Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Фракционная кристаллизация в тонком слое

В настоящее время осуществляют лишь периодический процесс фракционной кристаллизации в тонком слое, хотя возможно проведение его в непрерывном режиме. [c.176]

Фракционную кристаллизацию в тонком слое применяют главным образом в лабораторной практике для получения небольших количеств веществ высокой чистоты. Она может быть [c.176]

Рис. 5.16. Схема аппаратов для фракционной кристаллизации в тонком слое

Аппаратурное оформление процесса очистки веществ методом фракционной кристаллизации в тонком слое весьма разнообразно [216—220]. Конструкция аппаратов зависит от физико-химических и теплофизических свойств разделяемых веществ (температур плавления компонентов смеси, типа диаграммы фазового равновесия, теплопроводности, вязкости, поверхностного натяжения и др.). [c.177]

Рис. 5.18. Эффективность разделения при фракционной кристаллизации в тонком слое для системы бензол — толуол

Фракционная кристаллизация в тонком слое [c.2]

ФРАКЦИОННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ В ТОНКОМ СЛОЕ [c.252]

Рассматриваемый процесс фракционирования расплавов, предложенный в 1964 г. [339, 340], отличается тем, что кристаллизация происходит в тонком слое на вертикальных теплопередающих стенках. По своей эффективности этот метод приближается к зонной плавке. Он позволяет сравнительно просто получать в небольших количествах вещества весьма высокой степени чистоты. Так, в случае веществ, образующих с примесями эвтектики, степень очистки достигает 99,9995%, а при очистке веществ, образующих с примесями смешанные кристаллы, — 99,99% [341]. Эффективность лабораторных кристаллизационных колонн, работающих по методу фракционной кристаллизации в тонком слое, составляет от 20 до 30 теоретических ступеней. При этом высота, эквивалентная одной ступени, составляет 2—5 см [341, 342]. [c.252]

В настоящее время фракционная кристаллизация в тонком слое является периодическим процессом, хотя принципиально возможно осуществление данного метода в виде непрерывного процесса. [c.252]

Основными достоинствами фракционной кристаллизации в тонком слое являются высокая степень разделения относительная простота аппаратурного оформления возможность очистки как низкоплавких, так и высокоплавких веществ. [c.252]

Аппаратурное оформление процесса очистки веществ методом фракционной кристаллизации в тонком слое весьма разнообразно [343, 344]. На конструкцию аппаратов оказывают влияние физико- [c.252]

Для рассматриваемого процесса характерно то, что кристаллизация происходит в тонком слое, движущемся по вертикальным или наклонным теплопередающим стенкам, по длине которых с помощью подвижных или неподвижных нагревателей создается определенный градиент температуры (а. с. № 185844). По эффективности этот метод приближается к зонной плавке. Он позволяет сравнительно просто получать небольшие количества вещества весьма высокой степени чистоты. Так, для эвтектикообразующих смесей степень очистки достигает 99,9995%, а для смесей, образующих твердые растворы — 99,99% [216—219]. Эффективность лабораторных кристаллизационных колонн, работающих по методу фракционной кристаллизации в тонком слое, составляет от 20 до 30 теоретических ступеней. При этом высота, эквивалентная одной ступени, равна 2—5 см [217, 218]. [c.176]

Разделение веществ методом фракционной кристаллизации в тонком слое можно проводить и без движения теплообменника. Последний в этом случае представляет собой металлическую-трубу (примерно той же длины, что и колонка), снабженную электрической обмоткой спеременным шагом (рис. 5.16, в). При осуществлении процесса первоначально в цепь электрической обмотки подается напряжение, необходимое для кристаллизации смеси в самом верху колонки. Далее подаваемое напряжение повышают по определенной программе, обеспечивая передвижение градиента температур и смещение слоя разделяемого вещества вниз по колонке. Создание и перемещение температурного градиента можно обеспечить также подачей жидкого или газообразного хладоагента в теплообменник на разных температурных уровнях [217]. [c.179]

Для оценки эффективности разделения методом фракционной кристаллизации в тонком слое предложено [219, 220] использовать число единиц переноса гпх и высоту слоя, эквивалентную одной единице переноса, км = 11тх, где I — длина слоя, на которой достигается разделение, соответствующее числу единиц переноса тх. [c.180]

При применении другого метода очистки — противоточной фракционной кристаллизации в тонком слое — был получен хроматографически чистый нитробензол (рис- 1, в)- Однако условия проведения опыта способствовали обогащению нитробензола водой до 0,2—0,3% (увеличение содержания примеси воды на порядок) удельное сопротивление цри этом падало на 5—6 порядков (табл, 3). [c.237]

Недостатками рассматриваемого метода фракционной кристаллизации в его нынешнем аппаратурном оформлении являются периодичность и относительно низкая производительность. Фракционная кристаллизация в тонком слое применяется главным образом в лабораторной практике для получения небольших количеств веществ высокой чистоты. Она может быть также использована для анализа микропримесей в различных веществах, так как позволяет концентрировать их в десятки и сотни раз [341]. Кроме того, рассматриваемый метод может быть использован при изучении фазового равновесия, в частности для определения эвтектических составов. [c.252]

Разделение веществ методом фракционной кристаллизации в тонком слое можно производить и без движения теплообменника. В этом случае последний представляет собой металлическую трубу примерно той же длины, что и колонка, снабженную электрической обмоткой с переменным шагом. При осуществлении процесса первоначально в цепь электрической обмотки подается мощность, обеспечивающая кристаллизацию смеси в самом верху колонки. Далее подаваемая мощность повышается по определенной програлше, в результате чего происходит изменение градиента температур по длине колонки и смещение слоя разделяемого вещества вниз по колонке. [c.254]

Смотреть главы в:

Основы техники кристаллизации расплавов -> Фракционная кристаллизация в тонком слое

Основы техники кристаллизации расплавов (1975) -- [ c.252 ]

ПОИСК

Смотрите так же термины и статьи:

Осуществление процесса фракционной кристаллизации в тонком слое

тонкой