Рентгеновская Дебая—Уоллера

По данным, полученным от рентгеновских пиков (111) и (222), величина параметра Дебая-Уоллера в порошке, измельчавшемся в течение 100 ч, равна 0,66 О, Об А, а после консолидации ИПД — 1,31 0,05 [81]. Последний результат близок к данным для Си, полученной ИПД массивных заготовок, где усредненное значение [c.58]

Полученные результаты свидетельствуют, что в целом наноструктурные состояния Си и Ni, полученные консолидацией порошков ИПД кручением, имеют ряд выраженных особенностей. На рентгенограммах, соответствуюших данным состояниям, наблюдается лишь один интенсивный рентгеновский пик (111). Среди рассмотренных выше случаев наноструктура, полученная консолидацией порошка ИПД, характеризуется минимальным средним размером зерен, максимальными микроискажениями кристаллической решетки, максимальным значением параметра Дебая-Уоллера. Данное состояние приближается к нано-псевдо-аморфному состоянию, модель которого будет рассмотрена в 2.2. [c.59]

Тепловое движение атомов в кристаллической решетке приво-т к ослаблению интенсивности рассеянных рентгеновских лу-й, которое характеризуется с помощью теплового множителя р (—2М) [88, 130, 136], называемого фактором Дебая-Уоллера, личина М прямо пропорциональна квадрату полного среднеква-атичного смещения (/хд) атомов из положений равновесия и че-5 величину (л ) зависит от температуры Г. При этом [c.74]

Для получении информации о величине параметра Дебая-Уоллера В в текстурованных образцах наноструктурных N1 и Си, полученных ИПД кручением, в работах [81, 135] применили метод, учитывающий наличие в исследуемых образцах кристаллографической текстуры [138]. При этом использовали пары рентгеновских пиков, соответствующих разным порядкам отражения от одного и того же семейства плоскостей. Рассмотрим кратко основы этого метода и полученные результаты. [c.75]

Исходя из определения параметра Дебая-Уоллера, для рентгеновского пика (/11 1/1) справедливо уравнение [c.75]

Для вычисления параметра Дебая-Уоллера использовали пары рентгеновских пиков (111), (222) и (200), (400). Усредненные значения параметра Дебая-Уоллера для наноструктурного Ni представлены на рис. 2.11 в зависимости от температуры (сплошная [c.76]

Молекулы в кристаллической решетке постоянно испьггывают поступательное, вращательное и в общем случае (но в существенно меньшей степени) внутреннее колебательное движение. Интенсивность этих движений при увеличении температуры возрастает, что приводит к увеличению эффективных размеров атомов это можно наблюдать при помощи метода рентгеновской дифракции, использующем в среднем 10 элементарных ячеек типичного монокристалла. Результирующее размазьшание электронной плотности учитьтает-ся в уравнении 11.2-2 в температурном факторе В (фактор Дебая—Уоллера), который связан со среднеквадратичной амплитудой атомного движения (и ), обозначаемой как U [c.397]

Полезные для химика-технолога, обогатителя и металлурга введения дает метод протяженной тонкой структуры рентгеновского поглощения (ПТСРП), который, в частности, с успехом используется для изучения структуры реальных кристаллов и ее связи некоторыми их свойствами. Метод основан на исследовании колебаний эффективного сечения вблизи края поглощения и позволяет получать информацию о межатомных расстояниях и координационном числе атомов в твердом веществе, а также о множителе Дебая-Уоллера, отражающем средние квадратические флуктуации положения изучаемого атома. [c.216]

Распределение электронной плотности в бинарных полупроводниках с тетраэдрическими связями рассматривается в рамках дисперсионной теории. Сравнением теоретических и экспериментальных факторов рассеяния рентгеновских лучей в кристаллах арсенида галлия найдены параметры химической связи параметр переноса заряда, величина смещения зарядов связи из середины ковалентной связи, эффективные заряды атомов галлия и мышьяка, а также факторы Дебая — Уоллера для атомных зарядов и заряда связи. Результаты расчетов [c.271]