Кристалл развитие граней

На поверхностях молекулярных кристаллов ван-дер-вааль-совские расстояния между молекулами значительно превосходят длины химических связей внутри молекул, поэтому средняя поверхностная концентрация силовых центров на них меньше. Однако в тех случаях, когда на поверхности молекулярного кристалла развиты грани, содержащие большие плоские молекулы, или когда такие многоатомные плоские молекулы образуют модифицирующую пленку на поверхности адсорбента-носителя, средняя поверхностная концентрация силовых центров может быть еще достаточно большой, чтобы обеспечить высокую селек- [c.15]

Химический потенциал разных элементов кристалла (см. разд. 9.1.2) неодинаков. У вершин и ребер он больше, чем у развитых граней. Вследствие этого и растворимость их различна. Поэтому мелкие кристаллы, у которых относительная доля массы, находящаяся [c.214]

Интенсивность растворения, как и всякого гетерогенного процесса, зависит от площади поверхности контакта фаз F. Например, чем мельче кристаллы, тем больше их удельная площадь поверхности и тем быстрее они растворяются. Мелкие кристаллы растворяются быстрее также и потому, что в них относительная доля массы, находящаяся у вершин пространственных углов, значительно больше, чем в крупных и, как это отмечалось выше, они имеют большую растворимость. Затраты же энергии на разрушение вершин и ребер кристалла, отнесенные к единице массы, меньше, чем на разрушение граней. С наименьшей скоростью растворяются наиболее развитые грани кристалла. Различной скоростью растворения отдельных эле-ме нтов кристалла, в том числе разных его граней, объясняется и из- [c.219]

Вследствие различной скорости роста разных граней при значительных пересыщениях образуются кристаллы с гранями, сильно различающимися по размерам. При медленной кристаллизации из растворов с небольшим пересыщением получаются изометрические кристаллы с равномерно развитыми гранями. При быстрой кристаллизации в условиях значительных пересыщений рост грани происходит неравномерно, зародыши, присоединяющиеся к кристаллической решетке одновременно на разных участках грани, продолжают расти и могут срастаться, оставляя пустоты, заполненные маточным [c.248]

Следует иметь в виду, что для развития грани кристалла не всегда необходимо предварительное создание двухмерного зародыша. В тех случаях, когда металл осаждается на чужеродном электроде или на электроде из того же металла, но с сильно за-пассивированной поверхностью, происходит образование трехмерных зародышей. [c.128]

В случае когда образуется значительное количество ядер—центров в единице объема раствора, получают мелкокристаллические осадки из микроскопических кристаллов со слабо развитыми гранями. В зтом случае образуются преимущественно кристаллы пластинчатой или игольчатой формы. [c.641]

В заключение следует заметить, что выращивание с малой плотностью и бездислокационных монокристаллов непременно сопровождалось выходом на поверхности отрыва плоской грани (111). Возникновение граней не вызывало нарушений бездефектной структуры, однако ее появление всегда было связано со значительной неоднородностью свойств в кристалле по радиусу. Опыты показали, что возникновение и развитие граней определяется формой фронта кристаллизации. Было замечено, что при выпуклом фронте кристаллизации всегда наблюдается выход плоскости (111). Причем при большой кривизне поверхности раздела фаз плоскость имела форму круга небольших размеров и раз.мещалась ближе к оси слитка. При фронте кристаллизации, близком к плоскому, плоскость занимала большую часть поперечного сечения слитка. При выращивании монокристаллов с вогнутым фронтом кристаллизации возникновение плоскости (111) или не наблюдалось вообще, или имело место вблизи поверхности слитка. [c.234]

Рис. 11.2-4. а —развитие грани (210) кристалла, показанное в двумерном виде б — индексы Миллера (кк1) для грани кристалла. [c.395]

С, N = 1,34 — — — Кристаллы с хорошо развитыми гранями — 95 [c.317]

Спайность в кристаллах средней категории параллельна наиболее развитым граням в призматических кристаллах она идет по призме, а в таблитчатых — по базопинакоиду (базису), поэтому спайные обломки имеют форму брусочков, игл или пластинок (листочков). Спайность по дипирамиде или ромбоэдру представляет собой исключение. Наиболее обычные формы призмы, базопинакоид, дипирамиды и ромбоэдры. [c.159]

Призматические кристаллы иногда приобретают форму обелиска (14) вследствие развития граней острых ромбоэдров, например г 4041 и /- 0441 . При регенерации слома призматического кристалла возникает многоглавое завершение (15) гексагональной призмы т 1010 . [c.168]

Диоптаз. ЬзС формы гексагональная призма а 1120 и ромбоэдры, из которых по развитию граней преобладает 5(0221 другие, например 1с 1341 , выражены плохо. Облик кристаллов призматический (/, 2). [c.170]

Стронцианит — облик кристаллов призматический вследствие равномерного развития граней 110 и 100 их огранение напоминает гексагональную призму. П.п.тр. с трудом сплавляется только по краям, причем вздувается наподобие цветной капусты, сильно светится и окрашивает пламя в красный цвет. Легко растворяется в кислотах если минерал растворить в НС1, выпарить растворитель, а остаток облить спиртом, то спирт сгорает карминово-красным пламенем (пламя Sr). Встречается в рудных жилах, часто замещая целестин. [c.474]

Изменение теплопроводности кристаллов также влияет на форму фронта кристаллизации. Большая величина оптического поглощения диспрозий-алюминиевого граната (ДАГ) по сравнению с ИАГ обусловливает больший температурный градиент в кристаллах ДАГ и, как следствие, меньшую степень развития гранных форм на фронте кристаллизации. [c.215]

Экспериментальными исследованиями установлена зависимость интенсивности развития гранных форм на фронте кристаллизации от соотношения радиусов кристалла и тигля (/ к// т). Кристаллы выращивались в направлении [100], [111] с постепенным расширением диаметра до / к// т = 0,4ч-0,5. Газовая среда в ростовой камере — азот, давление 1,5 10 Па. Получен-ные кристаллы разрезались на тонкие пластинки, перпендику-лярные направлению роста, ко- [c.216]

Проведены исследования зависимости степени развития граней на боковой поверхности кристаллов ИАГ от вертикальных температурных градиентов и ориентировки кристаллов. Использовались монокристаллические затравки, ориентированные по основным кристаллографическим направлениям с низкими индексами [100], [110], [111]. Кристаллы выращивались на установке Донец-3 из иридиевых тиглей / т = 2,0 см в среде азота (Р=1- 10 Па) и в условиях вакуума (Р= 1 10 Па). Изменение условий теплоотвода осуществлялось различными вариантами экранирования тигля. Частота вращения кристалла о) = 20—30 мнн , скорость вытягивания 1 = 3—5 мм/ч. В условиях максимальных температурных градиентов происходит наибольшее развитие граней на поверхности кристаллов (табл. 59, рнс, 87). На поверхности конуса расширения кристалла, выращенного на затравку, ориентированную по оси [111], в условиях максимальных температурных градиентов развивается 12 граней. При переходе к заданному диаметру кристалла число граней уменьшается до шести (см. рис. 87). [c.218]

В случае температурных флуктуаций в процессе выращивания кристаллов наблюдается локальное появление гранных форм на боковой поверхности кристаллов. Согласно данным ряда исследователей, легирование монокристаллов различными примесями ведет к изменению их габитуса. В результате исследований влияния некоторых примесей на степень развития гранных форм поверхности кристаллов установлено, что введение в состав шихты V, Сг, 218 [c.218]

Изучение оптической однородности кристаллов ИАГ с различной Степенью огранения поверхности показало, что плотность рассеивающих центров в кристаллах прямо пропорциональна развитию гранных форм. [c.219]

Форма кристаллов. Форма кристаллов определяется природой кристаллизуемого вещества и зависит также от наличия примесей в растворе. Например, хлористый калий из чистого водного раствора кристаллизуется в виде кубов, в присутствии мочевины — в виде кубоок-таэдров. Более правильной формы, с хорошо развитыми гранями получаются кристаллы при свободном их обтекании раствором (например, при кристаллизации во взвешенном слое). Слишком большая скорость движения суспензии приводит к сглаживанию ребер кристалла и их истиранию за счет энергичных соударений и трения о стенки аппарата и насоса. [c.636]

И Т. п. При нанесении на поверхность ГТС фталоцианинов из-за их малой растворимости модифицированный ими адсорбент содержит, по-видимому, помимо слоя адсорбированных плоских молекул фталоцианинов, и их объемные кристаллы. Так как развитые грани этих игольчатых кристаллов являются, по существу, углеводородными, кристаллы, по сравнению с плоским монослоем молекул фталоцианина (рис. 4.2), адсорбируют слабо. Поэтому адсорбция происходит, в основном, на плотном монослое адсорбированных на ГТС молекул фталоцианина. Однако из рис. 4.3 видно, что благодаря большим вандерваальсовым (а не коротким валентным, как в случае базисной грани ГТС) расстояниям между плоскоориентированными на ГТС молекулами фталоцианина средняя поверхностная концентрация силовых центров на модифицированной так поверхности ГТС значительно меньше, чем на самой ГТС. Это вызывает ослабление удерживания на модифицированной так ГТС. [c.78]

Блеклые руды — преимущественно тетраэдрит и теннантит. 3L24L36P формы куб а 100 , тетраэдры — положительный о 111 и отрицательный о 111 , ромбододекаэдр d 110 , тригонтритетраэдр ft 211 . Индивиды тетраэдрита большей частью имеют тетраэдрический облик 1—3) габитусной формой в них является положительный тетраэдр о 111 на гранях его иногда наблюдается тонкая комбинационная штриховка, параллельная ребру [011] грани отрицательного тетраэдра о 111 — гладкие. Кристаллам теннантита нередко свойствен изометрический облик 4) вследствие преобладающего развития граней ромбододекаэдра d 110 . Эта особенность индивидов теннантита может служить диагностическим признаком. [c.154]

Для лопарита — богатого ниобием и церием перовскита — также типичны кристаллы кубического облика, обусловленного исключительным развитием граней псевдокуба 100 с плохо развитыми гранями псевдооктаэдра 111 . В монокристаллах лопарит наблюдается очень редко, преобладают двойники прорастания (8), аналогичные двойникам флюорита. [c.158]

Облик кристаллов высокотемпературного кварца (существуют при 7 >573 °С при комнатной температуре — псевдоморфозы низкотемпературного кварца по высокотемпературному) довольно однообразен выделяются два типа кристаллов изометрические (дипирамидальные) и призматические. Кристаллы изометрического облика (8) встречаются в виде порфировых выделений в вулканогенных породах. В этом случае гиг являются гранями гексагональной дипирамиды 1011 . Если кристаллы такого облика представляют собой первичную низкотемпературную модификацию кварца, то /- 10Т1 и 2 01П — равномерно развитые грани основных (положительного и отрицательного) ромбоэдров. [c.167]

Кристаллы низкотемпературного кварца чаще всего имеют призматический облик, который обусловлен наибольшим развитием граней гексагональной призмы /и 1010 , очень часто покрытых поперечной штриховкой (9). При наличии энантиоморфных форм легко устанавливаются левый (10) и правый 11) кристаллы кварца. На левых кристаллах наблюдаются грани левого тригонального трапецоэдра с 6151 и левой тригональной дипирамиды 2111 , а на правых — грани правого тригонального трапецоэдра 1с 5161 и правой тригональной дипирамиды х 1121 . Для определения правого и левого кварца необходимо в первую очередь отличить грани положительного ромбоэдра от граней отрицательного. Для этого следует пользоваться правилом грани /- 1011 лучше развиты по сравнению с 2 0111 , по крайней мере суммарная площадь граней 1011 почти всегда больше площади граней 0111 . Кроме того, на гранях х часто наблюдается штриховка, которая идет параллельно ребру с 1011 . [c.167]

При отсутствии энантиоморфных форм на кристаллах (/2) отличие индивидов правого кварца от левого осложняется. При равномерном развитии граней г 1011 и 2 0111 кристаллы приобретают псевдогексагональнуй симметрию (13) комбинация граней положительного и отрицательного ромбоэдров кажется пирамидой или дипирамидой. Это впечатление особенно усиливается тем, что преобладают одноконечные кристаллы кварца с головкой, вторым же концом кристалл прирастал к породе. [c.168]

Фенакит. ЬзС формы гексагомльные призмы т 1010 и а 1120 , ромбоэдры г 1011 , е 0112 , с 1232 , 5 21 31 и др. Облик кристаллов определяется соотношением размеров между гранями гексагональных призм и ромбоэдров призматический облик обусловлен большим развитием призм (<3), а ромбоэдрический— преобладанием граней основного ромбоэдра /- 1011 или близкого по индексам к нему, например 1232 (4). При развитии граней тупых ромбоэдров кристалл фенакита приобретает чечевицеобразную форму. [c.170]

Синтез алмазов из АЬсодержащей (массовая доля 0,5—4 %) шихты обеспечивает образование кристаллов в зависимости от температуры процесса от кубического до октаэдрического габитуса. При концентрации Л1 в шихте до 1 % формируются алмазы удлиненные и уплощенные с заметным развитием граней ромбододекаэдра (рис. 142, а). Увеличение же количества примеси Л1 в шихте приводит к появлению дефектных, трещиноватых кристаллов скелетной формы. Кубооктаэдрические и октаэдрические кристаллы, легированные А1, прозрачны, с легким желто-зеленым оттенком, что объясняется пониженным содержанием азота в таких кристаллах. [c.395]

Результаты представлены на рис. 157, а в виде зависимости содержания ларамагнитного азота в кристаллах от расстояния, на котором находится кристалл в реакционной зоне до центра спека. Нижняя часть рис. 157, а схематически изображает спек в разрезе. Заштрихованные участки соответствуют зонам отбора кристаллов. Из рисунка видно, что по мере удаления от центра камеры содержание парамагнитного азота в кристаллах возрастает. Было замечено, что кристаллы, отобранные на периферийном участке спека, характеризуются наибольшим развитием граней куба. Им же соответствуют максимальные значения апз5- [c.423]

Из дифрактограммы ориентированного препарата следует, что наиболее развитые грани волокнистых кристаллов должны иметь индексы (110) и (100). Естественно, что на подложке объекта кристаллы будут лежать именно этими гранями. Однако направлению первичного пучка, перпендикулярного плоскостям (ПО) и (100), точно не соответствуют рациональные сечения обратной решетки, проходящие через начало координат. Пусть, например, кристаллы лежат на подложке плоскостью (100). В этих условиях первичный пучок будет совпадать с осью х обратной решетки. Для параметров обратной решетки анализируемого амфибола справедливо, rt o 2,615 с osp = a или 13 с с = 5а, следовательно, вектор X перпендикулярен к вектору [5013]. Ясно, что плоскость сечения обратной решетки, включающая векторы [010] и [5013], будет отображаться на электронограмме в основном только рефлексами OfeO. Таким образом, для получения рациональных плоскостей обратной решетки моноклинных амфиболов необходимо в электронном микроскопе иметь гониометрическое устройство, позволяющее изменять ориентировку кристаллов относительно первичного пучка. [c.123]

Отличительная морфологическая особенность кристаллов исследуемой фазы состоит в том, что они значительно тоньше и длиннее волокон фторрихтеритов, синтезированных в идентичных термодинамических условиях. На рис. 44, а представлен общий вид микромонокристаллов фторкупфферита. С помощью метода платиноугольных реплик удалось отчетливо наблюдать грани этих лентовидных кристаллов (рис. 44,6). Индексы граней легко установить, если в соответствии с данными рентгеновского анализа принять, что наиболее развиты грани (ПО) и (100). С помощью метода микродифракции удалось установить, что амфиболовые кристаллы волокнистой щетки , синтезированной при 900—950 °С, имеют моноклинную ячейку с пространственной группой Р 2]/т. [c.125]

Во ВНИИСИМСе проведены исследования зависимости характера развития гранных форм на фронте кристаллизации от степени термоизоляции тигля сверху и снизу, т. е. от изменения вертикального температурного градиента. Кристаллы выращивались вдоль направления [100]. По результатам исследований установлено, что вертикальный температурный градиент, пропорциональный теплоотводу Q, уменьшается от Qi к Qv (рис. 84, табл. 58). Однозначной зависимости размера граней на фронте кристаллизации от температурного градиента нет. Однако размер граней 110 при уменьшении АТ несколько увеличивается (хотя и не линейно), что соответствует существующим представлениям. Одновременно с этим происходит уменьшение выпуклости фронта кристаллизации (рис. 85). С увеличением частоты вращения кристалла размер грани уменьшается [42]. [c.215]

Кроме граней на фронте кристаллизации на боковой поверхности кристаллов также наблюдается развитие гранных форм. Так, например, по данным Кокейна и других исследователей, прн выращивании кристаллов ИАГ в направлении [111] кристаллы ограняются с боков шестью гранями типа 211 , параллельными оси роста и придающими кристаллу гексагональную форму. [c.218]

Со, Оа, 5с в количестве 0,01—3% несущественно влияет на огра-ненне кристаллов ИАГ ионы в количестве до 1 % уменьщают степень огранення кристаллов примеси Ве до 0,05 % н Mg до 0,5% способствуют развитию граней 110 . Более высокие концентрации указанных компонентов ведут к ухудшению оптической однородности кристаллов. [c.219]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология