Электронно-лучевой способ разложения

Электронно-лучевой способ разложения [c.203]

Осаждение пленок электронно-лучевым способом разложения МОС может проводиться на подложки из самых различных материалов (стекло, ситалл, керамика, металлы и др.). [c.205]

Электронно-лучевой способ разложения гексакарбонила молибдена с целью получения пленок являлся предметом рассмотрения ряда работ. Изучено влияние различных факторов на скорость осаждения и качество получаемых [c.268]

Использование оптического генератора непрерывного действия в качестве технологического инструмента для разложения МОС имеет по сравнению с электронно-лучевым способом несколько существенных преимуществ [c.207]

Получаемый таким образом рениевый порошок горячим прессованием переводят в компактное состояние. Рениевые штабики при дуговой или электронно-лучевой вакуумной плавке превращают в слитки металлического рения. Помимо этого способа, используют также электрохимическое восстановление перрената калия или аммония. Рений можно получать и путем термической диссоциации -галогенидов. Галогенидный способ используют для получения чистого рения. Разложение галогенидов осуществляют на раскаленной нити из чистого рения. [c.374]

Способ получения термическим разложением дииодида У12 на вольфрамовой проволоке позволяет получать металл высокой чистоты. Этот способ аналогичен получению из ТЮЦ. Чистый V, обладающий высокой пластичностью, может быть получен металлотермическим или электрохимическим восстановлением различных соединений ванадия с последующей электронно-лучевой переплавкой металла [51. [c.6]

Как и любой другой способ, электронно-лучевое разложение МОС не свободно от ряда недостатков. Имеется вероятность загрязнения получаемой пленки продуктами разложения паров масла, проникающих из диффузионного насоса, и побочными продуктами распада молекул разлагаемого металлооргапического соединения. Возможно образование пленок на деталях электронно-оптической системы, что может привести к изменению электрических параметров электронного луча, а значит и к изменению параметров получаемых пленок. Присутствие в вакуумной камере паров органических соединений, выбывающих поверхностные загрязнения, препятствует получению в этой же камере чистых пленок других веществ, которые обладали бы хорошим сцеплением с подложкой. [c.206]

Термическое разложение полимеров в вакууме, как известно, сопровождается образованием мономеров и более сложных осколков макромолекул. В момент распада они находятся в активном состоянии, т. е. представляют собой радикалы. Такие же продукты возникают и при других способах энергетического воздействия, например электронно-лучевом, плазмохимическом. [c.268]

К настоящему времени электронно-лучевой способ был использован для получения тонких пленок разложением органических соединений кремния, олова, свинца, вольфрама, молибдена, рения. Имеются многочисленные работы по получению и исследованию свойств диэлектрических пленок, полученных при электронно-лучевой деструкции кремиийоргапических соединений. [c.206]

Пленки бора получают различными методами, из которых следует отметить метод термического разложения трихлорида бора в присутствии водорода с осаждением на нагретую до 997—1017 °С грань <111> р-кремния, метод вакуумного испарения и конденсации на нагретую до различных (20—797°С) температур подложку из плавленого кварца, слюды, каменной соли, сапфира или стекла, метод электронно-лучевого испарения и конденсации в вакууме 1,33-10- Па иа подложки из тантала илн ниобия (с подслоем йз вольфрама, хлористого бария или без подслоя), разогретые до 297—1197°С, и т. п. Ультрачистые пленки бора получают расплавлением и испарением капли на вертикальном стержне бора. Варьируя температуру капли от 697 до 2497 °С, можио изменить скорость испарения в широких пределах, управляя таким образом скоростью осаждения бора на подложке и совершенством образующихся пленок. Известен также способ получения пленок путем мгновенного охлаждения из жидкости. Применяют следующие схемы закалки прокатка жидкой капли, центрифугирование и захлопывание летящей капли двумя медными шайбами и т. д. Кристаллическое строение пленок бора определяется условиями кристаллизации. Так, пленкк, получаемые методом термического разложения трихлорида, имеют главным образом моно- и поликристалличсское строение, методом вакуумного испарения —в основном аморфное при применении в качестве подложек кремния и сапфира строение пленок зависит от температуры подложки — до 797 °С аморфное, при температуре до 897 "С кристаллическое и т. д. При получении пленок путем закалки из жидкой фазы скорости охлаждения составляют Ю —10 с-, а толщина пленок 40—120 мкм. В этом случае пленки имеют преимущественно кристаллическое строение для получения аморфного бора необходимы более высокие скорости. Метод осаждения бора из газовой фазы на подложку используют также для получениях борных нитей. В этом случае осаждение производят иа сердечник из вольфрама диаметром 15—16 мкм, толщина получаемого при этом борного слоя составляет до 50 мкм. В процессе осаждения происходит борирование вольфрама подложки и образуются бориды различного состава. В борном слое обнаружены аморфная и а- и Р-модификации, имеющие монокрнсталли-ческое строение с размерами кристаллитов 2—3 нм. Заметное влияние иа структуру бора оказывают примеси, попадающие в слой из газовой фазы или подложки. Так, присутствие углерода способствует образованию тетрагонального бора вместо Р-ро.мбоэдрического. [c.149]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология