Геометрия дифракции

Геометрия дифракции рентгеновских лучей в кристалле показана на рис. 28.2. [c.116]

Рис. 28.11. Геометрия дифракции от образца с аксиальной ориентацией (волокно), /—коллиматоры 2—волокно 3—рентгеновская пленка.

По геометрии дифракция электронного излучения аналогична дифракции рентгеновских лучей, описанной в разд. 28.3 при расчетах можно пользоваться уравнением Брэгга [уравнение (28.5)] и моделью обратной решетки. [c.135]

Рис. 28.11. Геометрия дифракции от образца с аксиальной ориентацией (волокно).

Более строгое рассмотрение геометрии дифракции приводит к выводу, что условие Вульфа — Брэгга для каждой системы плоскостей HKL справедливо в направлениях, которые идут вдоль направления конуса, ось которого — нормаль к плоскостям HKL, а угол при вершине 180° — 2 . Пересечение конуса с плоскостью эк- [c.561]

Рис. 31.6. Геометрия дифракции на плоскостях решетки спектральное отражение плюс брэгговское рассеяние, n k=2d sin 9.

Экспериментальные наблюдения показывают, что дифракция на кристалле происходит только при определенных углах, причем геометрия дифракции всегда соответствует полному оптическому отражению от плоскостей. Это непосредственно доказывает, что кристаллы можно описывать, используя представление [c.22]

Геометрия дифракции 4.1. Классификация дифракционных методов. 4.2. Методы неподвижного кристалла (метод Лауэ о плоской и цилиндрической пленкой, метод расходящегося пучка). 4,3. Методы движущегося монокристалла (символы, соотношения между цилиндрическими координатами узла обратной решетки и положением соответствующего дифракционного пятна, периоды идентичности на неподвижных пленках, индицирование нулевой слоевой линии), 4,4, Метод Вейссенберга (экспериментальные детали, интерпретация рентгенограмм по Вейссенбергу). 4.5. Прецессионный метод Бюргера. 4.6. Методы для кристаллов о беспорядочной ориентировкой (индицирование рентгенограмм поликристаллов, определение неизвестных постоянных решетки). 4.7. Прецизионное определение периодов [c.322]

При достаточно совершенной кристаллической структуре объекта на электронограмме будут присутствовать не только точки (результат упругого рассеяния и дифракции электронов от точечного источника), но и дополнительная сложная картина светлых и темных поле (результат дифракции электронов пучка, претерпевших неупругое рассеяние в объеме объекта при малых потерях энергии. Интенсивность рассеяния электронов максимальна в направлении падающего пучка и с увеличением угла рассеяния а резко уменьшается. Пусть где-то внутри кристалла находится источник диффузно рассеянных электронов. В направлении ti и 2 рассеянные электроны встречают плоскости HKL кристалла, от которых отражаются в соответствии с законом Вульфа— Брегга. В связи с тем, что интенсивность диффузно рассеянных электронов, в направлении ai меньше, чем в направлении 2 (поскольку а <Са2), интенсивность отраженных лучей А/г>A/i. Следовательно, добавление к интенсивности фона [-fA/2 в направлении ai больше, чем убыль интенсивности —А/ь и, наоборот, убыль интенсивности —Д/2 в направлении 2 больше, чем добавление +A/i- В итоге в определенных направлениях должна возникать избыточная интенсивность фона, а в других недостаток интенсивности (рис. 20.31). Эти направления соответствуют образующим конусов, осью которых является нормаль к отражающим плоскостям HKL и HKL, и угол при вершине равен (180°—2 ). Геометрия дифракции электронов, источник которых располагается внутри самого кристалла, та же, что и геометрия псевдо-Косселя для дифракции рентгеновских лучей (см. гл. 9). В связи с малостью углов О пересечения конусов с плоскостью экрана или фотопластинки в случае дифракции быстрых электронов картина имеет вид прямых линий (вместо гипербол при рентгеновской дифракции). Картины линий Кикучи очень чувствительны к изменению ориентировки кристалла. Как видно на рис. 20.31,6, след отражающей плоскости точно проектируется посередине расстояния между соответствующими темной и светлой линиями Кикучи и представляет собой гномоническую [c.474]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология