Теплота кристаллов

Было предпринято много попыток установить связь между перенапряжением водорода на данном металле и каким-либо другим его физическим свойством каталитической активностью по отношению к реакции рекомбинации свободных атомов водорода, теплотой плавления металла или теплотой его испарения, работой выхода электрона, минимальным межатомным расстоянием в решетке кристалла, коэффициентом сжимаемости и т. п. В результате исследований было отмечено, например, что чем выше температура плавления, тем ниже перенапряжение водорода однако это наблюдение нельзя рассматривать даже как приближенное правило. Бонгоффер (1924) нашел, что чем выше каталитическая активность металла по отношению к реакции рекомбинации атомарного водорода, тем ниже на нем перенапряжение водорода [c.399]

Влияние поверхности. Для физической адсорбции имеет значение лишь величина поверхности, но химическая адсорбция— весьма специфичный процесс. Так, например, водород хемосорби-руется не окисью алюминия, а никелем, и кислород не окисью магния, а углеродом. Такое поведение согласуется с предположением, что хемосорбция сходна в общем с химической реакцией. На хемосорбцию оказывают влияние физическое состояние поверхности и ее химический состав. Неоднородность поверхности катализаторов доказывается, например, тем, что теплота процесса постепенно снижается по мере протекания хемосорбции. Поверхность состоит из атомов различной степени насыщенности. Атомы у краев кристаллов, трещин и выступов, вероятно, менее насыщены и, следовательно, более активны. [c.206]

Вольфрам является самым тугоплавким из металлов. В ряду Сг—Мо—W наблюдается повышение температуры плавления и теплоты атомизации (возгонки), что объясняют усилением в металлическом кристалле ковалентной связи, возникающей за счет (-электронов. На свойства металлов в большой степени влияют примеси. Так, технический хром—один из самых твердых металлов, в то время как чистый хром пластичен. [c.549]

Образцы сплавов мышьяка со свинцом (рис. 17.8) можно получить самых различных составов — от чистого свинца до чистого мышьяка. Образец чистого свинца помещают в тигель и нагревают в печи до температуры, превышающей точку плавления. Для измерения температуры в образец вводят один из спаев термопары. После выключения печи температура образца начинает понижаться в результате перехода тепла путем теплопроводности и радиации от образца к печи и от печи в окружающую среду. Такое понижение температуры в зависимости от времени показано на кривой (слева) на рис. 17.12. (Эти кривые называются кривыми охлаждения.) При температуре отвердевания мышьяка (817 °С) происходит разрыв непрерывности кривой зависимости I от времени, и эта кривая продолжается уже параллельно оси абсцисс, т. е. с наклоном, равным нулю. На протяжении некоторого периода времени теплота кристалли- [c.524]

Теплота кристалли- 2, Теплота испарения [c.125]

Теплота кристалли- С маточным раствором 0м(м =(3в [c.684]

Первые работы Дж. Гильдебранда связаны с обоснованием закономерностей идеальных растворов. Им показано, что если при образовании раствора теплота растворения кристаллов соответствует скрытой теплоте плавления и растворы образуются без изменения суммы объемов, растворы следуют закону Рауля [61]. Рассматривая механизм внутримолекулярного взаимодействия в растворе, Дж. Гильдебранд ввел понятие о внутреннем давлении. Жидкости с равными внутренними давлениями образуют идеальный раствор. Жидкости с близкими внутренними давлениями и близкой полярностью взаимно растворимы в широком диапазоне концентраций. Для оценки энергии связи сил межмолекулярного взаимодействия им использованы величины скрытой теплоты испарения. Растворы с дисперсионными силами взаимодействия, у которых теплоты, смешения имеют низкие значения, а изменение энтропии происходит по закону идеальных газов, были выделены в отдельный класс, полу- [c.213]

По общепринятым сейчас представлениям, истоки которых можно найти в работах И. А. Каблукова (1891), энергия, обеспечивающая разрыв связей в молекуле пли в решетке кристалла, а следо-вател[)Ио, и появление попов, выделяется в самом процессе электролитической диссоциации и представляет собой результат взаимодействия между растворяемым веществом и растворителем. Благодаря этому взаимодействию образуются комплексы, состоящие из молекул растворителя, т. е. сольватированные или, в случае водных растворов, гидратированные ионы. Энергетические эффекты, наблюдающиеся ири этом, были названы, по предложению Фаянса (1915), энергиями сольватации АОс. = ис) или, в водных средах, гидратации (—А0,.= 7г), а соответствующие тепловые эффекты — теплота-ми сольватации (—АНс= с.) и гидратации (—АЙг = ()г)- [c.47]

Переход охлаждаемой жидкости в кристаллическое состояние не всегда начинается точно при температуре замерзания. Если жидкость не содержит хотя бы мельчайших твердых частиц, которые могут служить центрами кристаллизации, то имеет место переохлаждение, и выделение кристаллов начинается при более низкой температуре. Процесс кристаллизации сопровождается выделением теплоты, вследствие чего температура системы вновь повышается и достигает равновесной температуры замерзания, при которой и протекает весь остальной процесс кристаллизации. [c.361]

Если одна кристаллическая модификация при повышении температуры должна перейти в другую, то возможен некоторый перегрев выше температуры устойчивого равновесия. Это объясняется тем, что переход из одной кристаллической модификации непосредственно в другую не может совершаться столь же легко, как плавление. Перегретая модификация должна быть выдержана некоторое время при достигнутой температуре для того, чтобы произошла перестройка кристаллической решетки. Если же кристаллы достигли температуры плавления, то перегрев невозможен, так как всякое дальнейшее подведение теплоты приводит к немедленному разрушению решетки. [c.364]

Точка а отвечает одной фазе—жидкому кадмию. Число фаз не меняется, пока не будет достигнута температура кристаллизации кадмия 321 °С. В момент достижения этой температуры налицо одна жидкая фаза. При дальнейшем отнятии теплоты появляется вторая фаза в виде кристаллов. Весь процесс кристаллизации чистого веш,ества от начала до конца протекает при постоянной температуре. Следовательно, фигуративная точка всей системы не смещается. Иными словами, пока идет превращение, система условно инвариантна. По окончании кристаллизации фигуративной точке снова отвечает одна, но уже твердая фаза . Дальнейшее отнятие теплоты вызывает понижение температуры кристаллов, и фигуративная точка опускается. [c.374]

Выделение кристаллов кадмия продолжается до тех пор, пока фигуративная точка жидкой фазы не совпадет с точкой I. Расплав этого состава находится в равновесии как с кристаллами кадмия, так и с кристаллами висмута, а потому при отнятии теплоты из жидкой фазы одновременно выделяются кристаллы [c.374]

С макроскопической точки зрения явления роста (растворения) кристаллов, диффузии молекул растворенного вещества к грани кристалла (или от нее), выделение скрытой теплоты кристаллизации (растворения) и переноса тепла в жидкой и твердой фазах, формирование полей концентраций, температур, скоростей в окрестности отдельного кристалла можно отнести к классу детерминированных систем. Однако системам присущи и явления стохастического характера зародышеобразование, агломерация и [c.3]

Расчет потенциальной энергии адсорбции некоторых углеводородов на грани [100] кристалла окиси магния, при котором были приняты во внимание дисперсионные и индукционные силы, дал значения, близкие к измеренным теплотам адсорбции. [c.494]

Работу всегда можно преобразовать в теплоту. В качестве простейшего примера обычно приводят трение. Камень, движущийся как единое целое с большой скоростью, хотя его молекулы совершают сравнительно медленное беспорядочное движение, останавливается при перемещении по поверхности вследствие трения. После остановки камень уже не имеет скорости движения как единое целое. Однако его молекулы и молекулы поверхности, по которой он скользил, движутся теперь с большими индивидуальными скоростями, чем раньше. Если тело хотя бы частично состоит из газа, молекулярное движение усиливается в прямолинейном направлении во всем сосуде. Если же тело является твердым, в нем усиливается колебательное движение атомов и молекул относительно средних положений в кристалле. В любом случае мы имеем дело с превращением макроскопического движения в микроскопическое. [c.54]

При движении раствора через слой кристаллов уменьшается пересыщение раствора по высоте аппарата за счет роста находящихся в слое кристаллов. Выделяющаяся скрытая теплота кристаллизации изменяет температуру раствора, изменение температуры смеси приводит к изменению равновесной концентрации раствора, в результате чего пересыщение оказывается зависимым от [c.211]

В процессе роста Кристалла выделяется теплота. Что теплее растущий кристалл или 01 ру-жающий его раствор [c.56]

В соответствии с принципами непрерывности и соотистствия появление новых фаз в системе отражается на кривых oxji i и ния участками с замедленной скоростью охлаждения (за счет выделяющейся теплоты кристалл зацми) или температурными остановками. Для построения диаграммы состояния переносят все точки изломов и температурные остановки с кривых охлаждения па координатную сетку температура — состав, а затем соединяют полученные точки. [c.91]

После смешения маточного раствора с исходным температура раствора лишь незначительно увеличивается и раствор может стать несколько ненасыщенным. Тогда в этой части аппарата могут возникнуть условия для растворения циркулирующих кристаллов. Вместе с тем после смешения увеличивается и концентрация раствора и условия могут быть таковыми, что раствор может стать насыщенным либо даже перенасыщенным. Выделяющаяся скрытая теплота при кристаллизации (или поглощающаяся при растворении) изменяет температуру раствора. Изменение температуры раствора приводит к изменению равновесной концентрации раствора, что влияет на рост (растворение) кристаллов. [c.178]

Чистота углеводорода, мол. % превр, °С крист, °с Теплота превра- щения, кал/молъ Теплота кристалли- зации, кал/молъ Криоско- пическая константа А, моль%/град [c.720]

Поры тонкопористых адсорбентов заполняются молекулами сильно адсорбирующихся веществ уже в области малых относительных давлении паров, так что адсорбция достигает предела. Это выражено особенно ярко в случае адсорбции пористыми кристаллами цеолитов (см. рис. XIX, 2), В случае же крупнопористых адсорбентов на поверхности пор, за исключением мест их сужений, адсорбция в области малых значений р1р происходит подобно адсорбции на непористых телах той же химической природы. Поэтому на стенках широких пор в области больших. значений р/р образуются, как и на поверхности непористых адсорбентов, полимолекулярные слои. Мы вргдели (см. рис. XVI, 8), что теплота адсорбции при образовании таких полимолекулярпых слоев близка к теплоте конденсации. Поэтому свойства адсорбата в этом случае действительно близки к свойствам жидкости. Чтобы выяснить возможность конденсации пара на поверхности жидкой пленки адсорбата в порах, весьма важно найти зависимость давления пара от кривизны поверхносги жидкости. [c.521]

Как видно из этих данных, теплоты гидратации имеют тот же порядок, что и энергии решеток (см., например, данные для Na l) и могут обеспечить распад кристалла на отдельные ионы. [c.49]

При охлаждении расплава (раствора) кривая охлаждения имеет 5олее сложный вид (рис. 79, кривая 2). В простейшем случае охлаж-гения расплава двух веществ вначале происходит равномерное по--1ижение температуры, пока из раствора не начинают выделяться <ристаллы одного из веществ. Так как температура кристаллизации раствора ниже, чем чистого растворителя, то кристаллизация одного из веществ из раствора начинается выше температуры кристаллизации раствора. При выделении кристаллов одного из веществ состав жидкого расплава изменяется и температура его затвердевания непрерывно понижается по мере кристаллизации. Выделяющаяся при кристаллизации теплота несколько замедляет ход охлаждения и поэтому, начиная с точки Ь, крутизна линии кривой охлаждения уменьшается. Наконец, когда расплав делается насыщенным относительно обоих веществ (точка с), начинается кристаллизация обоих веществ одновременно. Это отвечает появлению на кривой охлаждения горизонтального участка (сс1). Когда кристаллизация заканчивается, наблюдается дальнейшее падение температуры. [c.136]

В табл, 5 приводятся свойства циклано-алкановых углеводородов, выделенных из стандартных топлив (см. табл. 2). По сравнению с ароматическими углеводородами циклано-алка-новые углеводороды обладают меньшей плотностью и меньтпей объемной теплотой сгорания, более высокими температурами застывания и кристалли-зации. Физико-химические свойства алкановых и циклановых углеводородов существенно различаются. [c.16]

При охлаждеии бинарного расплава, отвечающего фигуративной точке Ь, кристаллизация протекает иначе. При охлаждении расплава фигуративная точка доходит до положения g, в котором расплав оказывается предельно насыщенным относительно кадмия и представляет собой только одну фазу . При дальнейшем отнятии теплоты начинается кристаллизация кадмия. Но выделение кристаллов кадмия изменяет состав остающегося расплава в сторону обогащения его висмутом, и кристаллы кадмия оказываются в равновесии с жидкой фазой уже иного состава, чем в точке g. По мере выделения кадмия его содержание в расплаве постепенно уменьшается, а следовательно, температура, необходимая для дальнейшей кристаллизации, непрерывно понижается. [c.374]

Изменения, происходящие в системе, при дальнейшем охлаждении зависят от состава исходного расплава. В первом случае (расплав I) после того как весь кристаллический a- aSiOj вновь растворится, получается система, состоящая только из двух фаз— расплава с и кристаллов химического соединения. Такая система обладает одной степенью свободы. Дальнейшее отнятие теплоты уже приводит к понижению температуры и к связанному с этим выделению следующих количеств кристаллов химического соединения. [c.387]

Во втором случае (расплав И) при кристаллизации химического соединения полностью используются как расплав, так и кристаллы a- aSiOg, и система образует одну фазу—кристаллическое химическое соединение, состав которого не изменяется при дальнейшем отнятии теплоты. [c.387]

В третьем случае (расплав III) некоторое количество a- aSiOg остается неиспользованным после того, как весь расплав израсходован на образование химического соединения, и по окончании кристаллизации химического соединения система состоит из двух фаз—кристаллов химического соединения и кристаллов компонента a-GaSi Од, которые не изменяются при дальнейшем охлаждении до 1190 °С. При этой температуре а-модификация aSiOj переходит в р-модификацию с выделением соответствующего количества теплоты. [c.387]

Прн растворении кристаллов происходит их разрушение, что требует затраты энергии. Поэтому растворение должно было бы сопровождаться поглощением теплоты. Если же наблюдается обратный эффект, то это показывает, что одновременно с растворением происходит кякое-то взаимодейстпие между растворителем и растворенным веществом, ири котором выделяется в виде теплоты больше энергии, чем се расходуется ип разруи]еиие кристаллической решетки. [c.216]

Согласно представленному циклу процесс образования кристалли ческого хлорида натрия из твердого металлического натрия и ГН зообразного хлора возможен по двум путям. Первый путь состоит в превращении натрия и хлора в состояние ионов Na+ и С1 и образовании из них твердого хлорида натрия. В соответствии с определением понятия энергия кристаллической рещетки при образовании Na l из газообразных ионов выделяется энергия, равная по абсолютной величине Uo. Для получения ионов натрия требуется перевести металлический натрий в газообразное состояние. На это затрачивается теплота возгонки ДЯвозг. Затем нужно подвергнуть атомы ионизации, что требует энергии ионизации/ма. Для получения ионов хлора необходимо сначала разорвать связь в молекуле СЬ (на получение 1 моль С1 потребуется /г св), затем к атому хлора нужно присоединить электрон, оторванный от атома натрия при этом выделяется энергия сродства к электрону E u Все указанные здесь величины мo yт быть измерены. [c.153]

Рассмотрим модель кристаллизатора [27]. Изучается процесс кристаллизации в периодическом кристаллизаторе идеального смешения. Полагается, что выделение теплоты кристаллизации не изменяет температуры раствора и пересыщение раствора пропорцио-нально его концентрации Ас с— , t). Скорость роста т] считается зависящей от пересыщения раствора и размера кристалла, а скорость образования зародышей / — от пересыщения. Рост линейного размера кристаллической затравки при изменяющемся пересыщении описывается следующим образом [c.173]

Температуры и теплоты плавления кристаллов. Температура плавления кристаллов данного вещества зависит от внешнего давления, от присутствия примесей и для высокодисперсных порошков— также от степени дисперсности. Эт11 зависимости мы будем рассматривать позднее здесь же ограничимся температурами плавления только чистого вещества и только при атмосфер-> ном давлении. Температура плавления при атмосферном давлении называется также точкой плавления. Ее называют иначе температурой (или точкой) отвердевания данного вещества. Для веществ с низкой температурой плавления (ниже 15—20° С) ее называют также температурой (точкой) замерзания. [c.150]