Линии Кикучи

При изучении массивных образцов используют дифракцию электронов на отражение, когда издающий пучок как бы скользит по пов-сги образца, проникая на глубину 5-50 нм. Дифракц. картина в этом случае отражает структуру пов-сти. При этом можно изучать явления адсорбции посторонних атомов, эпитаксию, процессы окисления и т. п. Если кристалл обладает атомной сфуктурой, близкой к вдеальной, и дифракция на просвет или на отражение происходит на гл>ёине 50 нм или более, то получается дифракционная картина с т. наз. линиями Кикучи, на основании к-рой можно делать выводы о совершенстве структуры. [c.451]

Структурные исследования, проведенные с помощью дифракций медленных электронов под малыми углами, позволили создать следующую картину роста. Первоначально растет слой совершенного монокристалла (рис. 56, а), затем его структура ухудшается и наряду с монокристаллическими участками растет поликристал-лический алмаз (см. рис. 56, б). На следующей стадии растет как алмаз, так и графит, причем алмаз сохраняет монокристальную структуру, что видно по линиям Кикучи, которые часто бывают двойными вследствие наследования двойниковой структуры кристалла-затравки. Далее растет поликристаллический алмаз совместно с графитом и наконец один графит (см. рис. 56, в). Ниже приведены результаты расчета и табличные значения межплоскостных расстояний на стадии, соответствующей рис. 56, а [c.101]

Электронно-микросколические и рентгеноструктурные исследования ялектролитичвского железа показали, что линейные дефекты сосредоточены внутри границ, разделяющих отдельные фрагменты (субзерна),объем которых представляет собой участки металла с весьма совершенной структурой, о чем свидетельствовало наличие линий Кикучи на микро-дифракционных картинах [336].Угол разориентировки между субзернами, по данным микродифракции але1стронов, составил Причем уве- [c.99]

На рис. 39 показаны петли в графитовой пленке, облученной дозой до 10 ° нейтрон см и затем отожженной. Пленки располагали под углом 45° к падающему пучку и фотографировали для двух значений 5, имеющих разный знак. Знак 5 определяли по положению линии Кикучи и дифракционного пятна относительно центра фотографии (рис. 40). [c.56]

Линии Кикучи и их использование [c.474]

При достаточно совершенной кристаллической структуре объекта на электронограмме будут присутствовать не только точки (результат упругого рассеяния и дифракции электронов от точечного источника), но и дополнительная сложная картина светлых и темных поле (результат дифракции электронов пучка, претерпевших неупругое рассеяние в объеме объекта при малых потерях энергии. Интенсивность рассеяния электронов максимальна в направлении падающего пучка и с увеличением угла рассеяния а резко уменьшается. Пусть где-то внутри кристалла находится источник диффузно рассеянных электронов. В направлении ti и 2 рассеянные электроны встречают плоскости HKL кристалла, от которых отражаются в соответствии с законом Вульфа— Брегга. В связи с тем, что интенсивность диффузно рассеянных электронов, в направлении ai меньше, чем в направлении 2 (поскольку а <Са2), интенсивность отраженных лучей А/г>A/i. Следовательно, добавление к интенсивности фона [-fA/2 в направлении ai больше, чем убыль интенсивности —А/ь и, наоборот, убыль интенсивности —Д/2 в направлении 2 больше, чем добавление +A/i- В итоге в определенных направлениях должна возникать избыточная интенсивность фона, а в других недостаток интенсивности (рис. 20.31). Эти направления соответствуют образующим конусов, осью которых является нормаль к отражающим плоскостям HKL и HKL, и угол при вершине равен (180°—2 ). Геометрия дифракции электронов, источник которых располагается внутри самого кристалла, та же, что и геометрия псевдо-Косселя для дифракции рентгеновских лучей (см. гл. 9). В связи с малостью углов О пересечения конусов с плоскостью экрана или фотопластинки в случае дифракции быстрых электронов картина имеет вид прямых линий (вместо гипербол при рентгеновской дифракции). Картины линий Кикучи очень чувствительны к изменению ориентировки кристалла. Как видно на рис. 20.31,6, след отражающей плоскости точно проектируется посередине расстояния между соответствующими темной и светлой линиями Кикучи и представляет собой гномоническую [c.474]

Рис. 20.31. Схемы к объяснению линий Кикучи

В положении кристалла, близком к симметричному, линии Кикучи располагаются между центральным пятном и соответствующими точечными рефлексами и сравнительно слабо выделяются. В точном вульф-брэггов-ском положении для некоторого рефлекса HKL светлая линия Кикучи HKL проходит точно через рефлекс HKL (рис. 20.32). [c.475]

Отклонение от вульф—брэгговского положения (вектор 5) наиболее точно устанавливают по положению линии Кикучи на электронограмме. Вектор отклонения от вульф—брэгговского положения проводят от узла обратной решетки до пересечения с поверхностью сферы отражения в направлении, параллельном (или антипараллельном) падающему пучку. Положительному знаку вектора 5 соответствует угол скольжения 1[> больший, чем [c.476]

Рис. 20.32. Дифракционные картины с линиями Кикучи от образца германия при точной ориентировке оси [111] вдоль пучка электронов (а) и от образца алюминия в ориентировке, близкой к [125], при почти точном

Точная ориентировка кристалла (или точное направление оси зоны) может быть установлена по положению двух пар линий Кикучи. Как видно на рис. 20.34, пересечение следов двух плоскостей представляет след оси их зоны. Точность метода линий Кикучи на порядок выше метода сильных рефлексов. [c.476]

Рис. 20.33. Положение линии Кикучи при точной вульф-брэгговской ориентировке кристалла (5—0), (а), при отрицательном (5<0) (б) и положительном (5>0) (в) отклонениях кристалла

Рис. 20.34. Схема к определению ориентировки кристалла по положениям линий Кикучи

Дифракционная картина и линии Кикучи [c.513]

Рис. 21.31. Схемы положения линий Кикучи, рефлексов разного порядка, следа отражающей плоскости (штриховая линия) и положения апертурной диафрагмы (кружки) при использовании слабых пучков, образующих большой (схема а1 и малый (схема б) угол с отражающей плоскостью. При всех указанных на схемах положениях апертурной диафрагмы величина отклонения от вульф-брэгговского положения одинакова з= 2е-и (Хови, Суон)

Критическое напряжение зависит от межплоскостного расстояния, структурного фактора, а также от дебаевской температуры. Следовательно измерения критического напряжения, которые проводятся на ограниченных объемах материала (диаметр Д мкм), могут дать информацию о локальном химическом составе. Для этих измерений используется метод электронограмм в сходящемся пучке или метод Кикучи-линий. В методе Кикучи-линий отмечается величина ускоряющего напряжения, при котором исчезают линии Кикучи второго порядка, тогда, как соседние линии сохраняют интенсивность. [c.545]

Эффект каналирования заключается в появлении системы полос и более или менее четких тонких линий ширина полос и их расположение закономерно связаны с кристаллической структурой и ориентировкой кристалла. Картинам каналирования подобны линии Кикучи, поэтому их иногда называют псевдо-Кикучи линиями. [c.560]

Хендрикс и Росс возражают против теории низкой упорядоченности в структуре монтмориллонита на основании главным образом исследований при помощи дифракции электронов. Если бы структурная неупорядоченность была так велика, как предполагал Гофман, т. е. отдельные пакеты слоев лишь параллельны друг другу, но расположены хаотично, то электронограммы не зависели бы от толщины кристалла. При помощи дифракции можно было бы обнаружить только хорошо развитую двумерную скрещенную решетку. Хендрикс и Росс показали, однако, что при дифракции в кристаллах толщиной в 100— ЮОО А развиваются отчетливо выраженные линии Кикучи (Kik u hi-lines) что с несомненностью указывает на существование трехмерного порядка. Если слоевые пакеты ориентированы определенным образом, то, очевидно, и молекулы воды прослоены правильно, С другой стороны, Гофман и Хауздорф указали на факт первостепенной важности интерференционная картина на рентгенограммах отве- [c.78]

Обычный способ наблюдения дислокаций в электронном микроскопе основан на неоди ако1вой дифракции электронного луча в деформированных и иедеформированных участках. В принципе можно исследовать совершенство любого материала, который допускает изготовление без разрушения тонких образцов, прозрачных для электронного луча с энергией около 100 кэВ и не разрушающихся под действием электронов. Для большинства материалов нужная толщина образцов составляет 10 м [85]. Если кристалл близок к совершенству (с угловой раз-ориентацией 10 рад) и имеет достаточную толщину ( Ю- м для германия), то благодаря электронной дифракции в нем будут образовываться линии Кикучи [86,87] с шириной, пропорциональной искривлению кристаллической плоскости. Следовательно, картины линий Кикучи полезны при изучении качества кристаллов высокой степени совершенства ). [c.49]

При наличии гониометрического столика объекта (а при его отсутствии с помощью стереомеханизма) можно в довольно широких пределах изменить ориентацию образца относительно освещающего пучка и изменять действующие отражения. Для определения ориентации самой фольги (определение индексов плоскости, параллельной поверхности фольги) выгодна точная ориентация зоны (параллельность оси зоны освещающему пучку). При этом на электронограмме должно быть симметричное расположение рефлексов (по числу и по интенсивности). Формирование микроскопического изображения связано с действием большого числа отражений, поэтому дифракционный контраст оказывается низким. Максимальный контраст светлопольного изображения наблюдается при действии какого-либо одного сильного отражения, хотя при этом могут быть невидимыми некоторые детали изображения (прежде всего дислокации, для которых вектор Бюргерса параллелен отражающей плоскости или Ьг = 0). Точное вульф-брэгговское (В—Б) положение для какого-либо отражения можно легко установить, если кристалл достаточно толст и совершенен. В этих случаях наблюдаются так называемые линии Кикучи. Линии Кикучи представляют собой области усиления и соответственно ослабления интенсивности фона из-за того, что электроны, диффузно рассеянные от верхней части кристалла, при дальнейшем прохождении через толстый кристалл испытывают дифракционное рассеяние (рис. 157, а). В первом приближении можно рассматривать линии Кикучи как результат отражения электронов, [c.283]

Рис. 157. Использование линий Кикучи для точного определения ориентации объекта

Если кристалл находится в точном В—Б положении, то соответствующие линии Кикучи проходят точно через след прямого пучка (область пониженной интенсивности) и через след отраженного пучка (область избыточной интенсивности) (рис. 157,6). При наклоне образца линии Кикучи движутся, тогда как точечные рефлексы только меняют [c.284]

Для определения малых разориентаций и прецизионных измерений необходимо гониометрическое устройство, а также анализ интенсивностей рефлексов или анализ положения линий Кикучи. [c.289]

Отсутствие структурных изменений на поверхности металлов, полированных электролитически, было впервые показано косвенным путем таким простым методом, как продолжение кристаллами катодного осадка кристаллов основы [155, 1611. Это было подтверждено рентгенографически и электронографически [149, 162], тогда как совершенство решетки было продемонстрировано остротой линии Кикучи [160, 163]. [c.75]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология