Выращивание пленок

Удельное сопротивление можно измерить стандартным методом четырехточечного зонда лишь на эпитаксиальных слоях, выращенных на подложках с противоположным типом проводимости. На подложку подается смещение, запирающее р—л-переход на границе между подложкой и пленкой. Четырехточечный зонд можно также применять для толстых пленок любого типа проводимости после полного удаления подложки шлифовкой и односторонним травлением в малом количестве азотной и плавиковой кислот. Этот процесс весьма трудоемок и, кроме того, разрушает структуру, полученную после выращивания пленки. [c.145]

Полупроводниковые НК- Разработана технология выращивания НК полупроводников при одновременном действии двух методов кристаллизации из газовой фазы с участием химических транспортных реакций. Вначале с большей скоростью выращивается лидер по методу пар—жидкость—кристалл, а затем на нем производится наращивание слоев в радиальном направлении по методу пар—кристалл. В результате НК имеет двухслойную структуру. Поскольку кристаллизация в радиальном направлении происходит со скоростью на два порядка меньше, чем в осевом направлении, а коэффициенты распределения примесей зависят от скорости роста, то при введении в кристаллизационную зону двух легирующих элементов донорного и акцепторного типов, с разными коэффициентами распределения удается получить в одном НК две области рии (или несколько р—п-переходов). Следует заметить, что качество получаемых электронных структур весьма высокое, так как периферийные слои наращиваются на совершенной боковой поверхности НК и дислокации несоответствия (обычно наблюдаемые при эпитаксиальном выращивании пленок) отсутствуют. Количество же выращенных НК может быть очень велико (до 10 см ). [c.504]

Фактически электрохимия алмаза началась с работы [11], в которой впервые была получена вольт-амперная характеристика и измерена дифференциальная емкость на границе раздела поликристаллический алмаз/раствор электролита также была обнаружена фоточувствительность алмазных электродов, которая была сопоставлена с полупроводниковыми свойствами алмаза. За исследованиями российских авторов вскоре последовали работы электрохимиков из Японии, Израиля, Франции, США, Швейцарии, Германии и других стран. Если в самых первых работах использовались алмазные пленки, хотя и с совершенной кристаллической структурой, но не легированные (их проводимость приписывали [И] неким не идентифицированным примесям или точечным дефектам, введенным специальным тепловым режимом при выращивании пленок), то, начиная с работы [12], в электрохимических исследованиях применялся алмаз, легированный бором. Переход на специально легированные электроды придал дополнительный импульс исследованиям в этой сфере. В последние годы число лабораторий, занятых исследованиями алмазных электродов, и число публикаций по электрохимии алмаза неуклонно возрастает. [c.8]

Условия газофазного выращивания пленок алмаза с термической активацией [c.10]

Понижение концентрации солей меди, никеля и кобальта позволило очень существенно снизить скорость процесса и сделать ее удобной для контролируемого выращивания пленок нужной толщины. Контроль толщины при этом легко осуществляется измерением оптической плотности слоя, которое можно проводить непрерывно, не прекращая процесс восстановления. Сами металлизирующие растворы I и П окрашены очень слабо, и это дает возможность следить за изменением толщины пленки в достаточно широком интервале [c.109]

Механизм процесса термического выращивания пленок проходит в настоящее время стадию обсуждения, однако совокупность накопленной ин- [c.486]

Выращивание пленки грибов на жидкой питательной среде для получения амилазы неприменимо, так как содержащийся в среде сахар превращается в органические кислоты, которые инактивируют амилазу. [c.142]

Достоинство этого метода выращивания монокристаллической пленки из газовой фазы состоит в том, что процесс выращивания пленки и распределения в ней примесей протекает при относительно невысоких температурах, когда диффузионными процессами, нарушающими заданное распределение примесей, можно пренебречь. [c.60]

Для получения монокристаллических ферритовых пленок используют, как правило, химические методы — выращивание из жидкой фазы, гидротермальный рост, осаждение из газовой фазы. Независимо от метода выращивание пленок ферритов всегда сводится к осаждению вещества на подложку. [c.167]

Выращивание пленок методом химического транспорта в малом зазоре (известном под названием сэндвич-метода ) является наиболее перспективным из газотранспортных методов получения монокристаллических пленок ферритов (в первую очередь со структурой шпинели). Его преимущества сводятся к следующему [c.169]

Методы выращивания пленок из жидкой фазы могут быть классифицированы по способам создания пересыщения в растворе и по температурным условиям кристаллизации. Пересыщение в растворе может создаваться понижением температуры раствора, испарением растворителя в изотермических условиях, подпиткой из твердой фазы (при наличии градиента температуры), наложением электрического поля, создающего поток кристаллизующихся компонентов к фронту кристаллизации. [c.171]

Рис. 5.3. Схема печи для выращивания пленок ферритов методом жидкофазной эпитаксии — корпус печи 2—каолиновая вата 3—нагреватель 4 — трубка алундовая 5—подставка из алунда 5—тигель платиновый 7—подложка в —держатель платиновый

Помещение участка по выращиванию пленок оборудуют автономной системой приточно-вытяжной вентиляции. Обслуживающий персонал участка должен регулярно в установленные сроки проходить профессиональный осмотр. [c.196]

Процесс водородного восстановления хлоридов кремния и условия его проведения были описаны в 9.1. Рассмотрим технологию выращивания пленок но суммарной реакции [c.431]

Очевидно, что процесс должен проводиться в среде, свободной от кислорода, так как он может реагировать и с органической частью молекулы, и с металлом и таким образом загрязнять осаждающуюся пленку. Иногда процесс проводится в токе газа-носителя (аргон, азот, гелий, водород). Но чаще всего осаждение пленок хрома проводится в вакууме. Слишком высокое давление паров хроморганических соединений приводит к высокой скорости осаждения и, как следствие, к посредственной адгезии пленки к подложке. По некоторым данным [419], предпочтительней использовать давление около 10 мм рт. ст. как максимальное, а чаще всего выращивание пленок хрома из паровой фазы при термическом разложении хроморганических соединений проводят при давлении 0,01 — 10 мм рт. ст. Желаемая толщина покрытия, как правило, достигается за счет продолжительности процесса разложения соединения. Осаждение пленок хрома проводилось на подложки самых различных материалов стекло, кварц, керамика, ситалл, пластмассы, металлы, сплавы и т. п. [c.256]

Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений считают в настоящее время одним из наиболее перспективных приемов нанотехнологии. Метод обеспечивает выращивание пленок при осаждении материала из паровой фазы с использованием металлорганических соединений и гидридов (МОС-гидридная технология). Указанным способом были получены пленки нитрида кремния, оксида кремния, а также нитридов галлия, алюминия и др. [c.22]

Более производительным считается комбинированный способ выращивания пленки гриба. Он включает а) получение маточных культур на зерне б) выращивание инокулята (проращивание спор) в колбах на жидкой питательной среде в течение 12—17 ч в) выращивание и накопление вегетативной культуры в ферментере с принудительной аэрацией и перемешиванием в течение [c.77]

Кюветы для выращивания пленок устанавливают в вертикальные камеры (в каждую по 35—70 шт.). Культивируют при 25—26°С. Через 16—18 ч наблюдают появление пленки, через 3—4 сут происходит спороношение, на 4—5-е сут — массовое образование конидий. В этот период пленку снимают, помещают в сухие кюветы, которые закрывают крышками и оставляют на 2—3 сут для дозревания. После, чего их вынимают и сушат при 28°С в токе воздуха. Высушенные пленки спор помещают в полиэтиленовые мешки и хранят в сухом месте при 18—20°С. [c.78]

Перспективным является использование монокристаллов германия в форме лент и пластин в качестве подложек при эпитаксиальном росте. В [240] описаны эксперименты по созданию фотодиодов на основе эпитаксиальных слоев арсенида галлия, осаждаемых на германиевых лентах. Следует отметить применение аналогичных лент для эпитаксиального выращивания пленок фосфида галлия [11, 364]. Подложками служили германиевые монокристаллические ленты с ориентацией поверхности (111), выращенные способом Степанова. Скорость роста оказалась в 2 — [c.222]

Ра скин А. А., Маслов В. Н. Применение германиевых монокристаллических лент, выращенных по методу проф. А. В. Степанова, при эпитаксиальном выращивании пленок фосфида галлия. — Материалы I совещания по получению полупроводниковых монокристаллов способом Степанова и перспективам их применения в приборостроении. Л., ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, 1968, с. 150—154. [c.275]

Сахарный сироп поступает в стерилизатор 4, где смешивается с раствором питательных солей, предварительно приготовленных в эмалированных или нержавеющих бачках, и подвергается стерилизации кипячением. Стерилизатор представляет собой вертикальный аппарат, корпус которого изготовлен из хромоникелевой стали или алюминия, а пропеллерная мешалка — из хромоникелевой стали. Аппарат снабжен змеевиком и барботе-, ром для перемешивания, которые, так же как и примыкающая к аппарату коммуникация, выполнены из хромоникелевых или алюминиевых труб. Нижний патрубок аппарата соединен с трубопроводом, идущим в камеру брожения. Соединение осуществляется при помощи короткого резинового шланга, перекрываемого винтовым зажимом, что представляет для производственников значительные удобства при промывке и пропарке аппарата и трубопровода. В этом же аппарате изготовляется необходимый для выращивания пленки гриба питательный раствор, в котором, кроме сахара и хлористого аммония, содержатся небольшие количества (от 0,005 до 0,5 г л) сернокислого магния, цинка и железа, а также однозамещенного фосфорнокислого калия и соляной кислоты (pH среды 4,5—4,0). Питательный раствор засеивается спорами кислотообразующего гриба, который заливается в виде суспензии из инокулятора— бидона с нижним патрубком, изготовленного из алюминия или нержавеющей стали. [c.84]

Устойчивость растворов существенно возрастает при более тщательной их подготовке, т. е. скорость зарождения центров кристаллизации меньше в растворах, профильтрованных через фильтр малой пористости (стеклофильтр № 4). Как видно яз рис. 47, скорость зародышеобразования в растворах также уменьшается при использовании брлёе чистых реактивов. Устойчивость растворов иодата лития возрастает с понижением кислотного раствора, однако при этом наблюдается образование нестабильной тетрагональной фазы. Повышение кислотности способствует кристаллизации о -фазы, но устойчивость пересыщенных растворов понизкается (см, рис. 47, 49). Поэтому кристаллы гексагональной модификации иодата лития желательно выращивать при минимальной кислотности раствора (pH 2,5), когда уже не образуется кристаллов р-фазы [247 ]. Оценка устойчивости переохлажденных расплавов и растворов имеет практическое значение также при разработке режимов выращивания пленок и слоев полупроводниковых и пьезоэлектрических веществ методом жидкостной эпитаксии [253, 254]. [c.117]

Интересен вопрос, благоприятствует ли эпитаксия осаждению кристаллитов или нет. Другими словами, будет ли гетерогенное зародышеобра-зование происходить более легко на подложке, где возможна ориентация, или на подложке, где не происходит ориентированного нарастания Данные работ по выращиванию пленок металлов показывают, что, видимо, неориентированные пленки образуются более легко, чем ориентированные. Это может рассматриваться как свидетельство того, что эпитаксия не требуется для зародышеобразования. Однако нужно также помнить, что эксперименты по осаждению металлических пленок обычно проводятся при очень больших пересыщениях, когда можно ожидать конденсации даже единичных атомов, так что эти данные могут и не иметь значения. [c.103]

Первым описанием устройства, в котором на подложку подавали относительно анода отрицательное смещение с целью улучшить чистоту пленок, была, по-видимому, работа Бергхауза и Буркхардта [73]. Однако эти авторы ошибочно полагали, что улучшение свойства пленок происходило вследствие дополнительного разогрева пленок ионной бомбардировкой. Венер в 1962 году [34] описал установку ионного распыления со смещением, предназначенную для улучшения эпитаксиального выращивания пленок германия. Детальный анализ процессов, протекающих во время распыления со смещением (на примере тантала), провели в 1965 г. Майссел и Шайбл [74]. В этой работе было показано, что выражение (2) при подаче на подложку потенциала смещения принимает вид [c.432]

В литературе часто встречаются описания способа выращивания пленок в тлеющем разряде при введении мономера в разрядную камеру. Брэдли и Хэммис [34] приводят 40 наименований мономеров, с которыми были проведены подобные эксперименты. Иногда используется высокочастотное возбуждение, что позволяет получить изолирующие пленки из стирола и некоторых других материалов, с относительно высокой скоростью осаждения [до 1200 А/мив]. (Аппаратура для проведения процесса описа.ча в [12, 35]), [c.476]

С помощью такого метода можно осаждать металлы, полупроводники в окислы, причем сущность метода заключается в пропускании над поверхностью нагретой подложки либо водорода, либо водяного пара (часто в смеси с аргоном). Чтобы обеспечить хорошее перемешивани и равйомер-кость температуры в рабочей зоне реактора, иногда применяется так называемый сжиженный слой. На рис. 18 изображен схематический разрез подобной системы, предназначенной для выращивания пленки АЬОз на металлической подложке, причем в качестве сжиженного слоя в реакторе [c.477]

Окисные пленки можно изготавливать двумя основными способами. В первом из них (для большинства металлов) при анодировании используется постоянный ток, пропускаемый через рабочий объем, причем толщина пленки пропорциональна времени, в течение которого пропускается ток. На рис. 23 показан типичный характер зависимости толщины пленки от времени пропускания тока для алюминия и тантала. Разность потенциалов между граничными поверхностями растущей пленки в ее поперечном сечении служит мерой толщины, поэтому вводится величина отношения толщины к напряжению, значения которой приведены в табл. 5. Из рис. 23 видно, что скорость роста в данных услвиях может быть сравнима со скоростью роста при электрохимическом осаждении (например, скорость роста окисла на поверхности тантала при плотности тока 2 мА/см составит 10 А/с при тех же условиях скорость роста окисла на поверхности алюминия составляет 11 А/с). Толщину осаждаемой пленки можно увеличивать до определенного предела. Вблизи этого предела в пленке начинают появляться трещины от изгибающих напряжений или начинается процесс рекристаллизации. Первое ограничение относится к алюминию и танталу при этом максимум разности потенциалов, а следовательно, и максимально достижимая толщина зависит от чистоты подложки, состава электролита и некоторых других параметров. Появление эффекта рекристаллизации также является результатом действия приложенного напряжения. B e окислы, полученные анодированием, до некоторой степени обнаруживают подобный эффект (А)20з, образующийся при напряжении 500 В, будет содержать в структуре до 10% кристаллических включений), однако особенное эначение этот факт приобретает при выращивании пленок тантала и ниобия. На рис. 24 проиллюстрирован этот эффект, проявившийся при [c.482]

Рис. 24. Явления полевой рекристаллизации, возникающие при выращивании пленки ТзгО, способом анодирования ори действии сильных электрических полей.

Кроме перечисленных выше случаев, маски для напыления используются при создании тонкопленочного рисунка и в некоторых других методах. Одним из них является метод осаждения полимерных пленок из паров моно.мерных соединений. Поскольку в этом случае конденсация происходит только на участках, где слой мономерного соединения подвергается воздействию ультрафиолетового излучения, то заданный контур рисунка можно ПОЛУЧИТЬ маскированием подложки от ультрафиолетовых лучей [16]. Такие полимерные пленочные слои или могут использоваться как диэлектрик в тонкопленочных конденсаторах [17], или для изготовления фоторезистивных масок в вакууме [18]. Кроме того маски используются для нанесения сверхтонких пленок, служащих в качестве зародышеобразователя для последующего осаждения более толстых пленок. После того, как на подложку нанесен очень тонкий слой заданной конфигурации, маска удаляется и вся поверхность подложки подвергается воздействию паров другого вещества для выращивания пленки заданной толщины. Зарождение второго слоя может быть либо ограничено выбором испаряющихся веществ и условий осаждения [19, 20], либо совсем подавлено предварительной обработкой поверхности. Амес и другие [21] сообщают, что таким методом можно получать линии шириной около 0,0025 мм, при условии контроля наращивания краев пленки, предварительно напыленной через маску. [c.570]

Рост пленок Б зависимости от способа создания и поддержания пересыщения может происходить в изотермических условиях, при понижении температуры и при наличии температурного градиента. Наиболее широко в настоящее время выращивание пленок феррогранатов осуществляется из растворов при понижении температуры и в изотермических условиях, [c.171]

Остановимся более подробно на способах приготовления подложек для выращивания пленок феррогранатов. К настоящему времени получены немагнитные гранаты с параметрами решетки в интервале 1,22 4-1,26 нм (рис, 5.6), При этом совпадение постоянных решеток подложек и пленок обеспечивается либо изменением состава пленок, либо использованием подложек твердых растворов гранатов. Наиболее широкое применение получили подложки из галлий-гадолиниевого граната Gd3GasOi2 (ГГГ), Монокристаллы этих подложек выращивают методом Чохральского или бестигельной зонной плавкой. Затем кристаллы дополнительно ориентируют и разрезают алмазной пилой на пластины толщиной 0,5—1,0 мм, которые подвергают механической полировке с применением алмазных абразивных паст (размер частиц изменяется от 20 до 0,5 мкм). Окончательным этапом механической обработки является полирование оксидом хрома или диоксидом кремния с размером частиц менее 0,5 мкм, [c.174]

Транспортные реакции широко применяют при выращивании пленок полупроводниковых соединений на ориентированных мо-нокристаллических подложках из бинарных соединений одинаковой кристаллической структуры. Подобные гибриды получают также с участием германия и кремния. [c.191]

Термин эпитаксия применяют к процессам выращивания тонких монокристаллических слоев (пленок) на монокристаллических подложках. Материал подложки в процессе выращивания играет роль затравочного кристалла. Эпитаксиальный процесс отличается от процессов выращивания монокристаллов, например, методом Чох-ральского тем, что рост кристалла происходит при температуре ниже температуры плавления. Обычно эпитаксиальное выращивание пленок основано на процессах ХОГФ, за исключением молекулярно-лучевой эпитаксии, где используется процесс вакуумной конденсации [3]. [c.107]

Результаты работы показали возможность группового выращивания пленок на подложках в емкостном безэлектродгюм разряде. Прочные пленки Si02 получаются при подогреве столика. Ввод кислорода улучшает сцепление пленок с подложкой и их качество. Применение пленок для создания диэлектрических и защитных слоев при изготовлении приборов показало, что они удовлетворяют требованиям тонкопленочной техники. [c.447]

Выращивать пленки на поверхности электродов удобнее всего фотоэлектрохимическим путем. Для этого электрод помещают в раствор мономера в ацетонитриле или другом неводном растворителе, с добавками инертного электролита (для придания раствору электропроводности) и инициатора полимеризации, например, ВР устанавливают нужный потенциал и освещают электрод. Полимеризагщя идет преимущественно на поверхности электрода, а не в объеме раствора. После выращивания пленки-обычно до толщины порядка I мкм проводят ее электрохимическое окисление. [c.162]

Поверхностное культивирование гриба проводят как в жидкой питательной среде, так и на полутвердой, на этих средах гриб обладает хорошей скоростью роста. Его микробиологическое производство завершается на стадии получения спороносной пленки, которую впоследствии снимают, высушивают, измельчают и при необходимости стандартизуют соответствующим количеством наполнителя. Среди возможных приемов, используемых в производстве боверина поверхностным культивированием, различают 1) культивирование гриба на жидких средах без автоклавирования, перемешивания, аэрации 2) культивирование на твердых и жидких автоклавированных средах без перемешивания и принудительной аэрации 3) комбинированный способ выращивания пленки гриба. [c.76]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология