков не позволяют проводить процесс измерения непосредственно вблизи поверхности кристалла. В нижней части рисунков приведены результаты теоретических расчетов. Темные и светлые точки, заштрихованные и светлые области соответствуют сигналам разной полярности

Экспериментальное обнаружение переходного излучения звука дислокациями явилось первым наблюдением акустического переходного излучения в твердых телах. В дальнейшем акустическое переходное излучение [c.225]

Если ведущим механизмом АЭ является переходное излучение звука, следует ожидать для амплитуды А импульса АЭ зависимостей А при росте микрокристалла в упругом поле штампа А под сосре- [c.231]

Что касается АЭ в процессе фазового наклепа, то при размножении дислокаций внутри кристалла такой фазовый наклеп будет сопровождаться аннигиляционным излучением звука, а при размножении дислокаций с поверхности - переходным. Заметим, что переходное излучение будет сопровождать и включение покоящейся полной дислокации в другую фазу движущейся границей раздела. Аналогично ситуации с двойниковой границей (см. гл. 4) такое многократное включение также будет сопровождаться размножением дислокаций скольжения, т.е. приводить к фазовому наклепу. [c.232]

Важную дополнительную информацию о переходном излучении звука можно получить, измеряя угловые зависимости различных компонент тензора напряжений в волновой зоне. Поэтому наряду с пьезодатчиками, реагирующими на скручивающие усилия (назовем их пьезодатчиками первого типа), в работе используются также пьезоддтчики второго типа, реагирующие на сжимающие усилия. Пьезодатчики первого типа представляли собой биморфные элементы из сегнетовой соли размером 1,5 X 0,5 X 0,1 см. Резонансная частота пьезодатчиков первого типа составляла 14 кГц. Пьезодатчики второго типа изготовлялись из пьезокерамики ЦТС-19. Размер этих датчиков 0,4 X 0,3 X 0,09 см, резонансная частота 1,8 МГц. [c.210]

Под зоной формирования переходного излучения звука аналогично рассмотрению переходного электромапштного излучения [424] будем понимать область, примьпсающую к поверхности кртсталла, в которой упругое поле, увлекаемое движущейся дислокацией, и поле излучения отделяются друг от друга. Аналогично [424] определим и размер зоны формирования переходного излучения звука [c.218]

В работе [425] проведены экспериментальное обнаружение зоны формирования переходного излучения звука скоплением дислокаций и определение ее размеров, что позволяет проверить применимость соотношения (8,11) и сформулировать требования к экспериментальной ситуации, позволяющей отделить звуковые импульсы от отдельных дислокаций. Отобраны две такие экспериментальные ситуации - подход упругого дэойника к поверхности из глубины кристалла под действием внешней нагрузки и выход упругого двойника на поверхность под действием сил поверхностного натяжения. В обоих случаях обнаружен дискретный харак- [c.218]

Согласно соотношениям (8.1)—(8,4),. -мнлитуда сигнала переходного излучения звука пропорциональна скорости выхода дислокации на поверхность. Проверка этого предсказания была проведена в экспериментах [247]. Изменение скоростей выхода дислокаций на поверхность изучалось с помощью фотометрирования интерференционной окраски двойника в процессе Подхода к поверхности кристалла и последующего выхода на нее. Данные показывают, что скорость выхода днслокаш1Й на поверхность, находящихся в момент касания поверхности кончика двойника в районе интерференционного максимума, в 3-5 раз больше скорости выхода на поверхность самого кончика ). Такое же соотношение имеет место и при сравнении амплитуд сигналов АЭ, т.е. амплитуды сигналов АЭ действительно пропорциональны скоростям выхода дислокаций на поверхность. [c.219]

Обнаружение переходного излучения звука дислокациями, являясь существенным этапом физического обоснования метода АЭ, представляет и общефизический интерес, поскольку, как отмечено в монографии Гинзбурга и Цытовича [432], посвященной теории переходного излучения и рассеяния, демонстрирует общий характер переходного излучения для волн различной природы. [c.225]

Для двойников в цирконии 4 [ 194]. Таким образом, как и в случае микродвой1шков и микротрещин [194, 453], ведущим механизмом АЭ, сопровождающей образование микрокристаллов мартенсита под сосредоточенной нагрузкой, по-видимому, является переходное излучение звука (в данном случае переходное излучение звука дислокациями превращения). [c.231]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология