Теплота образования кристаллов

Теплота образования кристаллов. [c.651]

Теплота образования кристаллов, которую в общем виде можно найти как теплоту затвердевания [c.604]

Ясно, что двумя главными факторами являются энергия ионизации и энергия решетки [/долн- Оба этих слагаемых увеличиваются при возрастании положительного заряда катиона, и именно различная степень их увеличения в основном определяет величину теплоты образования кристалла. Поскольку энтропия образования соединения, как правило, невелика, а колебания энтропии образования еще меньше, то именно энтальпия образования является решающим фактором, который определяет вели- [c.295]

Q — теплота образования кристалла состава МХ из компонентов. [c.37]

Нитрид алюминия представляет собой серый порошок удельного веса 3,05, плавящийся под давлением 4 ат при температуре 2200° и возгоняющийся при температуре 1840—1870°. Теплота образования кристаллов этого соединения вычислена равной +74,7 ккал/моль. При температуре 100° нитрид алюминия разлагается водой, образуя аммиак. [c.220]

Экспериментальные величины были получены, как и в случае одновалентных ионов, при помощи использования данных о теплотах растворения и энергиях решеток. Последние, однако, не были вычислены непосредственно, а рассчитаны по теплотам образования кристалла и другим термическим данным и по определенным [c.400]

Формула Капустинского (39.18) широко применяется в термохимии для расчета некоторых неизвестных теплот. Так, по формуле (39.19) цикла Борна — Габера можно найти теплоту образования кристалла, если известны теплоты образования крнов и энергия решетки. Последнюю легко рассчитать по уравнению Капустинского. Аналогично можно найти неизвестную теплоту образования газообразного иона и связанные с ней величины, например сродство атома к электрону. Если в узлах решетки находятся сложные ионы (ионы SO 4- в NajSQt, NH/ в ННц,С1и др.), то, пользуясь термохимическим значе-. нием энергии решетки, можно по формуле Капустинского рассчитать эффективный радиус сложного иона. Эти эффективные так называемые термохимические радиусы пригодны затем для расчета по формуле (39.18) энергии решеток, содержащих сложные ионы. Эта формула и ее модификации широко использованы в химии комплексных соединений К. Б. Яцимирским [к-8]. Зная экспериментальные теплоты растворения солей и энергии решетки по Капустинскому, можно рассчитать из термохимического цикла теплоты сольватации солей, широко используемые в теории растворов. [c.170]

Оо = Si (iiii — -2 2) "Ь Sk [ к — — < 2) 2] + Qol/i -o ( и о)1 (XV.3) Основные размеры кристаллизатора определяются поверхностью теплообмена, необходимой для охлаждения раствора в заданных пределах температуры и отвода теплоты кристаллизации. Напомним, что величина определяется по теплоте растворения с учетом теплоты гидратации в случае образования кристаллогидратов, В случае изотермической кристаллизации путем выпаривания насыш,енного раствора справедливы методы расчета выпарных аппаратов, изложенные в главе VHI, если из обш,его расхода тепла вычесть теплоту образования кристаллов. [c.700]

Четырехокись осмия ОзО представляет собой бесцветное вещество удельного веса 4,906, плавящееся при 39,5°. Температура кипения этого окисла относительно низка и составляет всего лишь 130°. Теплота образования кристаллов соединения 0з04 определена равной +93,6 ккал/моль. [c.676]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология