Электрон, рассеяние интенсивность

Получаемая на фотопластинке электронограмма состоит из центрального пятна, образованного электронами, не претерпевшими отклонения, и из колец различной интенсивности, обусловленных электронами, рассеянными под различными углами 0 (относительно первоначального направления пучка). Распределение интенсивности / почернения пленки на электронограмме является строго определенным и зависит от строения молекул исследуемого вещества. На рис. 1.25 в качестве примера показаны электронограммы для ССЦ и S2. Расшифровка электронограммы дает возможность определить структуру молекулы. [c.63]

Для расшифровки электронограммы используется соотношение, определяющее интенсивность / потока электронов, рассеянных молекулами под углом 0 к первоначальному направлению электронного луча оно имеет вид [c.125]

Вывод соотношения, описывающего дифракцию электронов иа молекулах. Для получения соотношения, выражающего интенсивность потока электронов, рассеянных под некоторым углом 6 к первоначальному направлению электронного пучка, рассмотрим [c.293]

Рис. 167. Распределение интенсивности потока электронов, рассеянных молекулами Вгг

Метод газовой электронографии основан на анализе интенсивностей рассеяния быстрых электронов свободными молекулами исследуемого вещества. Выражение для полной интенсивности электронов, рассеянных молекулой, состоит из двух слагаемых [c.134]

Электронограмма газов и кристаллов приведены на рис. 105, а, 6. Электронограмма состоит из центрального пятна и окружающих его колец различной интенсивности. Центральное пятно обусловлено нерассеянным пучком электронов, а кольца возникают за счет электронов, рассеянных под соответствующими углами к первоначальному направлению пучка. Характер колец и их интенсивность зависят от строения исследуемых молекул. Соответствующие методы расшифровки дают возможность установить форму молекулы, взаимное расположение в ней атомов, валентные углы и межъядерные расстояния. Результаты электронографического определения структуры некоторых молекул приведены в табл. 17. [c.172]

Сечение рассеяния (интенсивность рассеянного излучения), выраженное в электронных единицах, равно квадрату амплитуды (2.4) [c.16]

Амплитуду и интенсивность лучей, рассеянных атомом или совокупностью атомов, часто измеряют в электронных единицах. Электронная единица интенсивности, [c.165]

Интенсивность вторичного электронного излучения, возникающего под действием электромагнитной радиации, достигает максимальной величины на некотором расстоянии от поверхности облучаемого вещества. Это расстояние приблизительно равно наибольшему пробегу вторичных электронов. Затем интенсивность вторичного излучения постепенно падает по мере ослабления первичного пучка. Таким образом, непосредственно у поверхности внутри поглотителя в небольшом объеме возникают вторичные электроны и дополнительно появляются электроны, попавшие в этот объем из окружающих участков поглотителя (рис. 3.11), т. е. каждый элемент объема получает дополнительно со всех сторон рассеянные электроны. Исключение составляют области поглотителя, непосредственно прилегающие к поверхности. По мере удаления от поверхности возрастает доля электронов, попадающих в данный объем извне. Это наблюдается до расстояния, равного наибольшему пробегу вторичных электронов, когда интенсивность вторичного излучения в элементе 58 [c.58]

Получаемая на фотопластинке дифракционная картина, называемая электронограммой, состоит из центрального пятна, образованного электронами, не претерпевшими отклонения, и из колец различной интенсивности, обусловленных попаданием на фотопластинку электронов, рассеянных под различными углами 0 к первоначальному направлению пучка. Изменение интенсивности на электронограмме в зависимости от угла 0 является строго определенным и зависит от строения молекул исследуемого веще- [c.131]

Вывод соотношения, описывающего дифракцию электронов на молекулах. Для получения соотнощения, выражающего интенсивность потока электронов, рассеянных под некоторым углом 0 к первоначальному направлению электронного пучка, рассмотрим дифракцию электронов на двухатомной молекуле, состоящей из атомов А и В, Прц этом расстояние между ядрами данных атомов равно г. [c.294]

Одновременно с введением сектор-микрофотометрической методики в газовой электронографии начали применять более точную теорию рассеяния электронов на молекулах, которая учитывает функцию плотности вероятности распределения пар атомов в молекуле. При этом молекула рассматривается в виде модели, в которой свободные сферически симметричные атомы находятся на расстояниях, соответствующих реальной молекуле. Такая модель не учитывает реального распределения электронной плотности в молекуле. Однако, поскольку рассеяние падающих электронов в основном происходит на ядрах атомов и невалентных электронных оболочках атомов, то такая модель молекулы хорошо соответствует электронографическому эксперименту. Небольшие отклонения наблюдаются лишь в области малых углов рассеяния, интенсивность в которой практически не измеряется. Лишь в специально поставленных экспериментах по исследованию молекул, например Нг, НоО, Hs, NHs, выявлены эффекты химических связей, т. е. изменения в дифракционной картине, вызванные изменением в распределении электронов в молекуле по сравнению с ее моделью как суммы атомов. [c.122]

АА — плоскость регистрации рассеянных электронов 1о — интенсивность падающего /(6) — рассеянного потока электронов [c.124]

Сг, N2, О2, р2 и СО при помощи молекулярных волновых функций Хартри—Фока, учитывающих химическую связь, и атомных волновых функций Хартри—Фока в приближении независимых атомов и составлены их разности. Результаты расчета показывают, что влияние химической связи сказывается в пределах нескольких процентов от полной интенсивности при малых углах рассеяния, причем вариации электронной плотности от молекулы к молекуле заметно отражаются на соответствующих изменениях формы рассеянной интенсивности. Этот результат находится в полном соответствии с экспериментальными измерениями для молекул N2 и О2 [127]. [c.254]

Если помимо определения положения рефлексов на дифракционных картинах учитывать их интенсивность, то для соответствующих расчетов необходимо использовать так называемую кинематическую теорию дифракции электронов. Согласно этой теории, рассеяние электронов осуществляется в отдельных узлах решетки, в результате чего наблюдается появление дифракционных рефлексов, общая интенсивность которых определяется наложением одиночных рассеянных электронных лучей. Интенсивность рассеяния может быть представлена в виде функции трех параметров [c.229]

Колебательно-вращательные спектры возникают при перехода между разными колебательно-вращательными состояниями одного и того же электронного состояния молекулы. Интенсивность колебательно-вращательных спектров испускания мала, они исследуются очень редко, практически исследуются спектры поглощения и спектры комбинационного рассеяния. Если вещество, поглощающее или рассеивающее излучение, находится при комнатной температуре, то подавляющее большинство молекул находится в самом низком по энергии (основном) колебательном состоянии и( = и" =. .. = у =0). В этом наиболее частом случае в спектре поглощения наблюдаются переходы только с основного колебательного уровня, а в спектре комбинационного рассеяния интенсивны только стоксовы полосы, также соответствующие переходам с основного колебательного уровня. Если поглощающее вещество находится при высокой температуре, часть молекул находится [c.423]

Фактор накопления равен отношению наблюдаемой интенсивности прошедшего излучения к интенсивности излучения, которое попадало бы на детектор в условиях узкого пучка. Факторы накопления для различных сред были рассчитаны лишь для наиболее характерных геометрий источников [4, 5]. Учитывать величину фактора накопления следует и при расчете поглощенной энергии, так как при проникновении электромагнитного излучения в вещество возникают вторичные электроны. В любом малом объеме будут находиться электроны, возникшие в нем, плюс электроны, рассеянные в этот объем из соседних. По мере увеличения расстояния от поверхности раздела число электронов, рассеянных в малый элемент объема, возрастает. На расстоянии, равном среднему пробегу вторичных электронов, число электронов, рассеянных в малый эле.мент объема, окажется максимальным. Если же перейти к погло-щен[ ОЙ дозе, то максимальная поглощенная доза будет наблюдаться в точке, расположенной на некотором расстоянии от поверхности раздела. [c.46]

Если на молекулу действует внешнее электрическое поле, ядро будет смещаться по отношению к электронам. Это означает, что центр отрицательных зарядов сместится по отношению к центру положительных зарядов. Таким образом, будет возникать наведенный диполь дополнительно к тому диполю, который уже мог существовать. Это свойство назьшается поляризуемостью молекул. Даже в двухатомных молекулах с одинаковыми атомами колебания увеличивают искажение электронного облака, образующего связь, и таким образом вызывают изменение начальной поляризуемости. Всякие колебания, которые вызывают такие изменения, будут увеличивать частоту рассеянного света в спектре комбинационного рассеяния и называются активными в этом спектре. Смещение частоты соответствует изменению энергетического уровня молекулы. Интенсивность линии рассеяния зависит от изменения поляризуемости, связанного с данным типом колебания. [c.316]

Под действием электромагнитного поля рентгеновских лучей электроны атомов, входящих в кристаллическую решетку вещества, начинают колебаться. Частота вынужденных колебаний электронов будет равна частоте электромагнитного поля первичного пучка рентгеновских лучей. Колеблющийся атом становится источником электромагнитных волн, распространяющихся от него во все стороны с частотой, равной частоте первичного луча. Расположение атомов в любой кристаллической решетке закономерно и расстояния между ними в данном направлении одинаковы, поэтому лучи, рассеянные отдельными атомами, будут интерферировать между собой. Интенсивность их в одних направлениях будет получаться значительно больше, чем в других. Следовательно, для рентгеновских лучей кристалл является трехмерной дифракционной решеткой, [c.111]

Молекулы имеют электронные энергетические уровни, колебательные энергетические уровни и вращательные энергетические уровни. Переходы между вращательными уровнями попадают в микроволновую область спектра переходы между колебательными уровнями-в инфракрасную область, а переходы между электронными уровнями-в видимую и ультрафиолетовую области спектра. Инфракрасная спектроскопия и спектроскопия комбинационного рассеяния используются для наблюдения внутримолекулярных колебательных переходов. Поглощение света молекулами в видимой и ультрафиолетовой частях спектра обусловлено электронными переходами. График зависимости интенсивности этого поглощения от длины волны света называется спектром поглощения. [c.596]

Вращательные спектры комбинационного рассеяния можно использовать для определения вращательных постоянных и других констант гомонуклеарных молекул На, О2, СЬ, которые не имеют спектров поглощения в ИК-области. Для этого нужны приборы высокой разрешающей силы, так как комбинационные смещения во вращательных спектрах малы и стоксовы линии лежат очень близко к релеевской, затмевающей их своей интенсивностью. Поэтому наряду с КР-спектрами для указанной цели используют с большим успехом электронные спектры. [c.155]

Структурный критерий основан на оценке характера изменения структуры полимера на молекулярном уровне, которое может быть зафиксировано дифракционными методами исследования (рентгенография, электронография). В частности, кристаллизация аморфного полимера — это типичный переход типа беспорядокдальний трехмерный порядок . Структурным критерием возникновения трехмерной упорядоченности служит появление большого количества резких и интенсивных рефлексов на картинах рентгеновского или электронного рассеяния. При этом, однако, следует иметь в виду, что на дифракционных картинах кристаллических полимеров, как правило, число рефлексов, их интенсивность и резкость значительно меньше, чем на картинах низкомолекулярных кристаллических веществ. [c.182]

Рассеяние рентгеновских лучей обусловлено в основном электронами. Рассеяние от ядер атомов не учитывается ввиду его очень малой интенсивности. Здесь и далее под интенсивностью понимается интенсивность когерентного рассеяния. Предполагается, что поправки на некогерентное рассеяние, поляризацию п поглощен11е уже учтены. [c.114]

Рис. 8.1. Выраженная в электронных единицах интенсивность лауэвского рассеяния неупорядоченными твердыми растворами Аи—Си

Частицы жесткой гетерофазы, химически связанные с макромолекулами, по мнению авторов [30, 35—37], действуют как частицы усиливающего наполнителя, что и обусловливает основные особенности механических свойств вулкаиизатов. Образование гете-рофазной структуры в резинах с ПНС подтверждается возникновением малоуглового рентгеновского рассеяния. Появление рассеяния рентгеновских лучей, направленных на объект под малыми углами, свидетельствует о присутствии дисперсной гетерофазы с отличной от основной матрицы электронной плотностью. Интенсивность рассеяния растет с увеличением концентрации ПНС. Расчеты показали, что размеры частиц гетерофазы полимеризованного метакрилата магния в вулканизатах бутадиен-стирольного каучука составляют 140—250 А, т. е. близки по величине к размерам частиц усиливающих углеродных саж. Отмечается, однако, что такое совпадение не свидетельствует о сходстве в механизме усиления. Доля сшивок, связанных с частицами полимеризованного метакрилата магния, увеличивается с ростом его концентрации и при 40— 50 масс. ч./ЮО масс. ч. каучука составляет около 90%. Соответственно уменьшается доля сшивок в матрице эластомера, и облегчаются процессы релаксации цепей. При использовании метакрилата натрия происходило образование только линейного гомополимера. Однако при этом, несмотря на возникновение гетерофазы, не наблюдалось существенного упрочнения вулкаиизатов. Предполагается, что в этом случае размер частиц гетерофазы значительно больше, чем у активных наполнителей или частиц полимеризо-ванной магниевой соли. Действительно, при переходе к акриламиду наблюдалось уменьшение размера частиц дисперсной фазы и улучшение физико-механических свойств резин [43]. [c.118]

Для многоатомной молекулы, содержащей п атомов двух видов I н т, нужно провести векторное суммирование амплитуд волн де Бройля для электронов, рассеянных каждым атомом. Это достигается построением соответствующего многоугольника векторов совершенно аналогично тому, как на рис. 140 был построен треугольник. Замыкающая многоугольника дает результирующую амплитуду. В этом случае суммарная интенсивность рассеянных электронов выразится соотнощаниш,, [c.296]

Рис. 141. Распределение интенсивности потока электронов, рассеянных молекулами Вгг 1 — когеррентное рассеяние 2 — некогеррентное рассеяние 3 — суммарная кривая (несколько сдвинута вниз, чтобы показать сходство с кривой 2)

В 1953 г. Бартеллом и Брокуэем [155] было выполнено первое успешное электронографическое измерение радиального распределения электронов в атоме Аг, продемонстрировавшее возможность при помощи дифракционного метода на быстрых электронах экспериментально разрешать максимумы, соответствующие К- и -оболочкам атома. Позднее экспериментальное измерение интенсивностей электронов, рассеянных атомами благородногазовых элементов (от Не до Хе), проведено в работах [125, 156, 157] фотографической техникой и в работе [158] для атомов Аг, Кг и Хе сцинтилляционными счетчиками. Во всех случаях получено удовлетворительное согласование теоретических расчетов интенсивности с экспериментом, в особенности для атомов легких элементов. [c.250]

Общая теория, развитая Дебаем и Бюхе [27], а также Породом [20], опирается на тот факт, что рассеяние под малыми углами зависит только от изменения электронной плотности. Интенсивность рассеяния определяется средней рассеивающей способностью системы, которая обозначается или среднеквадратичным отклонением (будет рассмотрено ниже). Угловая зависимость рассеяния под малыми углами связана с распределением в пространстве электронной плотности, которое описывается с помощью так называемой коррелятивной функции (Пород называет ее характеристической). Не вдаваясь в подробности, достаточно знать, что коррелятивная функция определяется аналогично функции Патерсона, используемой в структурном анализе кристаллов, т. е. следует принимать во внимание распределение всех точек по парам. Кривая рассеяния связана с коррелятивной функцией с помощью преобразований Фурье. Отсюда следует, что из данных по рассеянию под малыми углами можно извлечь только сведения, в той или иной форме содержащиеся в коррелятивной функции. [c.206]

Нерегулярные системы, или, как принято их называть, аморфные тела, дающие при электронном рассеянии гало-картины, пока не подвергались подробному анализу, но, повиди-мому, путь исследования их также аналогичен путям, применяемым в рентгенографии. Соответствующие попытки анализа гало-картин осуществлены Н. А. Шишаковым применительно к аморфному окислу на алюминии. В этом случае исходным элементом расчета интенсивностей служила формула Дебая для рассеяния газовыми молекулами. [c.10]

Теперь об эксперименте Дэвиссона и Джермера, Поначалу Дэвиссон искал. .. электронные оболочки атомов, а точнее, изучая отражение электронов от твердых тел, он стремился прощупать конфигурацию электрического поля, окружающего отдельный атом. В 1923 г. совместно со своим учеником Г. Канс-маном он получил кривые распределения рассеянных электронов по углам в зависимости от скорости первоначального (нерассеянного) пучка. Схема опыта показана на рис. 4. В этой установке можно было изменять энергию первичного пучка, угол падения на мишень (поверхность металла) и положение детектора. Согласно классической физике рассеянные электроны должны вылетать во всех направлениях, причем их интенсивность мало зависит от угла рассеяния и еще меньше — от энергии первичного пучка. Почти так и получалось в опытах Дэвиссона и Кансмана. Почти., ., но небольшие максимумы на кривых распределения электронов по углам в зависимости от энергии нерассеянного пучка все-таки были. Исследователи приписали их неоднородности электрических полей около атомов мишени. [c.21]

Дифракционные картины Д и исключительно похожи во многих отношениях и имеют много общего с картиной Г относительно наиболее интенсивных линий. Следует предположить, что при замене S N и Se N на O N, если даже геометрии систем похожи, большие электронные плотности на атомах S и Se должны приводить к заметному изменению интенсивностей линий при рассеянии рентгеновских лучей. Поэтому можно сказать, что дифракционные картины Д и также похожи, как и следовало бы ожидать, если бы все три структуры были похожи. Результаты согласуютс.я с аналогичными структурами. Особенно заметно увеличение интенсивности пиков при больших углах с увеличением массы мостиковой группы оно станет понятным после обсуждения, проведенного в разд. 17.5. [c.390]

Система RYSALIS j ] определяет трехмерную структуру белка по распределению плотности электронов (РПЭ). ЭС интерпретирует информацию по дифракции рентгеновских лучей, включающую информацию о положении и интенсивности рассеянных волн, и выводит атомную структуру. ЭС использует знания о составе белка и рентгеноструктурном анализе, а также эвристики, чтобы с помощью анализа РПЭ получать и проверять гипотезы относительно правдоподобных белковых структур. HYSALIS использует архитектуру типа доски объявлений , содержащей независимые источники знаний для выдвижения и проверки многоуровневой структуры гипотез. ЭС написана на языке ЛИСП. [c.262]

Спектры комбинационного рассеяния образуются, если вещество облучать монохроматическим светом, причем частота монохроматического света должна значительно отличаться от частоты ультрафиолетовых лучей, так как они поглощаются электронами. Обычно используют луч видимого света 2, например, синюю линию света ртутной лампы 4358А. Молекулы вещества поглощают энергию части лучей, необходимую для возбуждения колебательного и вращательного движения другая часть лучей проходит слои вещества без изменения. Поэтому в спектре наряду с линией возбуждающего светового луча го появляются линии более слабой интенсивности с меньшими частотами VI (стоксовы линии). Поглощенная энергия равна А = /1( о — [c.34]

Рентгеновское и нейтронное рассеяние. Методы рентгепострук-турного и нейтроноструктурного анализа представляют собой дифракционные методы. Рентгеновские лучи — это электромагнитные волны большой энергии. Длины волн пх лежат в интервале от 0,05 до 0,20 нм. Нейтроны — незаряженные микрочастицы, обладаюплие массой покоя. Для пучков нейтронов соответствующие им длины волн лежат в пределах 0,1 —1,0 нм. Рентгеновское излучение рассеивается электронами атомов и молекул. Интенсивность рассеянного излучения фиксируется каким-либо способом и характеризует электронную плотность. Рассеяние рентгеновских лучей на ядрах оказывается пренебрежимо малым. В свою очередь, нейтроны рассеиваются ядрами атомов. При этом упругое рассеяние медленных нейтронов позволяет изучать атомную структуру вещества, а неупругое используется для изучения динамики частиц. Механизмы рассеяния рентгеновских лучей и нейтронов похожи. [c.101]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология