Профили линий

К электронике, используемой в ЭД-спектрометрах, предъявляются весьма жесткие требования, так как профили линий амплитудного распределения не должны иметь флуктуаций по шкале энергий и по ширине [c.27]

Профили линий этих пар должны быть как можно ближе друг к другу. Невозможно субъективно установить равенство почернений тонких (резких) и широких (диффузных) линий. [c.49]

Рис. 4. Профили линий (331) от золотых осадков

Для удобства обработки микрофотограмм профили линий снимались на фоне специально отградуированной стандартной сетки. [c.53]

Раздельное определение напряжений II рода и размеров блоков проводилось по методу аппроксимации. Профили линий отражения от плоскостей 220 деформированных образцов описывались функцией типа а значения 5 = =tg0(22O)/tg 0(110) и /-=зес0(22О)/зес0( 110) были между 3 и 6, т. е. расширение дифракционных линий было вызвано как микронапряжениями, так и измельчением блоков. В связи с этим расчет проводился по методике, в которой аналитически учитывалась доля уширеиия интерференционных линий за счет напряжений II рода и дисперсности блоков. В случае, когда распределение I (0) описывается функцией е микронапряжения Оц и размеры блоков О рассчитываются следующим образом. [c.160]

Примерное равенство энергий возбуждения линий х п г приводит к практически одинаковым изменениям интенсивности этих линий, обусловленным различиями в условиях возбуждения в разных зонах источника света. Так, на относительную интенсивность не влияют в заметной степени флюктуации, которые появляются из-за неодинаковой оптической фокусировки разных зон источника света на соответствующие участки щели диспергирующего прибора. Наиболее важное для спектрографического анализа оптическое требование состоит, например, в том, чтобы профили линий хл,г были бы как можно ближе друг к другу. Это приводит к минимальным флюктуациям отношения Ix/Ir за счет разъюстиров-Kft спектографа, обусловленной изменением температуры. [c.276]

ИСТОЧНИКОВ ионов пытались сфокусировать ионы на объектнук> щель. Эти эксперименты должны были закончиться неудачно, поскольку не существует ионно-оптических аналогов ахроматических линз, способных сфокусировать ионы различных начальных энергий в единое пятно изображения. Все электростатические ионно-оптические линзы имеют разные фокусные расстояния для ионов различных начальных энергий и только ионы определенной начальной энергии можно сфокусировать на объектную щель. Следовательно, эти ионы преимущественно проходят через объектную щель. Вследствие различного разброса начальных энергий ионы одного вида могут иметь преимущество по сравнению с другим Кроме того, ионы, резко сфокусированные на объектную щель, образуют у детектора узкие профили линий. [c.55]

Профили ЛИНИЙ масс исследуемых веществ, полученные на серийных масс-спектрометрах с искровым ионным источником, обычно недостаточно четки. Это может быть вызвано следующими причинами плохой настройкой прибора (не выполняется двойная фокусировка), неравномерным освещением объектной щели ионами, действием объемного заряда в ионном пучке после прохождения им объектной щели. С целью исключения эффектов размытия краев линий на фотопластинке Францен и др. [57] усовершенствовали ионнооптическую систему прибора (рис. 1.7) и использовали ее вместе с низковольтным источником на масс-спектрометре с двойной фокусировкой. [c.22]

Анализ текстуры и расширения линий. Малоугловое рассеяние 5.1. Определение текстуры поликристаллических материалов (определения, плотность полюсов и полюсная фигура, экспериментальное определение текстуры рентгеновскими методами, в том числе фотографические методы с неподвижным и движущимся образцом, дифрактометрические методы, техника эксперимента морфологические и другие методы, в том числе оптические методы и косвенные методы интерпретация полюсных фигур и текстурных 1 арт стереографическая проекция, в том числе физический смысл параллелей, меридианов круги отражения, круги отражения для метода Шульца поправки при исследовании текстуры в проходящих и отраженных лучах). 5.2. Размеры частиц и их статистика из пиний Дебая — Шеррера (ширина линии и размер частиц, в том числе определение ширины линии, определение размера частиц, форма кристаллов, методы введения поправок к ширине линии, использование эталонов, поправка на дублет профили линий и статистика размеров частиц, в том числе аналитическое выражение и фурье-преобразование для профиля линии статистика размеров частиц, втом числе средние диаметры, отклонения и дисперсия, доля частиц с заданным интервалом диаметров, объемная статистика, функция распределения по диаметрам, выбор масштаба методы исправления профиля линии, в том числе прямые методы, методы Фурье, детальный анализ факторов расширения линии эффект конечного суммирования). 5.3. Малоугловое рассеяние (порядок величины углов для малоуглового диффузного рассеяния, единичная однородная частица, в том числе общая формула для рассеивающей способности, различные формы частиц сферически симметричная неоднородная частица, группа малой плотности из идентичных беспорядочно ориентированных частиц, в том числе общая формула, частицы различной формы, приближенная формула, закон Гинье, приближение для хвоста кривой, закон Порода эффекты интерференции между частицами для плотных групп идентичных частиц, в том числе формулы Дебая и Фурье группы малой плотности из частиц, имеющих различную форму, в том числе 1фивые Роиса и Шалла, вкспоненциальное приближение, приближение для хвоста кривой общий случай, предельная рассеянная интенсивность при нулевом угле полная энергия, рассеянная при малых углах, поправки на высоту щели у первичного луча, в том числе случай гауссовского распределения интенсивности, поправка для однородного луча с бесконечно высокой щелью, формулы преобразований). [c.324]

В плотной плазме профили линий определяются главным образом взаимодействием излучателей с окружающими частицами. Этот тип уширения, который обычно называют уширением под действием давления, можно подразделить на резонансное, вандерваальсово и штарковское. Первое обусловлено взаимодействием излучателей с атомами того же сорта, второе — с атомами другого сорта и последнее — взаимодействием с заряжен-ныдш частицами. При концентрациях ионов и электронов, превышающих 1%, преобладают дальнодействующие кулоновские силы и мы имеем дело только со штарковским уширением. [c.173]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология