Брэгговский угол

О—брэгговский угол В—полуширина линии (расстояние между точками, в которых интенсивность составляет половину максималь-лой интенсивности). [c.47]

Обозначая 2/ спр как 2/ , рассчитываем брэгговский угол 8 = fip - .57,3= = .57,U-, [c.139]

Обозначая 2/ спр как 2/о, рассчитываем брэгговский угол [c.154]

Равен ли брэгговский угол 6 измеренному углу отражения а [c.225]

Расчет спектрограммы проводят по реперным линиям меди, всегда содержащейся в исследуемом излучении, так как лодочка, в которую помещают образец, выполнена из меди. Начиная спектральную съемку, устанавливают кристалл параллельно пучку, идущему от образца, и получают на пленке тень кристалла, край которой соответствует углу = 0°. Поскольку брэгговский угол для линий меди [c.301]

О — брэгговский угол в радианах. [c.303]

После определения линейной дисперсии выбирают за начало отсчета ту из реперных линий, длина волны которой минимальна (обычно /(-край полосы поглощения брома), и измеряют А/,- для всех линий спектрограммы. Одновременно оценивают интенсивность по обычной визуальной пятибалльной оценке. Зная линейную дисперсию у. и брэгговский угол Ор репера, принятого за начало отсчета, рассчитывают брэгговские углы для всех спектральных линий по формуле [c.304]

Для межплоскостного расстояния 5 А брэгговский угол (излучение Ка, медный антикатод) равен 8 /2° следовательно, для такой плоскости ориентация от О до 8° вовсе не фиксируется меридиональная дуга соответствует ориентации таких кристаллов, в которых оси молекулярных цепей отклонены от оси волокна на 87г и более. Существенная часть распределения ориентаций, таким образом, совсем исключается. Более того, распределение интенсивностей по меридиональной дуге зависит не только от распределения осевых ориентаций вблизи меридиана очень быстро изменяется фактор Лоренца [18], который также оказывает определенное влияние. [c.244]

Селякова D =, D — размер блоков ф — брэгговский угол Я — длина волны излучения k — постоянная форма блоков — уширение дифракционной линии. [c.113]

По методу Брэггов для исследования монокристалла исполь-зуетсй монохроматическое излучение, а образец вращается или качается во время съемки. Фотопленка, на которую попадают дифрагированные лучи, располагается на внутренней поверхности цилиндра вокруг образца, помещаемого по оси этого цилиндра. Дифракционные максимумы появляются всякий раз, когда в ходе вращения образца направления кристаллографических плоскостей образуют с направлением падающего луча брэгговский угол 0. [c.80]

Зная брэгговский угол и длину волны рентгеновских лучей, по уравнению (6.4) можно рассчитать межплоскост-ное расстояние. [c.130]

Рентгеновские лучи рассеиваются почти полностью внешними электронами атомов и интенсивность рассеянного излучения зависит от того, каким образом распределены эти электроны в атоме. При малых углах дифракции амплитуда рассеянного пучка равна сумме амплитуд отдельных пучков, рассеянных каждым электроном. Таким образом, суммарная амплитуда пропорциональна числу внешних электронов. Для атома это число равно порядковому номеру 2, но у иона число внешних электронов отличается от 7, на заряд иона. При больших углах дифракции различные рассеянные лучи интерферируют, рассеяние ослабляется и коэффициент пропорциональности становится меньше числа внешних электронов. Этот коэффициент пропорциональности называется атомным фактором рассеяния /. Факторы рассеяния можно рассчитать, зная волновые функции электронов, что и было сделано, а полученные результаты табулированы. На рис. 8.1 приведены некоторые значения факторов рассеяния как функции з1п0Д. Здесь, как обычно, 0 означает брэгговский угол, а Я — длину волны рентгеновских лучей. Волновые функции электронов постоянно уточняются и по ним вычисляют новые [c.165]

ДЛЯ электрона е — заряд электрона, т — масса электрона, с — скорость света) F — комплексная величина, называемая структурной амплитудой. —число электронов в каждой элементарной ячейке, которые рассеивают излучение в направлении 20 (0 — брэгговский угол, S-So= os20, как на рис. 31.10). Для любого конкретного кристалла приведенная выше формула сводится к выражению [c.33]

В целях уменьшения экспозиции путем повышения интенсивности отраженного пучка Фанкухеном был предложен конденсирующий кристалл-монохроматор. Особенностью предложенного Фанкухеном способа монохроматизации является то, что монокристаллическая пластинка вырезается не параллельно отражающей плоскости, а под некоторым углом к ней (рнс. 19, а). В результате отраженный пучок становится гораздо уже и более мощным. Оптимальный угол наклона отражающей плоскости к плоскости пластинки около 0/2, где 0 — брэгговский угол для отражающей плоскости кристалла- монохроматора. [c.34]

Химия твердого тела Теория и приложения Ч.2 (1988) -- [ c.89 , c.156 , c.182 , c.184 , c.201 , c.210 , c.213 , c.220 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (1968) -- [ c.136 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.17 , c.153 , c.155 , c.168 , c.214 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология