Фотоэлементы внутреннее сопротивление

Спектральная характеристика фотоэлемента сильно зависит от температуры. Величина фототока, возникаюш,его в фотоэлементе, прямо пропорциональна интенсивности падающего на фотоэлемент монохроматического излучения. Сопротивление гальванометра должно быть возможно малым и не превышать внутреннего сопротивления фотоэлемента. Чувствительность фотоэлемента различна на различных участках его поверхности. Поэтому нужно всегда освещать определенный участок поверхности фотоэлемента. [c.465]

Характеристики фотоэлементов с внешним фотоэффектом мало зависят от температуры, поэтому они могут быть использованы без термостатирования. К недостатку этих фотоэлементов относится их утомляемость, выражающаяся в уменьшении чувствительности при длительной работе. Величина фототока в данных фотоэлементах может составлять доли микроампера, поэтому требуется дополнительное его усиление. При этом усилитель фототока должен обладать большим входным сопротивлением, так как внутреннее сопротивление фотоэлементов составляет несколько сотен мегомов. [c.242]

Вентильный фотоэлемент — грубое малочувствительное устройство для измерения интенсивности излучения. Несмотря на то что он обладает некоторым преимуществом, так как не требует внешнего источника питания, низкое внутреннее сопротивление затрудняет усиление его сигнала. Поэтому вентильный фотоэлемент обеспечивает быстро измеряемый сигнал при высоком уровне освещенности. Он страдает недостатком чувствительности при малой ин- [c.122]

Для получения хорошей линейной зависимости между интенсивностью падающего электромагнитного излучения на фотоэлемент и силой фототока во внешней цепи фотоэлемента необходимо, чтобы сопротивление гальванометра не превышало внутреннего сопротивления фотоэлемента и было по возможности меньше. [c.329]

Луч света от зеркальца гальванометра попадает на фотоэлемент через последний ток проходит в те полупериоды, когда тиратрон не проводит тока. Напряжение с нагрузочного сопротивления фотоэлемента подводят к управляющей сетке лампы Л , вследствие чего сопротивление анодной цепи лампы меняется в соответствии с освещенностью фотоэлемента. Внутреннее сопротивление лампы и конденсатор С образуют фазосдвигающую цепочку, поэтому при изменении сопротивления лампы меняется [c.475]

И. Почему для фотоколориметрирования с вентильными фотоэлементами выбирают гальванометры с возможно меньшим внутренним сопротивлением [c.114]

Для того чтобы, наблюдалась линейная зависимость между силой фототока во внешней цепи фотоэлемента и интенсивностью падающего на него светового потока, сопротивление гальванометра должно быть по возможности малым и не должно превышать внутреннего сопротивления фотоэлемента. [c.94]

Количество света, попадающее на фотоэлемент, в спектрофотометрах значительно меньше, чем в фотометрах со светофильтрами. Поэтому ток фотоэлемента не может быть измерен непосредственно, а должен быть предварительно усилен. Фотоэлементы с запирающим слоем в данном случае не применяются, так как их фототок ввиду относительно небольшого внутреннего сопротивления нельзя эффективно усилить до нужных размеров обычными усилителями на электронных лампах. Коэффициент усиления для используемых фотоэлементов с внешним фотоэффектом должен быть порядка 100 000—1 000 000. [c.139]

Чувствительность вакуумных фотоэлементов обычно лежит в интервале от нескольких десятков до нескольких сотен микроампер на люмен. Хотя чувствительность невелика, но это не является большим препятствием для применения вакуумных фотоэлементов, так как они имеют, очень большое внутреннее сопротивление и фототок можно легко усилить с помощью ламповых усилителей. [c.208]

При изготовлении фотоэлемента слой полупроводника, например селена, закиси меди, сульфида серебра, наносят на металлическую (железную) подкладку. Внешняя поверхность полупроводника подвергается специальной обработке, и на нее наносят хорошо проводящую пленку золота, серебра или меди. При освещении такой поверхности в электрической цепи, составленной из фотоэлемента и гальванометра, возникает ток. В селеновом фотоэлементе верхний проводящий слой металла заряжается отрицательно. Если применять гальванометр с малым внутренним сопротивлением, то почти весь фототок проходит через гальванометр. Кривые спектральной чувствительности селенового фотоэлемента и глаза очень близки, что позволяет разработанные для визуальной колориметрии методики применять при работе с фотоэлектрическими колориметрами. Каждый фотоколориметр состоит из осветителя, линзы, светофильтров, фотоэлементов и гальванометра. Для получения постоянства света осветитель включается через стабилизатор напряжения тока. [c.589]

Фотоэлемент с запирающим слоем обладает относительно малым внутренним сопротивлением (несколько тысяч омов и меньше), поэтому для усиления его потенциала к нему не могут быть применены обычные электронные схемы. Эта трудность преодолевается устройством специального усилителя. На рис. 146 показана схема усилителя . Э. д. с., создаваемая фотоэлементом, прикладывается к двум последовательно соединенным сопротивле- [c.192]

Источники, создающие электрический ток (возбудители тока) за счет химических, механических и других видов энергии, носят название генераторов тока (гальванические элементы, фотоэлементы, динамо-машины и т. п.). Разность потенциалов, которая устанавливается между замкнутыми полюсами генератора тока, называется напряжением тока, или вольтажем разность же потенциалов, присущая полюсам генератора тока при разомкнутых полюсах, служит мерой электродвижущей силы (э. д. с.) данного генератора. Таким образом, под напряжением тока понимается разность потенциалов на полюсах данного генератора (напряжение на клеммах его), которая служит для преодоления внешнего сопротивления цепи при прохождении через нее тока, создающегося этой разностью потенциалов электродвижущая же сила преодолевает сопротивление электрическому току всей, т. е. замкнутой, цепи, включая и внутреннее сопротивление генератора. Следует отметить, что в практике довольно часто термины э. д. с. и напряжение употребляются без строгого между ними разграничения. [c.34]

Электровакуумные фотоэлементы, или фотоэлементы с внеш- ним фотоэффектом. Вторым типом фотоэлектрических устройств являются фотоэлементы с внешним фотоэффектом, состоящие из полуцилиндрического катода и проволочного анода, смонтированных внутри баллона, из которого выкачан воздух. Вогнутая поверхность катода покрыта слоем светочувствительного материала, испускающего электроны под действием излучения. Если к электродам приложить разность потенциалов, испускаемые электроны направляются к аноду, в результате чего возникает фототок. При одинаковой освещенности возникающий ток примерно в четыре раза меньше тока, возникающего в фотоэлементе с запирающим слоем. Однако в последнем случае ток легко можно усилить, поскольку вакуумные фотоэлементы обладают высоким внутренним сопротивлением. На рис. 23-5 приведена схема типичного фотоэлемента с внешним фотоэффектом. [c.122]

Вентильные фотоэлементы ввиду малого внутреннего сопротивления почти не используются в сочетании с усилителями (рис. 111). В дифференциальной схеме рекомендуется производить измерения световых потоков с помощью градуированной щели, используя гальванометр как нуль-индикатор. [c.197]

Однако отклонения гальванометра не характеризуются такой прямой пропорциональностью. Происходит это потому, что в цепь гальванометра попадает не весь фототок часть последнего разряжается при прохождении через слои фотоэлемента. Таким образом, сила тока во внешней цепи зависит от соотношения внутреннего сопротивления фотоэлемента и сопротивления внеш- [c.135]

Кривые зависимости отклонения гальванометра от освещенности фотоэлемента имеют яа основании описанного явления вид, изображенный на рис. 40. Кривые даны для различных величия сопротивления внешней цепи фотоэлемента. Если внешнее сопротивление цепи фотоэлемента приближается к нулю, то наблюдается прямая пропорциональность между силой тока и интенсивностью светового потока. При больших сопротивлениях внешней цепи фотоэлемента кривые далеко не характеризуют прямую пропорциональность. Между тем для измерения слабых токов приходится часто применять высокочувствительные гальванометры с довольно большим внутренним сопротивлением. [c.136]

Схема включения вентильных фотоэлементов в схеме фотометра приведена на рис. XIV. 11. При непосредственном включении вентильного фотоэлемента в цепь измерительного, прибора необходимо, чтобы последний обладал малым внутренним сопротивлением. [c.505]

В данном случае следует применять вакуумные фотоэлементы, так как они в отличие от вентильных (селеновых, меднозакисных) обладают большим внутренним сопротивлением, что значительно удобнее для применения усилителей. Световая энергия спектральных линий так мала, что нельзя ограничиться прямым измерением электрического сигнала, создаваемого фотоэлементом,— необходимо применять электронные усилители. [c.179]

Действие фотоэлементов с запирающим слоем заключается в том, что световой поток, падающий на поверхность полупроводника, нанесенного на железную пластинку и обладающего односторонней проводимостью, возбуждает на ней движение электронов, которые не могут проникнуть в нижний слой (фронтальный фотоэффект). Если соединить верхний и нижний слои каким-либо проводником через гальванометр, можно измерить фототек, появляющийся во внешней цепи. Вентильные фотоэлементы обладают некоторым преимуществом перед фотоэлементами с внешним фотоэффектом, так как не требует дополнительных источников питания и имеют невысокое внутреннеее сопротивление, что позволяет непосредственно подключать к ним измерительный прибор. При непосредственном включении в цепь вентильного фотоэлемента измерительного прибора необходимо, чтобы последний обладал малым внутренним сопротивлением. Из вентильных фотоэлементов наибольшее распространение получил селеновый фотоэлемент [4]. [c.241]

Таким образом, при напряжении питания -flOO в величина тока, протекающего через фотоэлемент, при нормальных условиях 1не будет превышать нескольких микроа мпер. Для измерения таких малых токов в высокоимпедансных схемах можно использовать чувствительный гальванометр с большим внутренним сопротивлением. Однако ббльшая стабильность и повторяемость результатов может быть получена с применением усилителя, обычно электрометрического типа. На рис. 22.21 приведена схема балансного электрометрического усилителя. Переменное подстроечное сопротивление R служит для балансировки моста. С помошью этого сопротивления устраняется разбаланс схемы, возникающий за счет неидентичности характеристик электрометрических ламп, сопротивлений и т. п. Вместо гальванометра G может быть подключен другой каскад усиления, например балансный катодный повторитель. Тогда в качестве регистратора можно будет использовать менее чувствительный прибор, например самопишущий автопотенциометр. [c.297]

Кроме того, следует также заметить, что на точность фо-тоэлектроколориметрических измерений существенно влияет качество гальванометра, с помощью которого измеряют силу тока, возникающего в фотоэлементе. Для того чтобы наблюдалась линейная зависимость между силой фототока во внешней цепи фотоэлемента и силой падающего света, сопротивление гальванометра должно быть возможно малым и не должно превышать внутреннего сопротивления фотоэлемента. [c.119]

Кроме описанных селеновых фотоэлементов с фронтальным фотоэффектом имеются также селеновые фотоэлементы с тыловым фотоэффектом, у которых электроны выбиваются под действием света на границе между селеном и железом. Эти фотоэлементы обладают большим внутренним сопротивлением, вследствие чего дают меньшую силу тока во внешней цепи. Однако они обладают более постоянными характеристиками. К тому же типу фотоэлементов с запирающим слоем относятся и меднозакисные (запирающий слой — закись меди), серносеребряные (запирающий слой — сернистое серебро) и серноталлиевые (запирающий слой — сернистый таллий). Первый из названных фотоэлементов не выдерживает сравнения с селеновым ввиду большой чувствительности к изменениям температуры и малой интегральной чувстви- [c.120]

Вакуу.мные фотоэлементы и фотоумножители основаны на внешнем фотоэффекте. Поэтому границу чувствительности нельзя продвинуть достаточно далеко в сторону длинных волн, так как работу выхода электронов не удается достаточно сильно уменьшить. Легче осуществляется переход электронов между двумя веществами с разной работой выхода в фотоэлементах с запирающим слоем. Эти фотоэлементы не требуют внешнего источника тока и имеют чувствительность значительно большую, чем вакуумные. Их применяют в видимой и в самом близком участке инфракрасной области для измерений сравнительно больших световых потоков. К ним, например, относятся селеновые фотоэлементы, которые применены в микрофотометрах. Для измерения очень слабых световых потоков ими пользуются редко, так как трудно усилить фототок из-за низкого внутреннего сопротивления этих фотоэлементов. [c.210]

Недостатком всех фотоэлементов с запирающим слоем является их хгалое внутреннее сопротивление, пе позволяюгцее применять 1ГХ в совокупности с усилителями, а также пх плохая частотная [c.216]

Интегральная чувствительность, согласно уравнению (66), зависит только от соотношения /ф//, но не зависит от величин /ф или I. Строго говоря, это уравнение справедливо лишь для коротко-замкнутой цепи. Представим эквивалентную схему фотоэлемента (рис. 90). Вентильный фотоэлемент можно, рассматривать как генератор электрического тока Г с внутренним сопротивлени ем Гв. Под воздействием энергии излучения в фотоэлементе возникает первичный фототок /ф, пропорциональный лучистому потоку [c.178]

Интегральная чувствительность сернистосеребряных фотоэлементов достигает 8000 мка/лм, а у отдельных образцов доходит до 10 000—15 000 мка/лм. Область спектральной чувствительности лежит в пределах 400—1400 ммк с максимумом при 850—900лшк (рис. 95), внутреннее сопротивление сернистосеребряных фото- [c.180]

Вакуумные фотоэлементы имеют небольшую интегральную чувствительность, что часто требует предварительного усиления сигнала. Большое внутреннее сопротивление и малая инерционность этих фотоэлементов позволают применять усилители постоянного или переменного тока. Газонаполненные фотоэлементы обладают несколько большей чувствительностью, и часто их фототоки регистрируют без усиления. Схемы включения фотоэлементов с внешним фотоэффектом даны на рис. 113. Фотоэлектронные умножители обычно используются в схемах (рис. 114) прямого отсчета с компенсацией постоянной составляющей темпового тока или фототока, вызываемого свечением пустой пробы ( фона ). Измерение очень слабых световых потоков требует применения усилителей того или иного вида. [c.197]

Вентильные фэтоэлементы обладают некоторыми преимуществами перед фотоэлементами с внешним фотоэффектом. Они не требуют дополнительных источников питания и имеют сравнительно невысокое внутреннее сопротивление, что позволяет непосредственно подключать измерительный прибор. [c.502]

Метод накопления заряда на емкости позволяет измерять малые заряды, длительное время перемещаюш,иеся в цепях с большим внутренним сопротивлением (в ионизационных камерах, вакуумных фотоэлементах, ячейках со слабопроводящими растворами и т. п.). Конденсатор подключается к источнику I [c.131]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология