Кристаллическая решетка катода

Более детальные подсчёты показывают, что при не слишком больших скоростях ионов на интенсивность распыления оказывает большое влияние закон распределения энергии между ионами. Учитывается также, что далеко не все атомы, освободившиеся из кристаллической решётки катода, попадают в виде распылённых частиц на стенки и на другие электроды трубки, а часть их возвращается обратно на поверхность катода. Полученные таким путём количественные результаты хорошо совпадают с экспериментальными данными в случае большого давления газа и малого катодного падения [1528]. [c.470]

Объяснение термоэлектронной эмиссии оксидных катодов на основе зональной теории полупроводников. Электронная теория металлов Зоммерфельда, хорошо объясняющая количественно термоэлектронную эмиссию из металлов, не учитывает наличия кристаллической решётки металла, а также наличия иных электронов, кроме электронов проводимости. [c.45]

Рис. 150. Включения избыточного бария в кристаллической решётке окиси бария ва оксидной катоде.

Существенный для явлений в полупроводниках факт состоит в том, что нарушение правильного строения кристаллической решётки изменяет расположение энергетических уровней, возможных для электронов. Особенно существенную роль играют нарушения строения кристаллической решётки при наличии в ней посторонних, или избыточных, атомов. Присутствие таких атомов в отдельных точках внутри кристалла приводит к появлению на энергетической диаграмме новых дозволенных местных [локальных) уровней, расположенных на энергетической диаграмме между верхней заполненной полосой и полосой проводимости, как это показано на рис. 10. Кристаллическое тело, являющееся в чй-стом виде диэлектриком с высокими изоляционными свойствами, становится полупроводником при наличии в нем нримесеи ( примесной нолупровод-ник ). Это имеет место и в случае частичного восстановления бария в кристаллах окиси бария. При активировке оксидного катода увеличивается число электронов в полосе проводимости, а следовательно, и электропроводность оксидного катода. [c.47]

Но если ср очень мало, а концентрация электронов полосы проводимости сравнительно велика ), то может иметь место значительный выход электронов непосредственно из зоны проводимости и смещение границы Хц в сторону длинных волн. Этим можно объяснить наличие двух максимумов спектральной характеристики у кислородно-цезиевых катодов и сдвпг у них длинноволнового максимума и порога фотоэффекта в сторону длинных волн при обработке слоя окиси цезия, когда происходит всё большее и большее нарушение кристаллической решётки путём увеличения числа вкрапленных в эту решётку избыточных и посторонних атомов. Подтверждением этих соображений могут служить расчёты Брюнинга и Дебура, показавшие, что полоса проводимости лежит ближе всего к вершине потенциального барьера, как раз у тех полупроводников, для которых экспериментально установлена большая чувствительность к фотоэффекту и граничная частота в области инфракрасных волн. С этой же точки зрения можно объяснить, как предполагает Н. С. Хлебников, различный ход утомления кислородно-цезиевых катодов при облучении их коротковолновым и инфракрасным излучением. [c.77]

До сих пор мы рассматривали вещества (металлы и их ей j единения) постоянного состава, атомы которых жёстко связаны- i. с отдельными точками кристаллической решётки, свойственной рассматриваемому веществу. Для оксидного катода IIM t зна-. чение, однако, не только подобные статические состояния равно весия, но необходимо рассмотреть также явления, сопровождае . = мые движением отдельных атоме в решётке, а следовательно, и HaMeHesHeM химического o Tasa рассматриваемого вацества., [c.293]

Однако эти рассуждения нельзя переносить, как это дедае Де Бур, на термоэлектронную эмиссию подобных же к Термоэлектронная эмиссия вызывается не возбуждением из а тепловой энергией всей кристаллической решётки. Этот цесс может быть правильно представлен лишь путём рассм ния всей кристаллической решётки со всеми её электрона как это было произведено для металлов в 5. При этом внутренность этой решётки и перенос в ней электронов не будут уже иметь второстепенного значения. Механизм эмиссии ою ного катода может быть поэтому представлен лишь по анало с представлением о механизме эмиссии металлов, с учётом, нечно, особенностей оксидного <уюя как химического соедийс-ния. Правильность этих соображений подтверждается тем, то скорость термоэлектронов, эмиттированных оксидным катод не однородна, как в случае фотоэлектронной эмиссии, а дает, как показали Демский [155], а также Гейнце и Гасс [21 максвелловским распределением. [c.329]

Ш от катода нз чистой окиси бария к катоду из смеси К> с отношением молекулярнь х процентов компонент, рав- ным 1 1, полная работа выхода, определяемая уравнениями <124) и (123), изменяется примерно на 0,20 эл.-в. Это изме-. нение состоит яз изменения внут нней работы выхода, вс№д-. ствие перехода от решётки чистой окиси бария к смешанной кристаллической решётке, и изменения внешней работы выхода, обуслсюдонного изменением состава поверхностного слоя от активированной чистой окиси бария к активированной барием киси стронция. Эти изменения внутренней я внешней работ вы- [c.384]

Внутренняя работа выхода в только что описанных опытах изменяется, так как при холодном катоде напыляемый барий может диффундировать внутрь оксидного слоя. Если, однако, исследуемый катод нагревается, то находящийся на поверхности б -рий диффундирует внутрь слоя и влияет на внутреннюю рабо выхода. Соответствующие опыты, проведенные Губером [210 сначала показали, что при накаливании исследуемого катода До 1000° К, ток насыщения возвращается к значению для чистой окиси стронция. Очевидно, количество бария, необходимое для активирования поверхности, настолько мало, что после диффузии внутрь слоя оно вызывает там лишь неизмеримо малое изменеш е внутренней работы выхода. Если, однако, на исследуемый к барий напылялся не только до появления максимума эмиссии, и значительно дольше, то после накаливания при 1000° К пр й измерении наблюдалось возрастание тока насыщения почти до значения, которое наблюдалось до этого, при напылении бария из геттера. После сильного напыления бария его запас на повер -ности оказывается достаточным, чтобы, после диффузии внутрь и заполнения пустых узлов кристаллической решётки окиси стро1-ция, существенно изменить также и внутреннюю работу выхода. При этом, как и при напылении бария с геттера, изменяете также и внутренняя работа выхода слоя чистой самоэктивирован ной окиси стронция со значения до значения дуд для сло активированного извне барием. [c.387]

Рентгеноструктурные исследования катодов из окисей бария и стронция показали, что в процессе активировки смесь кристаллических крупинок отдельных окислов превращается в твёрдый сплав с однообразным кристаллическим строением (равномерное распределение ионов бария и стронция, определённое расстояние между узлами решётки, изменяющееся с изменением процентного состава твёрдого сплава). [c.44]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология