Кристаллов ступень роста параллельные

Пусть расстояние между двумя параллельными ступенями роста на поверхности электрода равно 2хо (рис. 174), а начало координат совмещено с левой ступенью. Тогда середина расстояния между ступенями имеет координату Хд. Чем больше расстояние Ха, тем меньше концентрация ступеней на поверхности кристалла и тем большую роль играет поверхностная диффузия. Концентрация адатомов на поверхности при протекании катодного тока является функцией расстояния X Г=Г(х). Предположим, что переход адатома, достигшего ступени роста, к выступу (в так называемое полукристаллическое положение, [c.322]

VII.55. Закон роста на поверхности. Законы роста, приведенные в графе 8 табл. VH.5, показывают, что значения показателя степени п меняются от 1,21 до 2,5. Чтобы объяснить это, мы снова рассмотрим механизм роста, описанный в разделах VI.22 и VI.23, который может приводить к такому типу закона роста при низких пересыщениях. Этот механизм включает адсорбцию молекул на поверхности и их миграцию к краям параллельных ступеней роста, где они и присоединяются к решетке. Причиной закона роста высшего порядка является то, что при малых пересыщениях ступени отстоят друг от друга на большие расстояния, и поэтому адсорбированные молекулы могут возвратиться в жидкую фазу прежде, чем они достигнут ступени. Однако, если соображения, высказанные в разделе VII.54, справедливы, нужно принять во внимание не только процессы, происходящие на поверхности кристалла, но и другие процессы, включая отделение молекул растворенного вещества от растворителя, которые сами но себе не менее сложны. Другими словами, суммарный процесс роста из раствора будет значительно более сложным, чем процесс роста из пара, и может оказаться гораздо более трудным установить, какая именно стадия процесса ответственна за закон роста высшего порядка. [c.238]

Подчеркнем, что приведенное выше уравнение справедливо только для гладкой грани, параллельной потоку. При появлении у переднего ребра макроскопической ступени можно ожидать возникновения турбулизации (завихрений) раствора за ней, т. е. увеличения перемешивания раствора, и некоторого не предусмотренного в формуле увеличения скорости диффузии. Формула неприменима к тыльным по отношению к потоку граням кристалла. Около этих граней легко образуется застойная зона раствора, и в них наиболее часто возникают включения. Так, при вращении кристалла застойная зона образуется за передним ребром грани (рис. 1-23), здесь по мере роста кристалла раствор обедняется веществом. Участок грани вблизи застойной зоны оказывается в условиях относительного голодания . На грани возникает углубление и затем включение. Поэтому при выращивании необходимо располагать кристалл так, чтобы поток в наилучшей степени обтекал кристалл (рис. 1-24). [c.46]

Развитие спиральной ступени на поверхности кристалла в результате роста. Грань кристалла параллельна плоскости бумаги. Ступень на поверхности АВ первоначально прямая. [c.124]

VI.30. Уравнение (У1.36) дает скорость роста кристалла (выраженную как поток) в зависимости от расстояния между параллельными ступенями, пересекающим поверхность. Можно рассмотреть два особых случая. [c.181]

Количественная кинетическая теория роста кристаллов Бартона, Кабреры и Франка состоит, по существу, из двух частей. Б первой части скорость продвижения параллельных ступеней как результат адсорбции и поверхностной диффузии выражается уравнением [c.206]

Чернов [17]. Чернов также исследовал рост кристаллов из раствора, анализируя диффузионное поле, связанное с эшелоном параллельных ступеней. И он считал основным поток веще- [c.460]

Фиг. 25. Диффузионные поля параллельных ступеней при росте кристаллов

Внешний вид осадка при слоистом росте зависит от ориентации субстрата. Если поверхность кристалла параллельна некоторой плоскости низшего индекса, то развиваются сплошные слои в противном случае слои перекрываются, образуя террасы. Чем больше угол наклона поверхности субстрата к данной кристаллографической плоскости, тем слабее боковое развитие слоев и тем выше высота ступеней. С течением времени высота образованных слоями ступеней и расстояние между ступенями увеличиваются, вызывая все большую шероховатость осадка. [c.331]

Для наиболее вероятного случая роста или растворения кристаллов через винтовые дислокации с параллельными ступенями роста при оценке порядка величины омического падения напряжения в электролите нужно исходить из распределения линий тока вокруг пиний роста, как осей с цилиндрической симметрией. Если глубина проникновения поверхностной диффузии Яд мала по сравнению с расстоянием между линиями роста 2х , т. е. С Жо, то при оценке омического сопротивления Лом нужно рассматривать приближенно распределение линий тока с цилиндрической симметрией на глубину при постоянной плотности тока ( о) на поверхности шириной 2Я(, и длиной Ь х . Тогда, согласно уравнению (2. 615), омическое сопротивление электролита на линиях роста длиной Ь см1см ) на единицу площади [c.341]

Имея в виду, что значения а близки к 1 необходимо рассмотреть поверхность кристалла, покрытую очень близко расположенными друг от друга стоками. Это можно осуществить простым способом, путем создания эшелона параллельных ступеней роста. Адсорбированные молекулы будут мигрировать с прилежащих участков поверхности к ступени, где они будут присоединяться к решетке. Это может происходить в любой точке на ступени. Молекулы будут также переходить и в обратном направлении из ступени на поверхность. Скорость обмена молекулами между ступенью и поверхностью настолько велика, что плотность адсорбированных молекул на прилегающих к ступеням участках поверхпости будет поддерживаться постоянной, имея равновесную величину ЧЯоэ независимо от потока молекул в ступень. [c.205]

Бартон, Кабрера и Франк [41]. При росте из паровой фазы расчет потока вещества проводится по схеме 1) пар- поверхность кристалла—> ступень— вдоль ребра ступени к излому. Другие потоки, параллельные указанным 2) пар— излом [c.459]

Бартон, Кабрера и Франк [41] в своей теории роста из растворов выбрали в качестве основного второй поток, т. е. непосредственное осаждение вещества из среды в излом, полагая тем самым, что диффузионная подвижность на (гладкой) поверхности и вдоль ребра ступени очень мала. Рассматривается следующая геометрия на поверхности кристалла существует ряд параллельных ступеней, удаленных друг от друга на расстояние г/о, а расстояние между изломами в ступенях составляет При такой схеме диффузионная задача довольно сложна она решается приближенно в предположении, что диффузионные поля характеризуются равновесной концентрацией в самих изломах и простираются от изломов по радиусу на расстояние Xq. Вокруг каждой ступени существуют полуцилиндрические поля, простирающиеся до г = г/о на них накладываются [c.459]

Модель Джексона. Модель Джексона [42, 43] поверхностной шероховатости кристалла, контактирующего с собственным расплавом, уже была изложена в гл. II и дополнительно обсуждалась в разд. 16, посвященном структуре фазовой границы. Основной параметр этой модели а определяется в виде (Ь1кТо)1к, где То — равновесная температура (температура плавления при росте из расплава), Ь — скрытая теплота плавления, а кристаллографический фактор /й 1 (в модели ближайших соседей это есть доля общей энергии связей, приходящаяся на взаимодействие молекулы с другими молекулами во вновь образующемся слое, параллельном рассматриваемой плоскости). Если а < 2, то фазовая граница шероховата и, следовательно, кристалл для своего роста не нуждается в ступенях при а > 2 имеем гладкую фазовую границу, что делает ступени необходимыми для роста (см. фиг. 7). [c.466]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология