Точечный дефект в теории упругости

Заметим в этой связи, что в континуальной упругой модели точечных дефектов Зинера [38, 39] основным предположением теории также является отождествление изотермо-изобарической работы деформации тела, приводящей к образованию дефектов, с термодинамическим потенциалом дефекта (поскольку эта работа составляет лишь часть общей работы деформации, необходимо исключить обратимую работу макроскопически упругой деформации тела). [c.47]

В тех случаях, когда источниками внутренних напряжений служат не включения новой фазы, а точечные дефекты (например, примесные атомы), мы имеем дело, по существу, с той же ситуацией, что и в гетерофазной системе. Деформационное взаимодействие примесных атомов, вызванное искажениями кристаллической решетки матрицы, также должно приводить к образованию определенных конфигураций примесных атомов, которые обеспечивают минимум упругой энергии. Единственное принципиальное различие, которое существует между системой включений новой фазы в матрице и системой примесных атомов в кристаллической решетке матрицы, заключается в том, что в последнем случае масштабы точечных дефектов и расстояния между ними оказываются соизмеримыми с межатомными расстояниями. Это означает, что потенциалы взаимодействия примесных атомов должны вычисляться с помощью теории упругости, учитывающей дискретное строение кристаллической решетки. [c.322]

Точечный дефект в теории упругости [c.242]

В изложенной выше теории гармонических колебаний кристалла точечный дефект играл роль локальной неоднородности. Но для большинства проблем, связанных с макроскопическими механическими свойствами твердых тел, решающим оказывается учет вызванных точечным дефектом статических искажений кристаллической решетки вдали от него. Поле смещений атомов вокруг дефекта может быть описано некоторым стандартным образом. Важно, что в расчете таких смещений точечный дефект играет роль источника упругого поля. Мы исходим из предположения, что при макроскопическом описании точечного дефекта возможно независимое его рассмотрение как локальной неоднородности и как источника упругого поля. [c.242]

Несколько иначе описывается деформация вокруг точечного дефекта дипольного типа. Подобную деформацию порождает система сил, макроскопическим эквивалентом которой являются приложенные в точке нахождения дефекта три пары сил с равным нулю моментом в каждой паре, но с разными величинами сил. В теории упругости такую систему можно описать плотностью сил [c.244]

Найдем создаваемое точечным дефектом упругое поле и убедимся, что оно действительно простирается на макроскопические расстояния (иначе подобное рассмотрение не имело бы смысла). Обозначим через Сг (г) статический тензор Грина теории упругости, т. е. исчезающее на бесконечности решение уравнения [c.245]

Мы убедились, что в теории упругости точечный дефект может рассматриваться как источник внутренних напряжений если дефект расположен в точке г = Го, то соответствующая плотность объемных сил равна [c.295]

Помимо этого, наличие дефекта обычно приводит к изменению массы одной или нескольких элементарных ячеек (мы учитывали это при анализе колебаний кристалла) и к локальному изменению силовых связей между соседними атомами в кристалле. Последнее обстоятельство существенно как в динамике, так и в статике кристаллической решетки, поэтому мы вынуждены обсудить возможность его учета в макроскопической теории. Силовые связи (элементы силовой матрицы кристалла) определяют в конечном итоге модули упругости соответствующей анизотропной среды. Поэтому при макроскопическом описании точечного дефекта изменение силовых связей в малой его окрестности можно смоделировать локальным изменением упругих модулей кристалла. Будем считать, что динамическое поведение кристаллической решетки с точечным дефектом (например, при длинноволновых собственных колебаниях) или реакция кристалла на внешние воздействия описывается с помощью упругих модулей [c.296]

Изотопическая разупорядоченность решётки. Изотопический беспорядок в кристаллической решётке существенно уменьшает фононную теплопроводность диэлектриков и полупроводников, если они достаточно чисты химически и совершенны структурно. Этот эффект был предсказан И.Я. По-меранчуком [145] в 1942 г. Изотопы, хаотично распределённые в решётке кристалла, в большинстве случаев представляют собой точечные дефекты, т.е. дефекты, размер которых много меньше длины волны тепловых фононов, доминирующих в теплопереносе. Эти дефекты вызывают упругое рассеяние фононов рэлеевского типа. На основе теории возмущений И. Я. Померанчук рассчитал рассеяние фононов, вызываемое различием масс изотопов, и нашёл, что его скорость пропорциональна квадрату разности масс. [c.80]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология