Дебаевское экранирование

Это расстояние представляет собой эффективный радиус действии сил. Поэтому на расстояниях порядка радиуса дебаевского экранирования параметр (48.4) принимает вид [c.191]

Следовательно, действительно на больших расстояниях, не малых по сравнению с радиусом дебаевского экранирования, нельзя пренебрегать последними двумя слагаемыми уравнения (48.3). Иными словами, на таких расстояниях для описания корреляции частиц в плазме необходимо пользоваться уравнением (48.3), а не приближенным уравнением (48.5), годным для сил малого радиуса действия. [c.191]

Будем считать, что тепловая скорость электронов значительно превышает тепловую скорость ионов, а гироскопический радиус ионов больше электронного. Тогда в условиях сильного магнитного поля, когда радиус дебаевского экранирования больше электронного гироскопического радиуса, из формулы (64.10) получаем 1191 [c.295]

В выражениях (2.2) и (2.3) е и Се — соответственно заряд и концентрация электронов, а Гв — радиус дебаевского экранирования. [c.15]

Если представить -свободную энергию ионизованного газа в форме (2 6), то поправка к свободной энергии, учитывающая дебаевское экранирование, будет иметь вид [c.18]

Дебаевское экранирование. В плазме вследствие кулоновского взаимодействия и теплового расталкивания частиц происходит разделение зарядов. Заряд одного знака окружен сферой, состоящей из чередующихся слоев зарядов противоположного знака. Эта сфера называется сферой Дебая, а ее радиус - дебаевским радиусом [1,2] На расстоянии от [c.222]

Именно здесь и возникает упоминавшаяся ранее трудность, поскольку для больших 2 подынтегральное выражение убывает лишь как z . Следовательно, интеграл логарифмически расходится. Поскольку 2 как раз представляет собой безразмерный прицельный параметр [как это явствует из формулы (14.3.2)], очевидно, что расходимость возникает вследствие дальнодействующего характера потенциала 1/г. С другой стороны, как нам известно из 14.1, на самом деле на больших расстояниях эффективный потенциал убывает значительно быстрее, чем 1/г, что обусловлено дебаевским экранированием это позволяет использовать вместо обычного кулоновского потенциала обрезанный потенциал (14.1.7). Обрезание означает, что, когда прицельный параметр Ь превышает дебаевский радиус d, столкновения не происходят а в интеграле (9.2.5) верхний предел интегрирования следует заменить величиной Эта замена не приводит к заметному изменению интеграла, за исключением того случая, когда значение прицельного параметра Ь весьма близко к d. Итак, с хорошей точностью, можно положить [c.438]

Устойчивость фаз и электрические свойства нового материала состава В)20з-Сс10-С(1р2 рассмотрены в [47]. Выращивание монокристаллов В18е], их морфология, диэлектрическая проницаемость и фазовые превращения изучены в [48]. Диэлектрические пленки на основе В12Ки207 стали предметом детальных исследований [49] электрических свойств концентрации носителей заряда, дрейфовой подвижности, длины свободного пробега, коэффициента диффузии носителей, длины дебаевского экранирования и др. [c.244]

Отсюда следует неравенство N V >> 1, означающее, что радиус дебаевского экранирования значительно превышает среднее расстояние между частицами. Поэтому интересующие нас эффекты обусловлены взаимодействием большого числа частиц и в связи с этилг такие эффекты часто называют коллективными. [c.233]

Малость среднего расстояния по сравнению с радиусом дебаевского экранирования означает, что энергия взаимодействия пары частиц на важных для пас больлигх расстояниях оказывается значительно меньше средней энергии взаимодействия, которая согласно [c.233]

Заметим, что матрица У возникает и и теории, неучптыпяющей динамической поляризации плазмы. Это ясно из того факта, то при ней стоит множителем кулоновский логарифм Л. Заметим здесь, то возникнонение радиуса дебаевского экранирования п ку-лоновском логарифме при исиоль.човании иитеграла столкновений [c.246]

Задача о выравнивании температуры в пеизотермической плазме является одной из простейших. Здесь нас будет интересовать, как в такой задаче проявится влияние сильного магнитного поля, когда радиус дебаевского экранирования кулоновского поля больше гироскопического радиуса электронов. Впервые решение задачи о релаксации температур в подобных условиях было предпринято Кихарой [2] (см. также (31). Однако при этом не было получено разумного ответа. В нашем изложении мы будем следовать работам 112, 13), которые основывались на использовании интеграла (61.6) ). [c.282]

Как видно из табл. Т2, взаимодействие между реагентами изменяет эффективное время реакции в x = bS(b) -ехр(—U(b)lkT) раз. В табл. 1.3 приведены найденные путем численных расчетов значения фактора x — tpiU)/тр 0) для потенциалов, наиболее интересных с точки зрения возможных применений 1) кулоновское взаимодейств ие однозарядных партнеров в полярной среде с учето.м дебаевского экранирования этого взаимодействия, 2) взаимное притяжение реагентов благодаря обменному взаимодействию. В первом случае потенциал взаимодействия равен [c.20]

Пренебрежение более высокими членами разложения потенциала экранирующего микрополя также приводит к ошибке порядка 10%, так как дебаевский радиус становится сравнимым со средним расстоянием между частицами. Это приводит к тому, что учет снижения ионизационного потенциала ф, вызванного поляризацией атомов и ионов, вследствие самосогласованного взаимодействия заряженных частиц (дебаевское экранирование) [1] и соответствующие ему ограничения статистических сумм оказывается приближенным. [c.312]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология