Механизм процесса осаждения

Существуют два принципиально различных подхода к рассмотрению механизма процесса осаждения с позиций коллоидно-хи-мических представлений и с позиций общих закономерностей фазовых переходов. Термин коагуляция для обозначения процесса осаждения взят из коллоидной химии. Однако он настолько широко применяется в технической литературе, что представляется целесообразным и дальнейшее его использование, правда, в несколько новом аспекте. [c.197]

Механизм процесса осаждения [c.140]

АН СССР, указали на существование несколько иного механизма процесса осаждения частиц в противовес чисто кулоновскому. Обнаружено, что основным фактором, обеспечивающим транспортировку дисперсных частиц к осадительным электродам, является электрический ветер. [c.208]

МЕХАНИЗМ ПРОЦЕССА ОСАЖДЕНИЯ [c.208]

Бочковым [15] приведен вывод общего уравнения для определения к. п. д. циклонов, основанный на анализе механизма процесса осаждения. Для частиц данной фракции при Re < 2 степень очистки газа [c.161]

Вопрос о механизме электроосаждения металлов не является новым. Однако до недавнего времени изучение электроосаждения металлов сводилось в основном лишь к попыткам эмпирического подбора условий образования определенных осадков. Лишь за последние несколько лет в исследовании механизма процесса осаждения достигнут значительный прогресс. Три основных фактора стимулировали этот прогресс. Во-первых, в последнее десятилетие получены данные по механизму роста кристаллов из газовой фазы. Второй фактор связан с успехами электрохимической кинетики. Третий фактор обязан своим появлением результатам недавних критических экспериментов, из которых следуют некоторые выводы о существенных особенностях элементарных атомных стадий процесса. [c.259]

Для успешного применения в технике процесса хромирования необходимо всестороннее изучение механизма процесса осаждения хрома, что поможет устранить имеющиеся недостатки. [c.8]

Согласно одной из них, никель восстанавливается за счет образования гальванического элемента, в котором анодом является водород, а катодом — покрываемый металл. По другой гипотезе ион никеля получает электрон от металла, катализирующего эту реакцию, в то время как передача электронов от восстановителя к металлу происходит посредством радикалов ОН. Согласно третьей гипотезе никель восстанавливается электронами, освобождающимися в ходе реакции взаимодействия гипофосфита с водой. Ряд исследователей связывают механизм процесса осаждения покрытий с ограниченной определенным значением реакционной способностью атомов водорода. Часть выделяющегося водорода, всегда сопровождающая процесс химического никелирования, рассматривается как результат побочных реакций. [c.6]

Рассмотрим механизм процесса осаждения, проводимого периодически в лабораторном масштабе, например в стеклянных цилиндрах [c.201]

Не вполне определена величина коэффициента захвата Т] . Выше, рассматривая закономерности кинематики (кинетики) частиц, мы выясняли физическую сущность процесса инерционного осаждения частиц на препятствии и получили формулы для численной оценки его интенсивности. Однако помимо инерционного механизма процессу осаждения частицы аэрозоля на капле способствуют и другие явления, некоторые из которых мы сейчас и рассмотрим. [c.130]

В этих фильтрах используется принцип фильтрации на волокнах жидких частиц. Уловленная жидкость непрерывно выводится из фильтра. Механизмы процесса осаждения жидких частиц на волокнах не отличаются от улавливания твердых частиц — пыли. Отличительная особенность мокрых [c.484]

Существует тенденция отдавать предпочтение модифицированному методу Клессона по сравнению с методом Мори — Темблина — Шолтана, поскольку лежащие в основе первого метода предположения, по-видимому, в большей степени соответствуют истинному механизму процесса осаждения. И все же набор кривых растворимости, образующих сетку Клессона, представляет собой только первое приближение. Это положение иллюстрируется рис. 7-14, где показано распределение по молекулярным весам, довольно резко снижающееся в сторону более высоких молекулярных весов, и одна кривая растворимости. В соответствии с предположением Клессона относительно более низкомолекулярный участок кривой распределения помолекулярным весам (горизонтально заштрихован) может соответствовать макромолекулам, выделяющимся в осадок первыми, тогда как более высокомолекулярная часть образца, описываемая областью кривой справа от точки пересечения 8 , [c.198]

Образование плотных осадков кристаллической стр ч туры обусловлено в известной степени механизмом процесса осаждения. Осаждение ироводят из нагретого слабокислого раствора, содержащего аммонийную соль, прибавляя при хорошем перемешивании медленно, по каплям, раствор коричнокислого а.ммо-ния. При этом в растворе ностеиенно нарастает концентрация ионов коричной кислоты и вследствие буферного действия коричнокислого аммония идет постепенное повышение величины pH раствора. К моменту, когда величина pH достигает требуемой [c.9]

Широко применяемый принцип фильтрования газов через пористые перегородки, пылеулавливающее действие которых иногда ошибочно объясняют ситовым эффектом , также основан главным образом на инерционном, электрическом, диффузионном механизмах осаждения частиц. Преобладание тогоадли другого механизма процесса осаждения зависит от размеров пылевых частиц, скорости потока и других факторов. Ситовой эффект играет здесь очень незначительную роль. [c.13]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология