Локальное программирование температуры

Б. ЛОКАЛЬНОЕ ПРОГРАММИРОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ [c.197]

Известно, что Н зависит от температуры, поэтому можно ожидать, что она будет равна некоторому среднему изотермических значений в температурных пределах программирования. Чтобы определить эту связь более точно [2, 5], следует рассмотреть бесконечно малый вклад в размывание полосы в пределах бесконечно малого отрезка колонки. Если рассматривать процесс размывания как непрерывный ряд случайных отклонений от центра полосы и, следовательно, считать а аддитивным, то можно записать этот бесконечно малый вклад как к (а ) и по аналогии с уравнением (5-3) дать уравнение локальной высоты тарелки [c.137]

От недостатков программирования температуры препаративных колонок большого диаметра (более 10 мм) можно избавиться (а иногда сделать их даже очень полезными), если имеется возможность программировать температуру только начального участка колонки, например на длине 30—60 см, или установить на этом участке постоянный градиент температуры в направлении движения газового потока (рис. 6.10). Этот метод имеет большое значение во всех задачах обогащения, й особенно в препаративной ГЖХ нестабильных веществ, и подробно обсуждается в данной главе (см. также работу [17]). Он позволяет осуществлять эффективное обогащение,и разделение веществ, чувствительных к нагреванию, а также разделение родственных веществ. Короткие секции препаративных колонок длиной не более 60 см нетрудно изготовить так, чтобы с их помощью можно было полностью использовать преимущества программирования температуры и постоянных градиентов температуры и в значительной степени избавиться от их недостатков. Локальное программирование температуры можно осуществлять не только на начальном участке колонки. Во многих случаях трудных разделений большой эффект дает установление градиента температуры в конце колонки. В этом случае увеличивается степень разделения, а также чистота и концентрация разделенных компонентов, собранных в охлаждаемых ловушках. [c.197]

Отсюда следует, что программирование давления на всей длине колонки имеет смысл лишь в исключительных случаях. Однако всегда возможно эффективно программировать давление на коротких участках колонки. Особые преимущества имеет способ уменьшения продолжительности разделения с использованием переключения колонок. Этот способ еще не нашел широкого применения в препаративной ГХ, хотя в нем сочетаются все преимущества программирования давления и температуры. Хорошие результаты дает устройство для переключения аналитических колонок, сконструированное Динсом [1, 2]. В.этом устройстве нет механических движущихся частей и все переключения осуществляются пневматически с помощью Т-образных элементов. Наиболее эффективна комбинация локального пр ограммирования температуры и/или программирования давления с переключением колонок, отбором промежуточных фракций и обратной продувкой колонок (см. разд. I). Некоторые рекомендации, касающиеся конструкции соответствующего устройства, показаны на рис. 6.10. [c.217]

Использование этих принципов позволяет решать практически все основные технологические проблемы. Так, локализация участков эиитаксиального роста на иоверхности подложки ироиз-воднтся соответствующей маскировкой участков поверхности источника. Общей и локальной скоростью роста можно управлять, изменяя эффективную площадь поверхности источника. Толщина эпитаксиального слоя определяется продолжительностью пребывания источника вблизи поверхности подложки. Химический состав и концентрационный профиль эпитаксиального слоя задаются компоновкой источника и программированным последовательным подведением к подложке ряда сменных источников. Малая ширина зазора между источником и подложкой обусловливает малую химическую емкость газовой фазы в зазоре и соответственно высокую точность дозировки осаждаемого вещества. Заметим, что управление процессом эпитаксиального роста и снижение рабочих температур могут быть достигнуты также проведением кристаллизации в электрическом поле. [c.170]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология