Эллипсометрия

У р ы в с к и й Ю. и. Эллипсометрия (основы метода), Воронеж, изд. Воронежского ун-та, 1971. 132 с. с ил. [c.434]

Следует лишь упомянуть, что в последнее время благодаря успехам отражательной спектроскопии (эллипсометрии) стало возможным спектроскопическое исследование нерастворимых (или изменяющихся при растворении) веществ. [c.68]

Таким образом, для понимания механизма пассивации необходимо изучение закономерностей образования, роста и свойств окисных слоев. Для этого используют разнообразные электрохимические и оптические методы, например, отражение света, эллипсометрию, дифракцию электронов и др. Ю. Эванс разработал иодидный метод отделения пассивирующей пленки от металла, который основан на том, что раствор + К1 проникает через поры пленки к поверхности металла и растворяет его. Отделенный от металла тонкий пассивирующий слой может быть далее подвергнут электронно-микроскопическому исследованию. [c.382]

Прежде всего следует отметить метод эллипсометрии. Принципиальная сущность этого метода состоит в том, что гладкий и блестящий электрод освещается эллиптически поляризованным светом при таких экспериментально варьируемых параметрах, чтобы отраженный свет был плоскополяризованным . В свою очередь два параметра эллиптически поляризованного света — разность фаз (Д) и отнощение амплитуд (tgг )) х- и у-компо-нент вектора электрического поля — путем весьма сложных уравнений, вытекающих из законов оптики, можно связать с показателем преломления адсорбционного слоя п и его средней толщиной й. Расчет величин п и ( на основе экспериментально установленной зависимости ф от Д проводят при помощи ЭВМ по специально разработанным программам. [c.33]

Эллипсометрическое изучение (см. главу 9) пленок на поверхности протравленного германия подтвердило представление об образовании пленок особой структуры, отличной от структуры двуокиси германия. Так, по данным эллипсометрии, оксиды, образующиеся в травителях, содержащих перекись водорода, имеют показатель преломления не 1,6, как у аморфной ОеОз, а 1,7 после контакта с воздухом, стимулирующим структурные превращения в оксиде, показатель преломления изменяется, приближаясь к 1,6. [c.144]

Важная особенность эллипсометрии — это бесконтактный, неразрушающий характер исследования. Эллипсометрические [c.175]

С течением временн состояние волны в точке О меняется, соответственно меняются величина и направление векторов Е и Н. Если направление вектора Е меняется хаотически, говорят о естественном неполяризованном излучении. Монохроматическое излучение, которое используется в эллипсометрии, всегда поляризовано эллиптически, это означает, что вектор Е номере прохождения волны через точку О описывает в плоскости Q эллипс. Линейная и круговая поляризации рассматриваются как частные случаи эллиптической. [c.176]

КОЭФФИЦИЕНТ ФРЕНЕЛЯ. ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЕ УГЛЫ. ОСНОВНОЕ УРАВНЕНИЕ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ. [c.178]

Таким образом, основное уравнение эллипсометрии (9.5) в рамках однослойной модели приобретает следующий вид [c.182]

ЭЛЕМЕНТЫ ОПТИЧЕСКОЙ СХЕМЫ ЭЛЛИПСОМЕТРА [c.183]

Эллипсометрические измерения проводятся на приборах, называемых эллипсометрами. Один из вариантов оптической схемы эллипсометра приведен на рис. 9.9. [c.183]

Рис. 9.9. Оптическая схема эллипсометра.

В качестве источника монохроматического, линейно поляризованного излучения в эллипсометрах обычно используют серийные квантовые генераторы (например, гелий-неоновый лазер ЛГ-75, 1=632,8 нм). Механический модулятор М, выполненный в виде корончатой вертушки или диска с прорезями, превращает непрерывный световой поток в переменный, что облегчает усиление и последующую регистрацию полезного сигнала, снимаемого с выхода фотоэлектронного умножителя (ФЭУ). [c.183]

Основными элементами оптической схемы эллипсометра являются поляризатор П, компенсатор К, анализатор А. [c.183]

О называют фазовым параметром компенсатора. В эллипсометрии важное значение имеют два случая, когда 0=(1/2)я (рис. 9.11,6) и о =(3/2)я (рис. 9.11, в). Можно считать, что в первом случае й=(—3/2 л, а во втором 0=(—1/2)я. Величина фазового параметра зависит от длины волны используемого излучения и толщины пластины. [c.185]

Рис. 9.12. Эллипс поляризации до и после падения луча света на образец при скомпенсированной схеме эллипсометра.

МЕТОДЫ РЕШЕНИЯ ОБРАТНОЙ ЗАДАЧИ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ [c.187]

Приборы и материалы эллипсометр кремний полупроводниковый (пластина полированная), кварц оптический (пластина полированная), никель или тантал, напыленный на ситалловую подложку. [c.192]

Включают эллипсометр и устанавливают рабочий режим прибора. [c.192]

Цель работы — измерение эллипсометрических параметров поверхности образцов монокристаллического кремния и последующее определение по результатам измерений толщины имеющегося на поверхности образцов слоя двуокиси кремния с использованием точных и приближенных методов решения обратной задачи эллипсометрии. [c.194]

Включение эллипсометра, выведение прибора на рабочий режим и установку образца осуществляют аналогично п. п. 1—2 работы 9.1. [c.194]

Каково назначение основных оптических элементов схемы эллипсометра [c.195]

Дайте сравнительную характеристику различных методов решения обратной задачи эллипсометрии. [c.195]

Работа 9.3. Исследование сверхтонких слоев на поверхности твердых веществ методом иммерсионной эллипсометрии [c.195]

Цель работы — определение методом иммерсионной эллипсометрии толщины и показателя преломления слоя естественного оксида на поверхности образцов монокристаллического кремния. [c.195]

Приборы, материалы и реактивы эллипсометр с иммерсионной кюветой кремний полупроводниковый (пластины полированные) четыреххлористый углерод, толуол, этиловый спирт, изопропиловый спирт. [c.195]

Включают эллипсометр и выводят прибор на рабочий режим. [c.195]

Включают эллипсометр и установку для молекулярного наслаивания оксида титана. [c.198]

Кольцов с. И., Громов В. К-, Алесковский В. Б. — В кн. Эллипсометрия — метод исследования поверхности. Новосибирск, 1983, с. 70—73. [c.219]

При исследовании некоторых органических жидкостей (дибу-тилфталат, бензотрон и т. п.) метод сдувания позволил установить различие в структуре граничных слоев и объемной жидкости. Переход от объемной жидкости к граничному слою иногда происходит скачкообразно, подобно фазовому переходу первого рода, нО при определенной толщине. В этом видна уникальность этого абсолютного метода исследования свойств граничных слоев, прецизионность которого значительно повысилась благодаря применению в эллипсометрии газового лазера [52]. [c.73]

Прямым подтверждением структурной природы устойчивости а-пленок служат наблюдения за температурной зависимостью их толщины [191. На рис. 5 показана зависимость толщины /iq (при pIps = 1) а-пленок воды на поверхности кварца от температуры, полученная методом эллипсометрии. Как уже отмечалось, П - [c.292]

Применение эллипсометрии для пленок, получаемых путем утончения слоя жидкости, поздолило продвинуться в область еще меньших значений /г по сравнению с экспериментами Кусакова [27] и Блейка [29]. На рис. 7 показаны изотермы П (к), полученные методом отсасывания жидкости с твердой подложки через пористый фильтр [30—32 ]. Кривая 1 относится к смачивающим пленкам тетрадекана на полированной поверхности стекла, кривая 2 — на поверхности стали. Черные и белые точки отвечают экспериментам, проведенным при приближении к равновесию пленки путем ее утолщения или утончения соответственно. Как видно из графиков, эти изотермы действительно являются равновесными, поскольку черные и белые точки лежат на одной кривой. [c.295]

Закон незапаздывающих сил хорошо выполняется также и для полированной поверхности стали (Д 150 А), но лишь в случае пленок такой толщины, когда Л < Д [35]. Эти измерения были вьшолнены для полимолекулярных адсорбционных пленок н-гек-сана методом эллипсометрии. Как видно из рис. 8 (2), в интервале [c.296]

Очевидно, что адсорбция органического вещества на поверхности электрода изменяет обе величины и и с и, следовательно, может быть зафиксирована методом эллипсометрии. Если степень заполнения поверхности адсорбатом 0<1, то величины п и й характеризуют соответственно сз едний показатель преломления и среднюю толщину слоя, состоящего из молекул воды и молекул органического вещества. Современные 3/становки позволяют зарегистрировать изменение й, равное 0,02 нм, что соответствует А9 0,05. Изменение величин п и с1 происходит не только в результате адсорбции или десорбции, но и при реориентации адсорбированных молекул органического вещества. Для некоторых систем выводы об изменении ориентации адсорбированных органических молекул при образовании конденсированного слоя, сделанные первоначально на основе измерений дифференциальной емкости, были затем подтверждены результатами эллипсометрических измерений (Р. Парсонс). [c.33]

Компенсатор Сенармона, используемый в эллипсометрах, представляет собой четвертьволновую, плоскопараллельную пластину заданной толщины, вырезанную из двоякопреломляю-щего материала (например, слюды или монокристалла кварца). [c.184]

Для определения эллкп-сометрических параметров поверхности исследуемого образца оптическую схему эллипсометра необходимо [c.186]

Решение обратной задачи эллипсометрии (вычисление неизвестных параметров исследуемой системы по экспериментально найденным эллипсометрическим углам ф. А) является сложной проблемой, и в аналитическом виде оно возможно лшиь для модели чистой поверхности, когда уравнение (9.14) переходит в (9.6), из которого следует, что [c.187]

Приборы, материалы и реактивы эллипсометр, установка для синтеза по методу МН, аппарат Сокслета кремний полупроводниковый (пластины полированные) четыреххлористый титан, деионизоваргная вода, 20%-ная HF, изопропиловый спирт. [c.198]

Курс коллоидной химии 1984 (1984) -- [ c.92 , c.105 , c.315 ]

Курс коллоидной химии 1995 (1995) -- [ c.101 , c.115 , c.347 ]

Химический энциклопедический словарь (1983) -- [ c.708 ]

Курс коллоидной химии (1984) -- [ c.92 , c.105 , c.315 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.708 ]

Физическая химия поверхностей (1979) -- [ c.225 ]

Хроматография полимеров (1978) -- [ c.67 ]

Новые методы имуноанализа (1991) -- [ c.239 ]

Химия привитых поверхностных соединений (2003) -- [ c.184 , c.189 , c.191 , c.192 , c.193 , c.194 , c.204 , c.219 , c.320 , c.321 , c.498 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология