Дебаевская

Рассмотрим плоский диэлектрик, помещенный в водный электролит. Будем предполагать, что толщина диэлектрика много больше дебаевского радиуса электролита, что позволяет считать диэлектрик бесконечно толстым. Граница раздела диэлектрик/электролит непроницаема как для молекул воды, так и для ионов электролита. Введем декартову систему координат таким образом, что начало координат соответствует границе раздела оси х и у лежат в плоскости диэлектрика, а ось 2 направлена нормально плоскости раздела (рис. 9.3). Для простоты будем рассматривать одномерную задачу и считать, что плотности источников электрических полей зависят только от г. [c.151]

Скорость частицы т=иЕ (1-аЕ-), где и - электрофоретическая подвижность в линейной области поляризации а - коэффициент, зависящий от радиуса частицы, электрокинетического потенциала, дебаевского радиуса экранирования и других факторов. [c.23]

Условно к проводникам второго рода можно отнести ионизированный газ - плазму. В общем случае в плазме встречаются три компоненты свободные электроны, положительные ионы и нейтральные атомы (или молекулы) [22]. Разноименные электрические заряды в плазме обеспечивают ее квазинейтральность. Одной из характеристик плазмы является так называемый дебаевский радиус, см [c.36]

Нелокальная поляризуемость электролита оказывает существенное влияние на структуру ДЭС, образующегося вблизи фосфолипидной поверхности. Однако необходимо отметить, что в общем случае экранирование поверхностных источников электрических полей имеет два принципиально разных по физической природе механизма [443]. Первый механизм связан с экранированием поверхностных источников ионами электролита, второй обусловлен реакцией самого растворителя на поверхностные источники. По существу, оба эти механизма имеют нелокальный характер и определяются корреляциями флуктуаций электрических полей в соседних точках пространства. В первом случае такие флуктуации обусловлены флуктуациями концентрации ионов, характерный радиус корреляций которых есть дебаевский радиус X . Во втором случае флуктуации электрических полей связаны с флуктуациями поляризации в электролите, радиус корреляции которых а . [c.158]

С чем связано такое стремление Во-первых, с желанием уйти из той области концентраций, для которых не существует достаточно удачных и общепризнанных методов математического описания коэффициентов активности реагирующих частиц. Потому столь притягательными для экспериментатора оказываются дебаевская область концентраций при исследовании растворов электролитов или близкие к ней области, где для описания коэффициентов активности часто считают допустимыми использование уравнений Дэвиса, Васильева и других модификаций уравнения Дебая — Хюккеля. Правда, большинство исследований комплексообразования в растворах электролитов в настоящее время осуществляют в концентрированных растворах. Но эти растворы концентрированы не по самим реагентам, а по вспомогательной соли, химическими реакциями с ионами которой на практике считают возможным пренебречь. Стремление работать на таких инертных солевых фонах основывают на допущении, что на коэффициенты активности реагентов существенное влияние оказывает лишь солевой фон , и при изменении концентраций самих реагентов в изучаемой области состава систем изменения коэффициентов активности можно считать пренебрежимо малыми. Но пределы допустимости такого приближения требуют экспериментального выяснения. По крайней мере общепризнанным является стремление поддерживать концентрации реагентов на уровне, значительно более низком, чем концентрация солевого фона , хотя насколько более низком — вопрос часто остается открытым. [c.165]

Систему двух фосфолипидных бислоев, находящихся в водном электролите, в общем случае можно представить следующим образом (рис. 9.5) В точках 2 = 0 и г = к находятся границы раздела липид/электролит, в точках г = Ь и г = к—Ь находятся плоскости, равномерно покрытые электрическими зарядами с поверхностной плотностью а и электрическими диполями с поверхностной плотностью нормальной составляющей р,. В полупространствах 2<0 и г>Ь находится диэлектрик (электрическое поле в котором отсутствует) в слое 0<г<к находится водный электролит с дебаевской длиной экранирования Распределение электрического потенциала в электролите определяется уравнением [c.163]

При таком описании пространственная дисперсия означает зависимость диэлектрической проницаемости от волнового вектора q, обратное значение которого определяет расстояние, на котором приложенное поле заметно меняется. Простейшая интерполяция между ео (для = 0) и е о (для > о- ) имеет вид, аналогичный вещественной части дебаевского выражения [c.156]

Повышение концентрации электролита до значений, отвечающих дебаевской длине экранирования х 1 нм, слабо влияет на величины ко и Ро. [c.162]

Величина 0 представляет собой среднее значение характеристической дебаевской температуры, которая определяется из соотношения [c.104]

Механические свойства твердых тел (например, твердость, прочность, ковкость) сильно зависят от текстуры. Наличие текстуры приводит к увеличению интенсивности в отдельных местах дебаевских дифракционных колец на рентгенограммах (рис. XXX. 14). [c.365]

Дебаевская температура теплоемкости меньше, чем у графита вследствие более прочной энергии связей межд у слоями за счет возникающего взаимодействия зарядов углеродных слоев с ионами щелочных металлов. С ростом ступени внедрения эта величина растет и в пределе приближается к дебаевской температуре графитовой матрицы. [c.274]

Наиболее дальнодействующими могут быть электростатические силы. Их радиус действия имеет порядок дебаевской длины 1/х, равной, например, 0,3—1 мкм для разбавленных растворов 1—1-электролита (10 —10 моль/л). Поэтому толстые пленки воды и водных растворов электролитов (/1>500 А) устойчивы главным образом за счет П -составляющей расклинивающего давления. Это подтверждается сильной чувствительностью данного участка изотермы к концентрации и валентности электролита, от которых зависят значения х. Влияние П -составляющей существенно зависит от заряда поверхности подложки и пленки. В меньшей степени на величину П -составляющей влияет изменение температуры, что связано с обычно большой по сравнению с кТ величиной потенциалов адсорбции ионов. [c.286]

Водородные связи — промежуточные между химическими связями 11 слабыми лондоновскими и дебаевскими силами — в газо-жидкостной хроматографии играют важнейшую роль. Энергия этих связей уменьшается в ряду [c.173]

При охлаждении некристаллических полимеров происходит резкое уменьшение их теплоемкостей при постоянном давлении Ср (рис. 10.18). Существование сильных валентных взаимодействий между атомами в макромолекулах и более слабого взаимодействия между цепями приводит к тому, что характер изменения теплоемкостей полимеров при низких температурах заметно отличается от дебаевского. В жидкости изменение температуры ведет к изменению и средних расстояний между частицами, и их взаимного расположения (ближнего порядка), что и определяет ее большую теплоемкость. Теплоемкость твердого тела определяется энергией, необходимой для изменения только средних расстояний между частицами (при их неизменном взаимном расположении). В связи с этим теплоемкость полимера в твердом состоянии значительно меньше, чем в жидком. [c.268]

В отличие от дебаевского закона (III.98) температурный ход теплоемкости ряда веществ в общем случае может быть выражен функцией Су=/(7 /0)", где п З. В. В. Тарасов рассмотрел случаи, когда изучаемое тело имеет слоистую или цепочечную структуру тогда задача приводится к двумерной или одномерной структуре соответственно. В случае цепочечных или нитевидных структур п 1, при слоистых структурах п- 2, в трехмерных изотропных структурах п З. [c.81]

Таким образом, как ниже, так и выше температуры Дебая правило Дюлонга и Пти не выполняется. Исходя из того, что при температуре Дебая наблюдается переход от эйнштейновского тела к дебаевскому, строгое выполнение правила Дюлонга и Пти следует ожидать именно при этой единственной температуре, что и наблюдается (рис. 27,а, верхняя кривая ). [c.84]

N степенями свободы и максимальное число частот колебаний в кристалле также равно 2>М. Максимальная частота в дебаевском спектре определяется из условия [c.103]

Расчет величины среднеквадратичных смещений атомов в кристалле, проведенный в дебаевском приближении, показал, что [c.103]

В монографии /Ю/ была рассмотрена возможность описания теплопроводности жидкостей на основе представления о коллективном характере теплового движшия. Фактически речь шла о фононном механизме перекоса тепла, о переносе дебаевскими гиперакустическими [c.61]

Рэндолл, Руксби и Купер установили, что расположение дифракционных максимумов на рентгенограммах стекол отвечает наиболее интенсивным дебаевским линиям на ренгенограммах тех же веществ в кристаллическом состоянии это также свидетельствует о сходстве структуры стеклообразных и кристаллических веществ. Они рассчитали кривые интенсивности кристобалита и кристаллической буры при допущении, что линейные размеры кристаллитов составляют примерно 0,15—0,20 нм. Эти кривые хорошо сог- [c.197]

Здесь следует заметить, что величину 1/х, получившую в теории сильных электролитов название радиуса ионной атмосферы (или дебаевского радиуса),, нельзя понимать геометрически, как радиус сферы, за которой действие поля рассматриваемого иона становится равным нулю. Физическая величина радиуса ионной атмосферы, строго говоря, неограничена. Однако потенциал поля убывает с удалением от рассматриваемого иона экспоненциально и на расстоянии, много большем 1/х, влиянием этого потенциала можно пренебречь, [c.183]

Однако следует указать, что значения электрокинетического потенциала, найденные для молекул высокомолекулярного электролита в растворе, весьма условны. Надо помнить, что ионогенные группы макромолекул, а следовательно, и заряды расположены дискретно по всей длине макромолекулы, и о двойном электрическом слое в обычном смысле слова здесь говорить трудно. Скорее, уместно проводить аналогию с отдельными обычными ионамиг окруженными дебаевской ионной атмосферой. Поэтому найденные [c.477]

Каждую фазу можно качественно идентифицировать данным методом рентгеновского анализа только при ее определенном минимальном содержании в исследуемой смеси. Это минимальное количество называется чувствительностью метода. Чувствительность зависит как от природы исследуемого вещества и состава смесн, в которой это вещество находится, так и от условий съемки. При дебаевском методе анализа линии клинкерных минералов на фотопленке наблюдаются достаточно отчетливо, когда их содерж ание в исследуемом материале составляет не менее 3S — 8% 2S — 10 СзА — 6 4AF — 10 СаО — 2—3 MgO — 2—3%. Днфракто-метрическая съемка вращающегося образца при правильно выбранном режиме позволяет существенно иовысить чувствительность и обеспечивает идентификацию некоторых клинкерных минералов при их присутствии в количестве всего 2—3%. [c.87]

А — длина одного звена полимерной цепи х — величина, обратная дебаевскому радиусу Н — расстояние между концами макроина. Отсюда следует [c.52]

Посмотрим, насколько функция (ПЛ20) удовлетворяет предельным значениям теплоемкостей. Если температура высока Т -> оо), то X стремится к нулю, а подынтегральное выражение — к х йх. Тогда интеграл становится равным Хтах/3 = 3 (0о/Л а С , х ЗЯ, т. е. закон Дюлонга и Пти удовлетворяется. При низких температурах (7 0) отношение во/Т стремится к бесконечности, поэтому вместо дебаевского интеграла можно записать следующий [c.58]

Характеристическая дебаевская температура 0 является параметром, указывающим границы применимости рассмотренного выше приближения. Рассмотрение асимптотики выражения (V. 14) при высоких температурах Т 0) показывает, что функция Ф (х)/х достаточно хорошо описывается функцией Их, т. е. фактор Дебая — Валлера при высоких температурах практически линейно растет с ростом Г [c.104]

Более сложная модель твердого тела, дебаевская, иолагает, что кристалл состоит из целого ряда осцилляторов, имеющих непрерывный спектр частот, от сОо — О до некоторой граничной частоты (Ов и отвечает квадратичной зависимости для функции распределения по частотам. В дебаевской модели введено значение характеристической температуры Дебая 0в [c.186]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология