Метод качания дифракционная картина

Метод качания. Вторым методом, весьма удобным для выявления симметрии, является метод качания. Здесь дифракционная симметрия обнаруживает себя почти столь же непосредственно. Правда, при съемке по методу качания различные плоскости кристалла оказываются в отражающем положении в различные моменты времени. Но если рассматривать лишь суммарный эффект, не учитывая фактора времени, то и здесь дифракционная симметрия находит непосредственное геометрическое выражение. Рентгенограмма фиксирует этот суммарный эффект. Другое отличие картины, полученной методом качания, обусловливается тем, что качание происходит вокруг одной определенной оси. Симметрия рентгенограммы определяется не одним, а двумя направлениями оси вращения и первичного пучка. Это сокращает число типов симметрии до пяти Си Сг, С , Са , С г, (рис. 129). [c.256]

Этот метод используется для точной юстировки кристаллов. Дуги гониометрической головки устанавливают таким образом, чтобы одна из них была параллельна рентгеновскому пучку, а другая перпендикулярна. Затем при этом положении снимают рентгенограмму качания в интервале 15 . После этого головку поворачивают на 180 и повторяют съемку с большим периодом времени. Таким способом получают две дифракционные картины на одной и той же фотопленке. Опорную линию, от которой можно проводить измерения поправок, проводят в виде горизонтали между двумя получившимися на снимке нулевыми слоевыми линиями. [c.60]

Методы вращения и качания. В этих методах монохроматический пучок рентгеновских лучей направляется на монокристалл, который медленно вращается вокруг своей оси или колеблется в пределах 10—20°. Таким образом, угол 9 меняется в известных пределах и при некоторых его значениях становится возможным появление дифракционной картины. В этом методе также используется цилиндрическая фотопленка, на которой регистрируется дифракционная картина (рис. 4.6). [c.53]

НИИ пленки они дают линию, которая называется нулевой слоевой линией. Дифрагированные пучки от всех остальных плоскостей составляют угол с этой горизонтальной плоскостью, и они попадают на небольшое число горизонтальных окружностей на пленке, известных как первая, вторая слоевые линии и т, д. (см. приложение, рис. 15 и 16). Картина сходна с той, которую давала бы линейная дифракционная решетка с расстоянием с, составленная из ребер параллельных плоскостей атомов в кристалле, перпендикулярных оси с [плоскости 001)]. Линии этой решетки — горизонтальные, так что дифрагированные лучи первого порядка составляют с плоскостями 001) угол 0, определяемый обычным условием дифракции = с sin 0. Такие дифрагированные лучи образуют конус, дающий с цилиндрической пленкой горизонтальную окружность. Точные положения пятен на первой или какой-либо другой слоевой линии, естественно, зависят от плоскостей, от которых происходит отражение (в смысле уравнения Брегга). Пятна на рентгенограмме вращения индицируются сравнительно легко. Эта задача еще более упрощается при использовании метода Вейссенберга, при котором синхронно с вращением камеры происходит медленное продольное качание ее. При этом становится возможным точно установить, какие плоскости находятся в положениях, обеспечивающих отражение для любой точки пленки. [c.306]

На рентгенограммах качания такие наложения отсутствуют. Однако чтобы получить полную дифракционную картину, возникающую при вращении кристалла вокруг какого-то направления, необходимо последовательно снять ряд рентгенограмм качаний. Такой метод получения дифрак- ционной картины ае очень удобен. Поэтому применение рентгенограммы качания ограничивается определением параметров решеток. [c.90]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология