Подготовка к выращиванию кристаллов

Весь цикл плавления шихты в количестве, соответствующем размеру тигля, занимает около 1 ч. Плотность образовавшегося материала около 3,3 г/см. Он не гигроскопичен и может храниться в любых условиях влажности. Работа одной установки с гарниссажным способом плавления может обеспечить высококачественным сырьем работу нескольких сот ростовых установок. Внедрение данного способа подготовки шихты в производство монокристаллов ИАГ позволило увеличить годовую производительность установок по выращиванию кристаллов в 1,5—2 раза за счет увеличения числа циклов, выхода кондиционного материала с цикла, удлинения срока службы оснастки и в целом установок. [c.178]

ПОДГОТОВКА К ВЫРАЩИВАНИЮ КРИСТАЛЛОВ [c.62]

Выращивание кристаллов обычно требует значительных усилий экспериментатора, и совершается не одна ошибка, прежде чем удастся получить пригодный для исследования образец. Идентификация кристаллических граней часто может быть выполнена обычным оптическим исследованием, включая измерение углов между хорошо развитыми гранями при помощи гониометра. Дальнейшую проверку можно провести рентгеноструктурными методами. Приемы подготовки и полировки кристаллов в значительной степени зависят от твердости кристалла. [c.436]

Для выращивания большинства встречающихся на практике кристаллов, особенно если размер выращиваемого кристалла не превышает первых сантиметров, вполне достаточным оказывается применение обычной дистиллированной воды или перегнанных органических растворителей, одно—трехкратная прямая или обратная перекристаллизация вещества с параллельной или последующей очисткой активированным углем. Если после такой подготовки кристалл все же имеет недостаточно удовлетворительное качество, то следует тем не менее попытаться подобрать благоприятные условия роста, такие как температура, пересыщение, способ крепления затравки, динамика движения раствора и т. п. И только в том случае, когда подобрать благоприятные условия не удается, следует вновь вернуться к дополнительной очистке или подбору примесей, нейтрализующих вредное действие тех компонентов, которые содержатся в маточной среде. [c.137]

Многие кристаллы, как известно, неплохо растут и в недостаточно приспособленных помещениях. Поэтому наши рекомендации относятся главным образом к тем, кто намерен длительное время заниматься выращиванием монокристаллов как для научных, так и для технических целей или изучением тонких особенностей роста кристаллов. Но если это так, то имеет смысл затратить средства и время для предварительной основательной подготовки помещения лаборатории. [c.159]

Увеличение производительности процесса может быть достигнуто повышением скорости вытягивания, выращиванием более широких лент, а также нескольких лент одновременно. В работе [373] сообщается об одновременном выращивании 3 лент шириной 25 мм и подготовке устройств для одновременного выращивания 5 лент шириной 51 мм. Выращенные различными вариантами способа Степанова кремниевые ленты содержат разнообразные кристаллофизические дефекты двойники, дислокации, дефекты упаковки, малоугловые границы, пересекающиеся границы, включения частиц и дендриты Si и др. [31, 68, 160, 375]. Некоторые из этих дефектов решающим образом сказываются на характеристиках солнечных преобразователей. Так, КПД преобразования кремниевых солнечных ячеек зависит от наличия рекомбинационных центров и дефектов решетки, которые уменьшают время жизни неосновных носителей в объеме кристалла [375, 376]. Для совершенных участков лент были получены значения времени жизни более 500 мкс [31, 32, 377], т. е. на уровне значений для лучших кристаллов, выращенных методом Чохральского. Величины подвижности, времени релаксации фотопроводимости и коэффициента пропускания для кремниевых лент, выращенных по EFG-варианту, имеют худшие значения, чем для кристаллов, полученных методом Чохральского [375]. [c.224]

В целях устрацения указанных недостатков процесса подготовки шихты для кристаллизации монокристаллов граната во ВНИИСИМСе была разработана технология сплавления шихты на установке с гарниссажным методом плавления (типа Кристалл-401 ). Сущность этого метода заключается в плавлении электропроводного вещества токами высокой частоты в водоохлаждаемом контейнере ( холодный тигель). За счет интенсивной теплоотдачи на границе расплав — контейнер сохраняется тонкий слой нерасплавленного материала, так называемый гарниссажный слой. Этот метод, благодаря работам сотрудников ФИАН под руководством А. М. Прохорова и В. В. Осико, нашел применение в области выращивания фианитов—монокристаллов стабилизированного кубического диоксида циркония с температурой плавления около 2800 °С. [c.177]

Устойчивость растворов существенно возрастает при более тщательной их подготовке, т. е. скорость зарождения центров кристаллизации меньше в растворах, профильтрованных через фильтр малой пористости (стеклофильтр № 4). Как видно яз рис. 47, скорость зародышеобразования в растворах также уменьшается при использовании брлёе чистых реактивов. Устойчивость растворов иодата лития возрастает с понижением кислотного раствора, однако при этом наблюдается образование нестабильной тетрагональной фазы. Повышение кислотности способствует кристаллизации о -фазы, но устойчивость пересыщенных растворов понизкается (см, рис. 47, 49). Поэтому кристаллы гексагональной модификации иодата лития желательно выращивать при минимальной кислотности раствора (pH 2,5), когда уже не образуется кристаллов р-фазы [247 ]. Оценка устойчивости переохлажденных расплавов и растворов имеет практическое значение также при разработке режимов выращивания пленок и слоев полупроводниковых и пьезоэлектрических веществ методом жидкостной эпитаксии [253, 254]. [c.117]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология