Полупроводники инверсия

Накачка Л. Создание в активном в-ве инверсии населенности производится разными способами. Чаще всего используют воздействие на в-во электромагн. излучения (оптич. накачка), электрич. разряда, пучка электронов с энергией от неск. десятков эВ до МэВ (электронный удар), высокотемпературный нагрев в-ва с послед, быстрым охлаждением (тепловая накачка), экзотермич. хим. р-ции в в-ве, инжекцию носителей заряда в область />-л-перехода в полупроводнике под действие.м электрич. поля. Рассмотрим нек-рые способы накачки. [c.562]

Зависимости удельного сопротивления (р) различных кристаллов граната от температуры сходны (рнс. 76). Это позволяет утверждать, что температурные измерения не связаны с составом, а обусловливаются дефектами. Зависимость р (Т) при первом нагревании образцов не является экспоненциальной она осложнена аномальными областями 350—500 и 750—900 К, в которых происходит резкое уменьшение р, а иногда инверсия знака. Такие эффекты в диэлектриках и полупроводниках вызываются явлениями захвата носителей на ловушечные уровни. Экспериментально доказано, что одним из основных механизмов захвата неравновесных носителей в полупроводниках при низких температурах (комнатной и ниже) является захват на дефектные уровни, создаваемые дислокациями. [c.196]

Для создания инверсии в полупроводниках используют четыре типа возбуждения инжекцию носителей [c.755]

Нами не наблюдалась инверсия знака заряда поверхности при адсорбции Ог, СзНб и С3Н7ОН, а также СО и Нг на этих полупроводниках. [c.89]

Наконец, при образовании твердых растворов полупроводников (в том числе непрерывных твердых растворов) вместо ожидаемого м о-нотонного хода ширины запрещенной зоны на кривой АЕ = =[ х) обнаруживаются особые точки и даже переход значения АЕ через нуль, что дало повод к возникновению теории инверсии зон. [c.541]

Г7-) — (Г8+) эв. В интервале О л -<0,15 зона Г7- расположена ниже при X = 0,18 принимается модель инверсии зон зона Гв+ расположена ниже. Температурный коэффициент запрещенной зоны при X = О отрицателен, при х=0,18 положителен. Инверсии зон отвечала бы диаграмма состояния необычного вида (рис. VIII.12, Ь). Проблема инверсии зон не может еще считаться окончательно решенной. Поэтому излагаемые здесь представления, равно как и другие материалы, собранные, например, в [72], преследуют цель показать, насколько усложнились модели связи между значениями Д ерм и А фотон за последние годы в связи с разработкой проблем энергетического спектра полупроводника. [c.547]

Пусть в уже обсуждавшейся структуре сфалерита атомы типа В заменены атомами типа А (обозначим их А )- Это приводит к структуре алмаза (см. рис. 1.6,6), в которой кристаллизуются ковалентные полупроводники четвертой группы (углерод, кремний, германий). Для полученной структуры тип решетки Браве (т. е. группа трансляций Г ) тот же, что и для сфалеритной (ГЦК) в примитивной ячейке — два атома все операции симметрии структуры сфалерита, очевидно, являются операциями симметрии и структуры алмаза. В частности, преобразования из группы T L по-прежнему переводят эквивалентные точки в эквивалентные (предполагаем, что начало координат помещено в одном из атомов А как мы увидим, это уточнение не является лишним в случае алмаза). При преобразовании инверсии относительно выбранной за начало точки А ближай- [c.38]

Экспериментальные исследования влияния дислокаций на электрические свойства полупроводников связаны с определенными трудностями. При пластическом деформировании монокристаллов ковалентных полупроводников в температурном интервале пластичности наряду с дислокациями образуются точечные дефекты, перераспределяются примеси и изменяется их состояние. Вклад этих эффектов в некоторых случаях превосходит изменения, связанные с дислокациями [44—46], и может даже привести к инверсии типа проводимости образца [44, 45]. Все это вместе со сложностью создания кристаллов с заданной дислокационной структурой обусловило большую противоречивость экснерийшнтальных данных о положении дислокационных уровней, полученных при исследованиях эффекта Холла, фотопроводимости, рекомбинационного излучения [26, 40, 41]. [c.247]

Другой случай прямого выявления воздействия дислокаций на спектр электронных состояний полупроводника получен на монокристаллах антимонида индия [48]. Специфика атомно-кристаллической структуры этих кристаллов позволяет в зависимости от направлений полярности образца, оси изгиба и изгибающего момента вводить в кристалл либо а-дислокации, 60-градусной ориентации, в ядре которых располагаются атомы 1п, либо Р-дислокации, содержащие в ядре только атомы 8Ь. Для образцов, содержащих р-дислока-ции, наблюдалось прямое донорное действие дислокаций (рис. 9). Причем оно было настолько сильным, что приводило к инверсии типа проводимости с дырочной на электронную. Последующий отжиг этих кристаллов привел к обратному переходу кристаллов в р-тин. Таким образом, действие -дислокаций и последующего отжига для кристаллов р-тина оказалось противоположным. Количественный анализ температурного хода проводимости деформированных образцов позволяет полагать, что с р-дислокациями связан до-норный уровень с глубиной 0,02 эв. [c.249]

Кристаллы 1пЗЬ являются полярными со структурой типа сфалерита. В отличие от структуры алмазоподобных полупроводников в них имеются два сорта атомов и отсутствует центр инверсии поэтому кристаллы, выращенные по методу Чохральского, в направлении В <(111)> и В <211)> (сторона с атомами сурьмы обращена к расплаву) растут хорошо, а в обратном полярном направлении А <111) и А <211) (индиевая сторона — к расплаву) растут плохо, наблюдаются двойники. При этом всякие изменения диаметра растущего кристалла способствуют появлению двойников. [c.82]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология