Приборы для эллипсометрии

В числе других методов изучения характера разрушения адгезионных соединений можно отметить трибометрический, основанный на измерении коэффициента трения по исходной поверхности субстрата и по поверхности после отделения от нее адгезива. Таким способом в некоторых случаях удавалось определить чистоту поверхности субстрата, отделенного от адгезива [150]. Контролировать чистоту поверхности субстрата после отслоения от него адгезива можно, сравнивая углы смачивания [150, 151]. Определенный интерес представляет поляризационно-оптический, или эллипсометрический метод, основанный на изучении характера поляризации света, отраженного от поверхности субстрата [127, 152]. При наличии на поверхности субстрата следов адгезива в виде тончайшей пленки направленный на поверхность плоскополяризованный луч становится эллиптически поляризованным. Удалось обнаружить, что пленки эфиров целлюлозы не оставляют на металле никаких следов, а гуттаперча оставляет на нем тончайшую пленку. Эллипсометрические исследования получили широкое распространение [153] в связи с развитием технологии нанесения тонких полупроводниковых пленок. Созданы специальные приборы — эллипсометры — значительно расширяющие возможности этого метода [159]. Несомненна перспективность применения эллипсометрии для изучения механизма разрушения адгезионных соединений [158]. [c.233]

Эллипсометрические измерения проводятся на приборах, называемых эллипсометрами. Один из вариантов оптической схемы эллипсометра приведен на рис. 9.9. [c.183]

Приборы и материалы эллипсометр кремний полупроводниковый (пластина полированная), кварц оптический (пластина полированная), никель или тантал, напыленный на ситалловую подложку. [c.192]

Включают эллипсометр и устанавливают рабочий режим прибора. [c.192]

Включение эллипсометра, выведение прибора на рабочий режим и установку образца осуществляют аналогично п. п. 1—2 работы 9.1. [c.194]

Приборы, материалы и реактивы эллипсометр с иммерсионной кюветой кремний полупроводниковый (пластины полированные) четыреххлористый углерод, толуол, этиловый спирт, изопропиловый спирт. [c.195]

Включают эллипсометр и выводят прибор на рабочий режим. [c.195]

В современных приборах в качестве падающего света используется монохроматическое лазерное излучение, весьма распространенным является Не — Ке лазер (А = 632,8 нм). В методе спектральной эллипсометрии диапазон используемых длин волн составляет 200-1000 нм, что позволяет исследовать оптические свойства пленок. Разрабатываются методы получения эллипсометрических образов поверхности для сканирования и исследования топографии поверхностных структур (рис. 6.10). В табл. 6.5 собраны характеристики различных эллипсометрических методик, используемых для исследования привитых и адсорбированных органических пленок на неорганических подложках [142]. [c.322]

Приборы, материалы и реактивы эллипсометр, установка для синтеза по методу МН, аппарат Сокслета кремний полупроводниковый (пластины полированные) четыреххлористый титан, деионизоваргная вода, 20%-ная HF, изопропиловый спирт. [c.198]

Разработан метод двумерной ИК-спектроскопии [12], в котором спектр идентифицируется в результате корреляционного анализа динамических сигналов. Метод позволяет судить о взаимодействии между функциональными группами, об образовании водородных связей и о других, типах межмолекулярных взаимодействий. Примером служит двухмерный гетероспектр, получаемый отложением на оси ординат волнового числа ИК-лучей, а на оси абсцисс - угла рассеивания рентгеновских лучей. Предложены приборы для реализации метода ИК-спектрометрической эллипсометрии [13], позволяющего проводить измерения толщины тонких пленок и оценивать характеристики материалов. [c.221]

Метод эллипсометрии. До недавнего времени считалось, что метод эллппсо.метрин исключительно сложен, поэто.му исследования при переменной длине волны проводились другими методами. Однако в связи с широким применением эллипсометрии, особенно в электронной промышленности, были разработаны новые более совершенные приборы и методы в области обработки полученной информации. [c.155]

Для технологических целей удобен также эллипсометр L117 (рис. ХП.18) фирмы Гертнер (США). Погрешность измерения углов поляризатора и анализатора составляет 0,1°. Источник света — гелий-неоновый лазер. Прибор компактен и прост в обращении, снабжен номограммами для быстрого нахождения показателя преломления и толщины окисных пленок на кремниевой подложке. [c.236]

Основные погрешности измерения в эллипсометрах связаны с неточностью изготовления и юстировки оптических элементов. С одной стороны, наиболее несовершенным элементом является компенсатор из-за технологических трудностей его изготовления. С другой стороны, точность определения положения гашения определяется зависимостью интенсивности света на выходе эллипсометра от угла поворота соответствующих элементов. Если это кривая с узким и глубоким минимумом, то основные погрешности в измерении Ahi] складываются из погрешности юстировки прибора. Если кривая имеет пологий минимум, то неточности 6А и 6г з оказывают меньшее влияние вблизи угла Брюстера или главного угла IM для поглощающих сред, ошибки 6А и бгр особенно сильно сказываются в случае тонких ([ <100А) пленок, а влияние оши- [c.236]

Для определения толщины полимерных покрытий мене 10 мкм перечисленные методы и приведенные в табл. 13 при боры не позволяют проводить измерения с достаточной точ ностью. В этом случае применяют приборы, основанные на из меренни оптических свойств прозрачных полимерных покрытий Например, горизонтальный оптиметр ИКГ предназначен дл контактных измерений линейных размеров методом сравнения Для определения толщины прозрачных пленок методом свето ного свечения, основанном на законах преломления и отраже жения света, используют двойной микроскоп МИС-11. Точ ность измерения этих приборов 0,5 мкм. Для измерения тол щины очень тонких полимерных покрытий можно применят другие оптические приборы рефрактометры, интерферометрь эллипсометры и т. д. [160, т. 3, с. 7 160, т. 4, с. 30]. [c.114]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология