Кадмия халькогениды

Одно- и многослойные монокристаллические пленки халькогенидов кадмия и свинца [c.46]

Рис. 86. Схема прибора для выращивания кристаллов халькогенидов кадмия

На рис. 86 изображена схема установки для выращивания монокристаллов халькогенидов кадмия. Аргон впускают через отверстие Он увлекает пары кадмия, нагреваемого до Та в лодочке Л, в зону Д, где температура достигает / -1000°С и где пары кадмия вступают во [c.266]

Оксид цинка и все халькогениды элементов подгруппы цинка — важные полупроводниковые материалы. Они находят различное применение (о синтезе халькогенидов см. гл. IX, 2 и гл. X, 2). Например, из сульфида кадмия изготовляют очень чувствительные фотосопротивления, так как у этого вещества отношение темпового сопротивления к световому может достигать порядка 10. Максимум чувствительности сульфид кадмиевых фотосопротивлений лежит в области видимой части спектра. [c.365]

На рис. 86 изображена схема установки для выращивания монокристаллов халькогенидов кадмия. Аргон [c.330]

Физические свойства халькогенидов цинка и кадмия [c.30]

Почти все халькогениды представляют собой полупроводниковые соединения с проводимостью электронного типа. Для теллурида цинка характерна проводимость дырочного типа, а для теллурида кадмия — как электронная, так и дырочная. В условиях синтеза люминофоров сульфид и селенид цинка имеют очень высокое удельное электросопротивление (Ю Ом см). Лишь при специальных условиях легирования, обеспечивающих внедрение избыточного цинка, удается получить сульфид и селенид цинка с низким удельным электросопротивлением (10 2—10 Ом см). Концентрация носителей тока при этом зависит как от содержания донорных примесей, так и от давления пара цинка. [c.31]

Как следует из рис. 11.1, при 1000° давление пара сульфида цинка ничтожно, тогда как у теллурида кадмия — -10000 Па (нескольких десятков мм рт. ст.). Фазовые диаграммы бинарных систем халькоген — металл изучены недостаточно наиболее подробные данные имеются лишь для теллуридов кадмия [12] и цинка [13]. Для остальных халькогенидов (кроме сульфида цинка) получены кривые ликвидус [14, гл. 2]. Все халькогениды заметно растворяются в исходных компонентах. Так, растворимость селенида цинка в цинке достигает 0,1% при 1000° и —1,0% в расплаве селена [15]. [c.33]

Светодиоды на основе соединений Халькогениды цинка и кадмия [c.151]

Для халькогенидов цинка и кадмия характерна проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как n-, так и р-типа. Теллуриду цинка присуща проводимость только р-типа, хотя сообщалось о получении при легировании галлием в неравновесных условиях высокой проводимости л-типа[99, гл. 3—4]. Остальные материалы имеют проводимость только л-типа. [c.151]

В табл. VI,4 приведены основные параметры светодиодов на основе халькогенидов цинка и кадмия. [c.153]

Более крупные монокристаллы халькогенидов цинка и кадмия получают-путем химического транспорта в температурном градиенте, используя галогены, водород или НС1 в качестве газа-носителя [2, 3]. [c.1119]

Желтый цвет придают сульфид железа, образующийся при введении восстановителей, напр, угля (0,5— 1%), или соединения церия и титана (5—7%). Синие, сине-зеленые и зеленые стекла получают, добавляя окислы кобальта (0,08—0,1%), меди (1,3-3,5%) и хрома (0,05-0,5%). В зависимости от типа и назначения контролируется пропускание, отражение и рассеивающая способность стекол. В линзах контролируют силу света и углы рассеяния. В цветных С. с., кроме того, определяют цветовой тон и чистоту цвета. К С. с. относятся и стекла, поглощающие или пропускающие ультрафиолетовые, инфракрасные и рентгеновские лучи, а также стекла, поглощающие излучения высоких энергий (альфа-частицы, тепловые нейтроны). Поглощения излучений в различных участках электромагн. спектра добиваются введением в состав стекла окислов железа, свинца, бария, кадмия, титана, ванадия, церия. Наиболее полно пропускают ультрафиолетовые лучи фосфатные и кварцевые стекла, не содержащие окислов железа. Черные стекла для люминесцентного анализа, пропускающие ультрафиолетовые и задерживающие видимые лучи, получают окрашиванием стекла окислами никеля и кобальта. Основу стекол с границей пропускания в инфракрасной области спектра составляют окислы германия, алюминия и теллура, а также халькогениды мышьяка, селена и [c.351]

Халькогениды кадмия и цинка. Спектральный метод [c.404]

Химический метод применяется для осаждения тонких слоев-пленок сульфидов свинца [I, 2], кадмия [3, 4, 5] и серебра [6], а также селенида свинца [7]. Изучение кинетики осаждения пленок сульфида кадмия [5, 81 и селенида свинца [91 показало, что это гетерогенные химические процессы, осложненные автокатализом. Роль катализатора выполняет поверхность нерастворимого продукта реакции — соответствующего халькогенида. Результаты наших исследований показали, что и процесс осаждения пленок сульфида серебра является также гетерогенным и автокаталитическим. [c.129]

Халькогениды синтезируют сплавлением компонентов. ZnS (рПР 24) и dS (рПР 27) можно также получить осаждением из растворов соединений цинка и кадмия сульфид-ионом. Для всей группы обсуждаемых халькогеиидов сфалерит является низкотемпературной модификацией, а вюртцитная структура — высокотемпературной. С,увеличением порядкового номера катионо- и анионообразователя на ковалентно-ионную связь накладывается определенная доля металлической связи. Поэтому ширина запрещенной зоны у халькогеиидов закономерно уменьшается. Сульфиды цинка и кадмия являются основой лучших неорганических люминофоров . [c.135]

Оксид цинка — основа цииковых белил, а сульфид применяется для фиксации альфа-, бета- и грамма-радиации. Халькогениды и пниктогениды цинка и кадмия находят широкое применение в полупроводниковой технике — начиная от термоэлементов и кончая полупроводниковыми лазерами. [c.137]

VIA группы периодической системы сера, селен, теллур, полоний — объединяются п(д общим названием халькогены, В двойных соединениях с металлическими элементами они проявляют степень окисления —2. Название соединений металлов с халькогенами—халько-гениды (сульфиды, селениды, тел1уриды, полониды) селенид цинка ZnSe, или селенистый цинк теллурид кадмия dTe, или теллуристый i адмий. Наибольшее распространение имеют нормальные халькогениды, в которых атомы металла непосредственно соединены лишь с атомами халькогена. [c.8]

Ширина запрещенной зоны халькогенидов цинка и сульфида кадмия равна 2,2—3,7 эВ и поэтому излучать они могут в шпрокой спектральной области — от УФ- до ИК-дпапазоиа. [c.31]

Сульфиды щелочноземельных металлов получают сульфированием карбонатов металлов смесью серы и крахмала в присутствии различных солевых смесей или сульфированием окислов сероуглеродом [3, с. 290 4]. Теллурид цинка и кадмия синтезируют в основном методом сплавления компонентов [5, с. 27]. Этим методом можно синтезировать сульфиды и селениды цинка и кадмпя, но это дорого и малопроизводительно [6]. Известен способ получения бинарных соединени из паров компонентов, пригодный для всех халькогенидов элементов II группы [7], но он еще не напхел широкого применения. [c.32]

При обычных условиях синтеза люминофоров все халькогениды содержат значительное количество точечных дефектов. Разупорядоченность кристаллической решетки неизбежна с термодинамической точки зрения. Сведения от степени разупорядоченности и природе дефектов получены в основном косвенными методами — путем анализа результатов изучения электропроводности и данных о самодиффузии в халькогенидах цинка и кадмия. [c.33]

Растворимость (в мол. %) халькогенидов меди в халькогенидах цинка и кадмия описывается уравнениями вида [c.34]

Халькогенидам цинка и кадмия присуща так называемая самоактивированная люминесценция, обусловленная либо собственными дефектами, либо их ассоциатами с примесью галогенов или трехвалентных катионов, а также люминесценция, связанная с введением активируюпщх примесей. [c.36]

Помимо самоактивированной люминесценции у чистых халькогенидов наблюдается так называемое краевое излучение, с энергией, близкой К ширине запрещенной зоны ультрафиолетовое в сульфиде цинка (380—390 нм), синее в селениде цинка (460—470 нм) и зеленое (520 нм) в сульфиде кадмия. Оно возникает только при низкой температуре (90 К и ниже) или при комнатной температуре, но при очень высокой плотности возбуждения. [c.37]

Активированная люминесценция. Медь, серебро и золото образуют почти аналогичные центры свечения во всех халькогенидах цинка и кадмия. Для каждого активатора характерно наличие нескольких полос излучения, которые по-разному проявляются как в зависимости от условий синтеза, концентрации активатора, вида основы люминофора, так и от условий возбуждения (табл. П.З). [c.37]

Г Вернемся к рассмотрению материалов на основе классификации их па составу. Группа неметаллических неорганических ма--териалов также весьма обширна, как и группа органических материалов. Она включает разнообразные керамические материалы, как кислородсодержащие (фарфор, стекло, керамика на основе чистых тугоплавких оксидов алюминия, тория, магния, иттрия, бериллия и др., керамика сложного состава со специальными свойствами), так и бескислородные (нитриды, бориды и силициды, прозрачная керамика на основе халькогенидов цинка и кадмия, фторидов РЗЭ). Среди них важное место занимают силикатные цементы и бетоны, графитовые материалы (графопласты и графолиты, пироуглерод), а также солеобразные материалы на основе фосфатов и галогенидов. Неорганические материалы можно также разделить на две группы — природные и искусственные. Первые используют для изготовления крупногабаритных сооружений в виде самостоятельного конструкционного материала или в качестве футеровки металлических корпусов различных аппаратов. Горные породы — незаменимый конструкционный материал, в частности для химического производства (башни йодно-бромного производства, поглощения газообразного хлористого водорода и т. д.), а также в качестве наполнителей в производстве вяжущих силикатов — кислотоупорных цементов и бетона. Природные материалы трудно обрабатывать механически, что приводит к громоздкости выполненных из них сооружений. [c.145]

В качестве типичных примеров приведены прямое спектральное определение 14 микропримесей в халькогенидах кадмия и определение 10 примесей после экстракционного отделения основы в высокочистом хлориде кадмия [267]. [c.185]

Исследования по синтезу соединений А"В успешно развиваются в институтах Академии наук УССР, сначала в Институте физики, затем в созданном в 1960 г. Институте полупроводников АН УССР. Были прове дены большие работы для получения монокристаллов халькогенидов кадмия и цинка кристаллизацией из газовой фазы. [c.72]

Описаны кулонометрические методы определения хлорид-иона в металлическом натрии [994], халькогенидах кадмия [850], жидком топливе [519, 985], органических соединениях [463, 714], полимерах [501], биологических материалах [706], в смеси с другими галогенидами [866, 1013]. [c.118]

Физические свойства оксидов, халькогенидов и ниобатов свя-Ваны с наличием микрофаз и микропримесей и с отклонением от стехиометрии состава, возникающим в процессе синтеза и термической обработки образца. В настоящей работе описаны методы определения микрофаз в различных неорганических соединениях йодистом серебре, окиси цинка, ниобате лития, селениде кадмия, сульфиде свинца, а также микронримеси меди в пленках селенида кадмия. Выделение микрофаз проводят путем обработки кристаллов основного вещества соответствующими растворителями. Ос иовная задача определения фаз заключается в выборе селективного растворителя. Для контроля полноты растворения фаз проводили многократную обработку проб. [c.250]

Из табл. 24.3 видно что, за исключением Сс10, при получении халькогенидов цинка и кадмия предпочтительно образуется тетраэдрическая координация. [c.470]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология